UTILISATION DES SEMI-CONDUCTEURS A LARGE BANDE INTERDITE EN ELECTRONIQUE DE PUISSANCE

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Aspect cristallographique et classification des différents types de diamant

Cristallographie du diamant

Selon l’arrangement des atomes entre eux (sp1, sp2 ou sp3) et leur configuration, le carbone peut cristalliser sous plusieurs formes : diamant, graphite, lonsdaleites, fullerènes, carbone amorphe… En configuration sp3, laquelle donne lieu à la cristallisation sous forme de diamant, les liaisons covalentes sont en position tétraédrique. La configuration sp2, très répandue aux conditions normales de température et de pression (CNTP), est celle qui donne lieu à la cristallisation sous forme de graphite.
La Figure II-1 présente la structure cristallographique du diamant. La structure diamant est formée par l’interpénétration de deux réseaux cubiques faces centrés, l’un décalé de (1/4, ¼, ¼).a par rapport à l’autre, a étant le paramètre de maille élémentaire, qui vaut 3,57.
Å. Sur la Figure II-1 b, on peut observer la maille élémentaire du diamant. Chaque atome de carbone, tétravalent, est lié à 4 atomes de carbone. La distance inter atomique vaut 1,54 Å. En plus des huit atomes des coins (en bleu) et des 6 atomes face centrés (en rouge), elle contient quatre atomes résultant de cette interpénétration (en jaune).
Le graphite a une densité plus faible que le diamant (2,25 g/cm3 contre 3,52 g/cm3 pour le diamant). Il est composé d’un empilement de plans de graphène qui se caractérisent par une configuration hexagonale des atomes (voir Figure II-2). Les liaisons composant les plans sont de type sp2. Les liaisons sur les plans sont très fortes et courtes (1,42 Å). Les liaisons entre plans sont longues et faibles (3,35 Å). Cette configuration de plans empilés et la différence entre les liaisons dans le plan et les liaisons reliant les plans confèrent un caractère anisotrope au graphite, tant du point de vue mécanique qu’électrique.

Classification du diamant

Les diamants sont généralement classifiés selon quatre types, en fonction de la quantité et la nature des impuretés qu’ils contiennent. Les impuretés considérées sont l’azote et le bore, car elles s’incorporent facilement dans les cristaux de diamant.
Type Ia : ils composent 98 % des diamants naturels. Ils sont caractérisés par la présence d’agrégats d’azote en leur sein. Ils ont généralement une couleur jaune pâle.
Type Ib : ces diamants contiennent une grande quantité d’azote en sites substitutionnels. Ils ont généralement une couleur allant du jaune intense au brun.
Type IIa : ces diamants sont quasiment exempts d’impuretés. Ils contiennent notamment des concentrations d’azote inférieures à 2 ppm. Ils sont transparents aux longueurs d’ondes descendant jusqu’à 225 nm et sont électriquement isolants.
Type IIb : ils contiennent des concentrations d’azote très faibles. Ils présentent, de plus, des atomes de bore en substitution, leur conférant une conductivité de type p. Ces diamants sont de couleur bleue.

La synthèse du diamant

Historique

Il faut attendre la fin du XVIIIème siècle pour connaître la composition chimique du diamant. En 1772, Lavoisier démontre que la combustion du diamant ne donne que du dioxyde de carbone. En 1796, Tennant établit que la combustion d’une même masse de diamant et de charbon donne une même masse de dioxyde de carbone, démontrant ainsi que le diamant est exclusivement composé de carbone. Au cours des XIXème et XXème siècles, de nombreux chercheurs tentent de synthétiser du diamant, généralement en essayant de reproduire les conditions de création du diamant naturel, à haute pression et haute température.
La première preuve d’une tentative réussie de synthèse de diamant est donnée en 1955 par le laboratoire de recherche de General Electric (Etats-Unis), par synthèse HPHT dans un solvant métallique. Ce succès est largement dû au travail du laboratoire pour concevoir des presses capables de réaliser les conditions nécessaires à la synthèse de diamant. Ces premiers diamants sont des grains dont les dimensions sont inférieures à un quart de millimètre et dont la forme varie en fonction des conditions utilisées. Il faut attendre encore quinze ans pour que la maîtrise du procédé soit suffisante pour synthétiser du diamant mono-cristallin de plus grande taille (quelques millimètres).
L’idée de déposer du diamant à basse pression a été émise en 1955 par P. W. Bridgman. W. Eversole fut le premier à prouver la faisabilité de déposer du diamant par CVD, en utilisant un mélange de CO et de CO2. Il en a découlé de nombreuses études, mais les vitesses de croissance restaient alors très faibles. Les étapes de dépôt étaient en outre entrecoupées d’étapes d’attaque des phases graphitiques par gravure hydrogène ou par oxydation. Dans les années 70, Derjaguin et al. parviennent à déposer du diamant de bonne qualité sur des substrats diamants et non diamants [7]. Dans les années 80, les efforts considérables du NIRIM (National Institute for Research in Inorganic Materials, Japon) permettent de synthétiser des films de diamant par MPCVD et HFCVD (Hot Filament Chemical Vapor Deposition) à des vitesses dépassant 10 µm/h [8], ce qui a eu pour effet de relancer l’intérêt pour les techniques de dépôt CVD du diamant. Aujourd’hui, l’amélioration de la qualité des films de diamant déposés par CVD ouvre la voie à des applications jusqu’alors inaccessibles, telles que son utilisation en électronique de puissance.

