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Synthรจse des polymรจres conjuguรฉs
La synthรจse des polymรจres conjuguรฉs est un point clรฉ de la maรฎtrise de leurs propriรฉtรฉs finales. En effet, lors de la polymรฉrisation, des dรฉfauts de structure peuvent apparaรฎtre tels que des dรฉfauts dโenchaรฎnement, des branchements, ou encore des rรฉticulations, ce qui diverge de la structure idรฉale rรฉguliรจre et linรฉaire. De plus le polymรจre est un objet statistique caractรฉrisรฉ par sa masse molaire et son indice de polydispersitรฉ. Nous verrons par la suite comment les caractรฉristiques molรฉculaires, macromolรฉculaires et structurelles peuvent influencer les propriรฉtรฉs physiques du polymรจre.
Structure รฉlectronique et propriรฉtรฉs optiques des polymรจres conjuguรฉs
Structure รฉlectronique
Comme nous lโavons รฉvoquรฉ en introduction, les polymรจres conjuguรฉs doivent leurs propriรฉtรฉs particuliรจres au recouvrement des orbitales atomiques p des atomes constituant la chaรฎne du polymรจre donnant lieu ร des orbitales molรฉculaires liantes ฯ et anti-liantes ฯ*. A titre dโexemple, lโรฉvolution des niveaux dโรฉnergie du passage de la molรฉcule dโรฉthylรจne au poly(acรฉtylรจne) est prรฉsentรฉe Figure 1-4. La molรฉcule dโรฉthylรจne possรจde deux orbitales molรฉculaires, liante et anti-liante, prรฉsentant une sรฉparation รฉnergรฉtique significative. Si lโon augmente la longueur de conjugaison par lโajout de motifs รฉthylรฉniques le nombre dโorbitales augmente tandis que la diffรฉrence entre les niveaux HOMO (anglais : Highest Occupied Molecular Orbital) et LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) diminue. Pour le cas idรฉal dโune chaรฎne infinie, les orbitales molรฉculaires possรจdent des niveaux รฉnergรฉtiques tellement proches que lโon peut alors les dรฉcrire par des bandes dโรฉnergies. Par analogie avec le domaine de la physique des semi-conducteurs inorganiques, la plus haute bande occupรฉe devient la bande de valence (BV) tandis que la plus basse bande inoccupรฉe devient la bande de conduction (BC), ces deux bandes sont sรฉparรฉes par une plage dโรฉnergie interdite aux รฉlectrons : la bande interdite ou gap (Figure 1-4).
De ce fait, les polymรจres conjuguรฉs sont ร lโรฉtat neutre des semi-conducteurs intrinsรจques, leur gap รฉtant gรฉnรฉralement compris entre 2 et 3 eV.
Dopage des polymรจres conjuguรฉs
Comme nous lโavons รฉvoquรฉ prรฉcรฉdemment, les polymรจres conjuguรฉs sont des semiconducteurs ร lโรฉtat neutre. Leur passage ร lโรฉtat de conducteur ne peut se faire quโaprรจs introduction de porteurs de charges libres (รฉlectrons ou trous) par une opรฉration appelรฉe ยซ dopage ยป.
Dans le cas des polymรจres conjuguรฉs, lโinjection dโun รฉlectron ou dโun trou entraรฎne la crรฉation dโun ยซ dรฉfaut ยป chargรฉ associรฉ ร une dรฉformation locale de la chaรฎne (couplage รฉlectron-phonon). Ce dรฉfaut appelรฉ polaron ou soliton par les physiciens (ion radical pour les chimistes) va pouvoir se propager, sous lโeffet dโun champ รฉlectrique, le long de la chaรฎne (contribution intra-chaรฎne ร la conduction) ou de chaรฎne ร chaรฎne (contribution interchaรฎne ร la conduction). Dans la chaรฎne le dรฉfaut est crรฉรฉ par permutation entre liaison simple et double (ex : permutation aromatique-quinonique). Deux cas sont alors possibles :
– La permutation conduit ร une structure dโรฉnergie diffรฉrente, on est alors en prรฉsence dโun systรจme non-dรฉgรฉnรฉrรฉ, les deux formes rรฉsonnantes nโรฉtant pas รฉquivalentes (aromatique et quinonique). Cโest le cas de lโensemble des polymรจres conjuguรฉs ร lโexception du trans-poly(acรฉtylรจne). La formation de ces domaine quinoniques est prรฉsentรฉe dans le cas du poly(thiophรจne) dans la Figure 1-6
– La permutation conduit ร une structure รฉquivalente en รฉnergie, on parle alors de systรจmes dรฉgรฉnรฉrรฉ
Nanocristaux de semi-conducteurs II-VI
Introduction
Les nanoparticules dont le diamรจtre est compris entre 1 nm et 10 nm, prรฉsentent des propriรฉtรฉs physico-chimiques particuliรจres. Elles sont dans un รฉtat intermรฉdiaire entre le solide et la molรฉcule. Dans les nanoparticules, le nombre dโatomes de surface devient non nรฉgligeable devant le nombre dโatomes composant le cลur de la particule. De ce fait la surface joue un rรดle important dans lโรฉtablissement des propriรฉtรฉs des nanoparticules. A lโรฉchelle nanomรฉtrique, les effets quantiques dominent et dรฉpendent non seulement de lโarrangement des atomes mais aussi de la taille et de la forme des nanoparticules.
Il existe de nombreux types de nanoparticules de natures diffรฉrentes telles que des nanoparticules ร base de mรฉtaux (ex : Au44, Ag45, Ni46), de semi-conducteurs รฉlรฉmentaires (ex : Si47, Ge48), dโoxydes (ex : TiO249, ZnO50) et de semi-conducteurs composรฉs (ex : CdSe51, InP52, PbSe53).
Les nanocristaux que nous avons synthรฉtisรฉs et utilisรฉs dans le cadre de cette thรจse sont des nanocristaux de CdSe. Ils appartiennent ร la famille des semi-conducteurs II-VI, cโest- ร -dire quโils sont composรฉs dโรฉlรฉments comportant deux รฉlectrons de valence (colonne 12 du tableau pรฉriodique des รฉlรฉments) et de chalcogรจnes comportant 6 รฉlectrons de valence (colonne 16 du tableau pรฉriodique des รฉlรฉments). Nous allons donc nous concentrer dans les paragraphes suivants sur les propriรฉtรฉs de ce type de nanocristaux.
Structure des nanocristaux de CdSe
Ces nanocristaux sont des particules cristallines dont le diamรจtre varie de 1 ร 10 nm, ce qui correspond ร un nombre dโatomes compris entre quelques centaines ร plusieurs milliers. Ils peuvent รชtre obtenus sous diffรฉrentes formes, on trouve des nanoparticules sphรฉriques, allongรฉes (anglais : nanorods) ou branchรฉes (tetrapodes), mais les nouvelles gรฉnรฉrations de synthรจse permettent dโaller vers de nouvelles formes gรฉomรฉtriques telles que des pyramides ou encore des nanocristaux hyperbranchรฉs (Figure 1-12).
Les nanocristaux de CdSe peuvent exister sous deux structures cristallines distinctes, la structure Wurtzite dans laquelle les deux sous-rรฉseaux de Cd et de Se composant le cristal sont hexagonaux compacts, et la structure spharรฉlite (type blende de zinc) dans laquelle les deux sous-rรฉseaux sont cubiques faces centrรฉes. Ces deux structures peuvent รชtre obtenues par des voies de synthรจse diffรฉrentes.
Les synthรจses ร haute tempรฉrature (250-300ยฐC) utilisรฉes dans le cadre de cette thรจse mรจnent ร la structure Wurtzite.
Afin dโรฉviter leur coalescence lors de la synthรจse, il est nรฉcessaire de stabiliser les nanocristaux par des molรฉcules capables de se fixer ร leur surface.
Ainsi les nanocristaux colloรฏdaux sont constituรฉs dโun cลur inorganique entourรฉ dโune couche de molรฉcules organiques, les ligands, dont la prรฉsence ร leur surface provoque une rรฉpulsion suffisante pour empรชcher leur agrรฉgation. Ce sont ces mรชmes ligands qui leur confรจrent leur solubilitรฉ dans des solvants variรฉs. De plus ils peuvent รชtre รฉchangรฉs avec de nouvelles molรฉcules au cours dโune rรฉaction dโรฉchange permettant ainsi lโintroduction de fonctionnalitรฉs diverses.