Les différentes méthodes

Le diamant n’est pas stable aux conditions normales de température et de pression, comme on peut le voir sur le diagramme de phase du carbone (Figure II-3). Ceci explique la difficulté à le synthétiser. Le diamant naturel est d’ailleurs synthétisé sous terre, dans des conditions de température et de pression extrêmes. Toutefois, il est possible de voir du diamant aux CNTP. En effet, dans ces conditions, l’énergie thermique est trop faible pour casser les liaisons de type diamant (sp3) et les reconstruire sous la forme propre au graphite (sp2). A l’inverse, il est possible, pour les mêmes raisons, de trouver du graphite sous forme métastable dans la zone de stabilité du diamant.
Le diagramme de phase de la Figure II-3 présente aussi les différentes conditions utilisées pour la synthèse du diamant.
La zone A représente les conditions dans lesquelles on peut obtenir du diamant à partir de graphite en présence d’un solvant métallique. Le graphite est en effet fortement soluble dans certains métaux, comme le nickel. La dissolution du graphite dans ces métaux permet de contrer son caractère métastable à ces conditions de température et de pression. Le carbone cristallise alors sous la forme de grains de diamant. Il est possible, par l’ajout d’un germe de diamant et une très bonne maîtrise du procédé, de faire cristalliser le carbone sous forme de mono-cristaux ayant une taille de plusieurs millimètres. Les cristaux obtenus sont généralement jaunes du fait de leur teneur en azote. Ils contiennent de plus une petite quantité de métal provenant du solvant utilisé.
Pour se passer de solvant métallique, il faut augmenter de manière substantielle la température (zone B) ou la pression (zone D). La zone D correspond à la technique de synthèse du diamant par détonation, développée en 1961 par De Carli et Jamieson, et utilisée principalement à l’heure actuelle pour synthétiser du diamant nanocristallin ou microcristallin à partir de graphite ou de fullerènes.
Enfin, la zone C correspond aux méthodes de synthèse de diamant par CVD. Celles-ci sont remarquables car la synthèse est alors réalisée hors de la zone de stabilité du diamant. Il en existe une grande variété. Elles se différencient notamment les unes des autres par la méthode d’activation des espèces introduites dans le bâti de dépôt. Pour en savoir plus, on pourra se reporter à l’ouvrage “Diamond chemical vapor deposition” de Liu et Dandy [10]. La HFCVD permet la croissance sur des surfaces allant jusqu’à plusieurs dizaines de centimètres de côté, pour des vitesses de croissance allant de 0,1 à 50 µm/h. Toutefois, elle induit une pollution métallique du film due à la corrosion du filament durant la croissance. Elle est donc indiquée pour le dépôt de films dont la pureté n’est pas le paramètre essentiel. La méthode de dépôt par torche plasma permet de très grandes vitesses de croissance (plusieurs centaines de microns par heure). La flamme est réalisée grâce à un mélange d’acétylène et d’oxygène. Le principal désavantage de cette méthode réside dans la difficulté de maîtrise de l’homogénéité du film. Aussi celle-ci doit-elle encore être améliorée, mais pourrait jouer un rôle important pour la croissance de films épais dans le futur. Enfin, les méthodes de dépôt CVD assistés par plasma (PACVD, pour Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition), et notamment la méthode MPCVD, nous intéressent particulièrement dans la mesure où elles permettent de déposer la majorité des films utilisés en électronique de puissance.