La surface des nanocristaux peut prรฉsenter des dรฉfauts comme par exemple des liaisons pendantes ou encore des รฉtats piรจges pour les porteurs de charges, qui peuvent affecter certaines propriรฉtรฉs optiques des nanocristaux telle que la fluorescence. Lโattรฉnuation de ces effets peut รชtre rรฉalisรฉe par une meilleure passivation de la surface des nanocristaux. Ainsi certains ligands introduits ร la surface des nanocristaux par une rรฉaction dโรฉchange permettent dโaugmenter la fluorescence des nanocristaux57,58. Une autre possibilitรฉ consiste ร faire croรฎtre de maniรจre epitaxiale, une ou plusieurs coquilles inorganiques ร la surface du nanocristal synthรฉtisรฉ59. Les matรฉriaux choisis pour cette coquille sont gรฉnรฉralement des semi-conducteurs de gap supรฉrieur au CdSe, et dont le dรฉsaccord des paramรจtres de maille avec le CdSe est faible. De ce fait, le ZnSe et le CdS sont de bons candidats pour la passivation des nanocristaux de CdSe60,61.
Propriรฉtรฉs รฉlectroniques et optiques des nanocristaux de semi-conducteurs
Structure รฉlectronique des nanocristaux de semi-conducteurs, effet de taille.
La principale caractรฉristique des nanocristaux de semi-conducteurs est que leurs propriรฉtรฉs physiques sont dรฉpendantes de leur taille. Ainsi la tempรฉrature de fusion de nanocristaux de CdS de diamรจtre 3 nm est abaissรฉe de plus de 1000ยฐC par rapport au matรฉriau massif (1405ยฐC pour le CdS massif ร 300ยฐC pour les nanocristaux)62. Mais ce qui a suscitรฉ le grand intรฉrรชt que porte la communautรฉ scientifique aux nanocristaux de semi-conducteurs est la possibilitรฉ de faire varier leur gap par modulation de leur taille.
A lโรฉtat massif, un semi-conducteur possรจde une bande de valence pleine sรฉparรฉe de la bande de conduction vide par le gap de largeur Eg. Dans le matรฉriau massif lโabsorption dโun photon dโรฉnergie supรฉrieure ou รฉgale au gap, va entraรฎner le passage dโun รฉlectron de la bande de valence ร la bande de conduction, se traduisant par la crรฉation dโun trou dans la bande de valence. Lโexciton crรฉรฉ possรจde une รฉnergie lรฉgรจrement infรฉrieure au gap, son plus bas niveau dโรฉnergie est situรฉ en dessous du plus bas niveau de la bande de conduction. De plus, sa fonction dโonde est รฉtendue sur une grande distance, ce qui fait que le rayon de lโexciton est grand car les masses effectives des porteurs de charge sont faibles et leur constante diรฉlectrique est grande63,64. A titre dโexemple, le rayon de Bohr de lโexciton du CdSe est de 4,9 nm. Lorsquโon diminue la taille des nanocristaux, il arrive un moment ou la taille de la particule devient infรฉrieure au rayon de lโexciton. Pour pouvoir รชtre contenu dans le nanocristal, les porteurs de charge doivent adopter une รฉnergie cinรฉtique plus importante ce qui conduit ร une augmentation du gap et une discretisation des niveaux รฉnergรฉtiques (Figure 1-13). Ce phรฉnomรจne est connu sous le nom de confinement quantique.
Synthรจse des nanocristaux de semi-conducteurs.
Les nanocristaux de semi-conducteurs peuvent รชtre fabriquรฉs par voie physique, en phase solide par des techniques lithographiques ou รฉpitaxiales, mais รฉgalement par voie chimique en phase liquide en appliquant les techniques de la chimie des colloรฏdes.
Dโune maniรจre gรฉnรฉrale les mรฉthodes de prรฉparation des nanocristaux de semi-conducteurs par voie chimique peuvent รชtre divisรฉes en deux catรฉgories. La premiรจre concerne les procรฉdures ร tempรฉrature ambiante qui impliquent des prรฉcipitations de nanocristaux en phase aqueuse soit en prรฉsence de stabilisants de type surfactant ou polymรจre68,69 soit ร lโintรฉrieur de micelles inverses, cโest-ร -dire dans des gouttelettes dโeau stabilisรฉes par la prรฉsence de surfactants et dispersรฉes dans une phase huileuse70 (Figure 1-15 a).