Le croissance de diamant par MPCVD

Principe

Comme la plupart des méthodes de croissance de diamant par CVD, la MPCVD fait généralement appel au mélange d’un composé carboné et d’hydrogène. Le composé carboné, la plupart du temps du méthane, fournit le carbone nécessaire à la croissance du diamant, tandis que l’hydrogène grave préférentiellement les phases de carbone non diamant, de sorte à obtenir un cristal pur. Les molécules de gaz sont dissociées par le plasma micro-onde. La fréquence vaut généralement 2,45 GHz, la température du substrat est fixée entre 800 °C et 1100 °C. La pression peut varier de 10 torr à 100 torr. Dans ces conditions, la forme stable du carbone est le graphite. La proportion de carbone diamant déposée par rapport au carbone non diamant est donc très faible. L’hydrogène, présent en grande concentration dans le bâti de croissance (> 95 %), permet une gravure fortement sélective des phases graphitiques. Outre la température et la pression, de nombreux paramètres tels que les concentrations partielles des différentes espèces, la densité de plasma, l’orientation cristalline du substrat et sa préparation préalable, ont un impact sur la cinétique de dépôt des films et sur leur qualité [10]. La Figure II-4 présente le schéma ainsi que la photographie d’un réacteur MPCVD.
A l’heure actuelle, les mécanismes de formation du diamant dans ces conditions ne sont pas encore parfaitement connus. Plusieurs modèles décrivent partiellement les réactions qui ont lieu, mais de nombreuses études sont encore menées pour comprendre exactement les mécanismes mis en jeu ; ceci permettrait notamment une modélisation plus précise des conditions de dépôt nécessaires pour réaliser des croissances optimisées.
La technique MPCVD permet de réaliser des films d’une épaisseur de quelques microns à plus d’un millimètre. Dans le cas de films épais, il est alors possible, après retrait du substrat de croissance, d’obtenir des films auto-supportés.

Choix du substrat

Le dépôt de diamant peut être réalisé sur différents types de substrats. S’il s’agit d’un substrat de diamant, on parle d’homoépitaxie. Au contraire, s’il s’agit d’un substrat autre, on parle d’hétéroépitaxie.

Homoépitaxie

La MPCVD permet d’obtenir des conditions de dépôt homogène sur des surfaces allant jusqu’à 2 pouces. Toutefois, les substrats diamant disponibles à l’heure actuelle ont des surfaces allant environ de 3×3 mm2 à 5×5 mm2. La taille des films de diamant monocristallins est donc limitée par la taille des substrats disponibles. La Figure II-5 présente la photographie d’un film d’une épaisseur de 40 µm déposé sur un substrat 1b d’une épaisseur de 1,5 mm et d’une surface de 3×3 mm2, synthétisé au LIMHP (Villetanneuse, France), ainsi que la photographie d’un échantillon auto-supporté d’une épaisseur de 500 µm et d’une surface de 5×5 mm2, après retrait du substrat et polissage, synthétisé par la compagnie Element Six. La coloration jaune du premier échantillon est due au substrat de croissance, riche en azote.
L’amélioration des résultats de croissance de diamant par homoépitaxie passe notamment par le perfectionnement des procédés de fabrication de diamant par les méthodes HPHT, de sorte à obtenir des substrats de plus grande taille et de meilleure qualité.

Hétéroépitaxie

Il est possible de condenser du carbone sous forme de diamant sur une grande variété de substrats. Néanmoins, le dépôt sur substrat non diamant n’a pour le moment donné lieu qu’à l’obtention de diamant polycristallin, du fait du désaccord de maille entre le diamant et le substrat utilisé. L’hétéroépitaxie est donc principalement utilisée pour déposer des films de grande taille, pour lesquels les paramètres de transport électrique ne sont pas essentiels. La taille des grains obtenus varie fortement selon les conditions de dépôt, le substrat utilisé et l’épaisseur du film.
Le silicium est couramment utilisé en tant que substrat, du fait de son coefficient thermique d’expansion proche de celui du diamant, induisant des contraintes faibles à l’interface.

Dopage des films

Il est possible de doper les films durant leur croissance (dopage in situ), par implantation ionique et par diffusion. L’implantation ionique et la diffusion seront traitées dans le chapitre 3. A ce jour, le dopage in situ est la méthode de dopage qui a donné les meilleurs résultats en termes de qualité électronique des films et de contrôle des niveaux de dopage. L’impureté désirée est ajoutée dans la phase gazeuse lors de la croissance. Toute la difficulté consiste à trouver les conditions maximisant son incorporation en site substitutionnel, tout en créant un minimum de défauts dans le cristal de manière à garantir des bonnes propriétés de transport électronique.
Dans le cas du dopage p (bore), l’incorporation in situ permet de réaliser des couches dont la concentration en impuretés varie sur une large bande, allant des dopages modérés (environ 1015 cm-3) aux dopages élevés, conduisant à la dégénérescence du matériau. L’impureté employée est le bore, dont la source est généralement du diborane (B2H6) ou du trimethylbore (TMB).
Les films de ce type ont aujourd’hui atteint de bons niveaux de pureté et de faibles taux de dislocations, ce qui se traduit par de faibles niveaux de compensation des dopants et de bonnes mobilités [11-13]. Il est toutefois encore très difficile de faire croître des films dopés bore d’une épaisseur suffisante pour leur assurer une tenue mécanique adéquate après retrait du substrat de croissance.
Le dopage in situ est également la méthode qui a donné les meilleurs résultats pour l’obtention de films dopés n. La conduction de type n est obtenue par incorporation de phosphore dans le réseau cristallin. La phosphine (PH3) est souvent utilisée comme source de phosphore. Pour l’instant, les résultats les plus probants ont été obtenus dans le cas d’échantillons d’orientation cristalline (111). Il semblerait en effet que le mécanisme de croissance pour une telle orientation cristalline améliore la solubilité du phosphore [14, 15]. Le niveau d’ionisation profond du phosphore (0,6 eV) rend nécessaire l’obtention de densités de phosphore élevées, de manière à disposer de densités de porteurs significatives. Jusqu’à présent, les plus hauts niveaux de dopages n relevés dans la littérature sont de l’ordre de 1.1020 cm-3 [16, 17] dans le cas de l’orientation (111).
Les tentatives réussies d’incorporation du phosphore dans du diamant (100) sont pour le moment peu nombreuses [18-22]. La plus forte densité d’impuretés atteinte vaut 5.1018 cm-3. Compte tenu de la forte énergie d’ionisation du phosphore, ceci n’est pas suffisant pour réaliser des dispositifs électroniques performants. En outre, d’après les résultats observés, il semblerait que le mécanisme même de croissance de couches (100) dopées phosphore induise des centres de compensation, ce qui tend à abaisser encore les concentrations de porteurs électriques disponibles.

Caractéristiques des films obtenus par homoépitaxie CVD

Taille des échantillons

Comme nous l’avons vu précédemment, la taille des échantillons est limitée principalement par la taille des substrats de croissance. Les échantillons typiquement utilisés au cours du présent travail ont des dimensions variant de 3×3 à 4×4 mm2.
L’épaisseur peut fortement varier d’un échantillon à l’autre. Elle peut aller de 150 µm pour un échantillon auto-supporté de faible épaisseur à plus d’1,5 mm pour un film sur son substrat de croissance.
Pour des applications en électronique de puissance, il sera important, à terme, d’avoir des échantillons auto-supportés, de manière à pouvoir exploiter tout leur volume, condition nécessaire à l’obtention de bons compromis résistance passante / tenue en tension. En outre, afin de garder une résistance passante raisonnable, une grande partie de l’épaisseur de l’échantillon devra être fortement dopée. La synthèse de films de diamant fortement dopés et d’épaisseur suffisante reste, à l’heure actuelle, un verrou technologique important.

Orientation cristalline

L’orientation cristalline de l’échantillon dépend de l’orientation cristalline du substrat sur lequel il a été déposé.
Au cours de cette thèse, nous avons fait le choix de travailler sur des échantillons d’orientation (1,0,0), car ils présentent des surfaces plus grandes que les échantillons (1,1,0) et (1,1,1). Si les couches (1,0,0) peuvent être dopées p durant leur croissance, leur dopage n n’était pas disponible au début de ces travaux et reste, pour l’instant, marginal.

Défauts cristallins

Plusieurs types de défauts peuvent être relevés dans le film après croissance : défauts ponctuels (lacunes, interstitiels ou impuretés en site substitutionnel), linéaires (dislocations), planaires (fautes d’empilement, joints de grains) ou volumiques (agrégats d’impuretés ou de lacunes, phases graphitiques). La minimisation de la densité de défauts passe par une bonne maîtrise des conditions de croissance d’une part, et par le choix de substrats de bonne qualité d’autre part. Pour ce qui est de l’influence du substrat, elle provient en grande partie de la qualité de sa surface. La croissance par CVD étant orientée verticalement, les défauts présents en surface du substrat se propagent verticalement depuis l’interface substrat/film CVD. Avant l’étape de croissance, les substrats sont polis de manière à obtenir une faible rugosité. Cette étape de polissage doit être bien maîtrisée : en effet, les méthodes de polissage du diamant sont essentiellement mécaniques (du fait de son inertie chimique) et entraînent l’apparition de défauts à la surface du diamant jusqu’à plusieurs microns de profondeur. Une étape de gravure plasma est donc généralement effectuée préalablement à l’étape de croissance [23, 24]. Néanmoins, les défauts qui se propagent dans le volume des substrats émergent en surface et ne peuvent pas être évités. Les substrats, de qualité variable à l’heure actuelle quant à leur densité de défauts, jouent un rôle important dans la cristallinité du film obtenu [25].
Ces dislocations peuvent être visibles à la surface des échantillons, comme le montre la Figure II-7. Elles sont notamment révélées par des procédés de gravure car elles offrent des sites d’attaque préférentielle. Sur la Figure II-7 a, on peut constater que les dislocations suivent des lignes. Elles sont la manifestation de la présence de rayures de polissage sur le substrat avant la croissance du film.
Le taux de défauts présents dans le film de diamant aura une incidence sur les mobilités des porteurs électriques et sur son aptitude à tenir de forts champs électriques.

Contamination

On retrouve souvent dans les films de diamant des concentrations non négligeables d’azote et de bore, éléments qui s’incorporent en effet très facilement dans le cristal de diamant. L’azote agit comme un donneur profond et est donc néfaste aux propriétés électroniques des films. A l’heure actuelle, l’incorporation d’azote est assez bien maîtrisée et sa concentration dans les films dédiés à l’électronique est négligeable. L’incorporation aisée du bore dans les films de diamant peut poser des problèmes pour la synthèse de films de type p- ou n, pour lesquels il agit comme un piège. Le bore incorporé accidentellement dans les films est généralement dû à l’effet mémoire des bâtis de dépôt : il provient de résidus de runs précédents. Ceci peut être partiellement atténué par un nettoyage régulier des bâtis ou par l’ajout, durant l’étape de croissance, d’éléments qui limitent l’incorporation du bore, tels que l’oxygène [27]. La synthèse de films ayant de faibles concentrations de bore reste cependant une question majeure à l’heure actuelle.
En outre, le plasma hydrogène peut partiellement attaquer le tube en quartz du bâti d’épitaxie, ce qui peut induire des contaminations en Si [28].

Propriétés électroniques du diamant dopé bore

Nous présentons ici certaines propriétés électroniques du diamant dopé bore. Les calculs présentés sont effectués pour des films de diamant dont les taux de compensation des porteurs électriques apportés par le dopage sont supposés nuls.

Mobilité en fonction du dopage

La mobilité des trous dans le diamant faiblement dopé vaut environ 2000 cm2/V.s. Cette valeur tend à diminuer avec l’augmentation du dopage, comme dans les autres semi-conducteurs. Selon [13], la mobilité des trous dans le diamant, à température ambiante, en fonction du dopage bore vaut : μ = 2016 Nimp 0,73 Équation II-1 17 1+ 3,25⋅10.
La Figure II-8 présente la mobilité des trous dans le diamant en fonction de la concentration d’accepteurs (bore), comparée avec les mobilités des électrons dans le silicium, le carbure de silicium 4H et le nitrure de gallium en fonction de la concentration de donneurs.

Table des matières

INTRODUCTION
CHAPITRE I : UTILISATION DES SEMI-CONDUCTEURS A LARGE BANDE INTERDITE EN ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
I.1 LES DEFIS DE L’ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
I.1.1 Au coeur des composants de puissance, la zone de drift
I.1.2 Augmentation de la puissance commutée
I.1.2.1 Augmentation du courant
I.1.2.2 Augmentation de la tension bloquée
I.1.3 Augmentation de la fréquence
I.1.4 La limitation thermique
I.1.4.1 Les pertes dans un interrupteur d’électronique de puissance
I.1.4.2 Le refroidissement des composants
I.1.5 Les pistes envisagées
I.2 LES PROPRIETES DU DIAMANT
I.3 CONCLUSION
I.4 BIBLIOGRAPHIE DU CHAPITRE 1
CHAPITRE II : LE DIAMANT CVD
II.1 ASPECT CRISTALLOGRAPHIQUE ET CLASSIFICATION DES DIFFERENTS TYPES DE DIAMANT
II.1.1 Cristallographie du diamant
II.1.2 Classification du diamant
II.2 LA SYNTHESE DU DIAMANT
II.2.1 Historique
II.2.2 Les différentes méthodes
II.2.3 Le croissance de diamant par MPCVD
II.2.3.1 Principe
II.2.3.2 Choix du substrat
Homoépitaxie
Hétéroépitaxie
II.2.3.3 Dopage des films
Dopage p
Dopage n
II.2.3.4 Caractéristiques des films obtenus par homoépitaxie CVD
Orientation cristalline
Défauts cristallins
Contamination
II.3 PROPRIETES ELECTRONIQUES DU DIAMANT DOPE BORE
II.3.1 Mobilité en fonction du dopage
II.3.2 Résistivité en fonction du dopage
II.4 ETAT DE L’ART DES COMPOSANTS REALISES SUR DIAMANT CVD MONOCRISTALLIN
II.4.1 Diodes Schottky
II.4.2 Diodes PN et PIN
II.4.3 Transistors à effet de champ
II.4.4 Commutateurs activés par faisceau UV ou faisceau d’électrons
II.5 CONCLUSION
II.6 REFERENCES DU CHAPITRE II
CHAPITRE III : DEVELOPPEMENT DES PROCEDES TECHNOLOGIQUES
III.1 LE DOPAGE DU DIAMANT
III.1.1 Etat de l’art
III.1.1.1 Les impuretés envisagées pour doper le diamant
Dopants accepteurs
Dopants donneurs
III.1.1.2 Les techniques de dopage
Le dopage par diffusion
Le dopage par implantation ionique
III.1.2 Etudes mises en oeuvre au laboratoire
III.1.2.1 Calibrage du simulateur SRIM
III.1.2.2 Définition du procédé d’implantation
III.1.2.3 Essais expérimentaux
Premiers tests
Etude de la face arrière de l’échantillon
III.1.3 Conclusion relative aux études sur le dopage du diamant
III.2 LE DEPOT DE CONTACTS OHMIQUES SUR DIAMANT CVD
III.2.1 Théorie sur les contacts ohmiques
III.2.2 Caractérisation des contacts ohmiques par la méthode TLM
III.2.2.1 Généralités
III.2.2.2 Equations et résolution pour le cas du motif TLM droit
Détermination de la résistivité spécifique de contact par extraction de la résistance de fin de contact
Détermination de la résistivité spécifique de contact sans extraction de la résistance de fin de contact
III.2.3 Etat de l’art
III.2.4 Réalisation de contacts ohmiques sur diamant CVD
III.2.4.1 Contacts Ti/Pt/Au
III.2.4.2 Contacts Si/Al
III.2.4.3 Caractérisations des contacts en température
III.2.4.4 Caractérisation de la tenue mécanique des contacts
III.2.5 Conclusion relative à la fabrication de contacts ohmiques
III.3 LA GRAVURE IONIQUE DU DIAMANT
III.3.1 Etat de l’art
III.3.2 Expériences
III.3.2.1 Gravure oxygène
III.3.2.2 La gravure Ar/O2
III.3.3 Conclusion relative aux études sur la gravure du diamant
III.4 CONCLUSION
III.5 REFERENCES DU CHAPITRE III
CHAPITRE IV : LE DIAMANT UTILISE POUR LA CONCEPTION DE COMPOSANTS UNIPOLAIRES – REALISATION DE DIODES SCHOTTKY
IV.1 LA LIMITE DU MATERIAU POUR LA CONCEPTION DE COMPOSANTS UNIPOLAIRES
IV.1.1 Principe du calcul
IV.1.2 Application au cas du diamant
IV.1.3 Effet de la température
IV.2 THEORIE ET MODELISATION DE LA DIODE SCHOTTKY
IV.2.1 Le contact Schottky
IV.2.1.1 Courant en direct
IV.2.1.2 Courant en inverse
IV.2.2 Modélisation de la diode Schottky
IV.3 CONCEPTION ET MISE EN OEUVRE TECHNOLOGIQUE
IV.4 CARACTERISATIONS ELECTRIQUES
IV.4.1 Caractéristiques de la première série de diodes
IV.4.2 Caractéristiques de la deuxième série de diodes
IV.5 CONCLUSION
IV.6 REFERENCES DU CHAPITRE IV
CONCLUSION

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