Ces deux mรฉthodes prรฉsentent lโavantage dโรชtre simple ร mettre en ลuvre, mais les particules obtenues ont des distributions en taille assez รฉlevรฉes, supรฉrieures ร 15%, ce qui nรฉcessite ensuite des รฉtapes supplรฉmentaire de fractionnement.
La seconde concerne les procรฉdures ร haute tempรฉrature, dans des milieux non-aqueux dont le principe est basรฉ sur la sรฉparation temporelle des รฉtapes de nuclรฉation et de croissance des nanocristaux71. Ces synthรจses sont basรฉes sur le principe dโune injection rapide ร haute tempรฉrature des prรฉcurseurs afin de provoquer la nuclรฉation par augmentation soudaine de la concentration dans le milieu (et franchissement du seuil de nuclรฉation). La consommation des prรฉcurseurs pour la formation des germes entraรฎne alors la diminution de la concentration dans le milieu. Dรจs que cette derniรจre passe en dessous du seuil de nuclรฉation, la germination cesse au profit de la croissance des germes.
On distingue alors les voies de synthรจse impliquant des prรฉcurseurs organomรฉtalliques (Figure 1-15 b) (ex : dimethylcadmium) ou des prรฉcurseurs inorganiques (ex : oxyde de cadmium). Lโinconvรฉnient des prรฉcurseurs de type organomรฉtallique est quโils sont gรฉnรฉralement pyrophoriques ce qui rend leur manipulation dรฉlicate. Nรฉanmoins cette voie de synthรจse mise au point par Murray et al.72 en 1993 a permis la prรฉparation de nanocristaux monodisperses de bonne qualitรฉ et autorise lโutilisation dโune multitude de prรฉcurseurs.
La premiรจre synthรจse ร base de prรฉcurseurs non pyrophoriques tels que lโoxyde de cadmium, a รฉtรฉ rรฉalisรฉe par Peng et al.73 en 2001. Lโoxyde de cadmium, complexรฉ par un acide alkylphosphonique, est la source de cadmium dans la rรฉaction tandis que le sรฉlรฉnium est amenรฉ sous forme dโune solution dans la trioctylphosphine. Cette synthรจse conduit ร lโobtention de nanocristaux monodisperses dont le diamรจtre est compris entre 2,5 et 5 nm. Lโutilisation de carboxylates de cadmium comme prรฉucrseur permet lโobtention de nanocristaux plus grands, de 3 ร 7 nm voire jusquโร 25 nm67. Une รฉtude a montrรฉ que la vitesse de croissance des nanocristaux est inversement proportionnelle ร la longueur de la chaรฎne alkyle de lโacide carboxylique utilisรฉ en tant que stabilisant73. Ce type de procรฉdure est รฉgalement trรจs modulable et permet, par modification des paramรจtres de synthรจse, dโobtenir des nanocristaux de forme allongรฉe (nanorods)73.
Ce sont ces deux derniรจres synthรจses qui seront utilisรฉes pour la prรฉparation de nanocristaux de CdSe dans le cadre de cette รฉtude, nous reviendrons plus en dรฉtail sur le mรฉcanisme de la croissance et sur les rรฉactifs utilisรฉs dans le chapitre consacrรฉ ร leur prรฉparation (Chapitre II, paragraphe II-3).
On notera รฉgalement lโexistence de synthรจses sans injection dans lesquelles tous les prรฉcurseurs sont mรฉlangรฉs dans le ballon. Dans le protocole mis au point par Yang et al.74, le prรฉcurseur de cadmium (myristate de cadmium) a une tempรฉrature de dรฉcomposition proche de la tempรฉrature de fusion du sรฉlรฉnium (sous sa forme รฉlรฉmentaire). Une gestion pertinente de la tempรฉrature dans le milieu permet lโobtention de nanocristaux monodisperses.
Fonctionnalisation des nanocristaux.
A lโissu de la synthรจse, les nanocristaux colloรฏdaux sont recouverts dโune couche de ligands qui prรฉvient leur agrรฉgation et dans le mรชme temps leur confรจre leur solubilitรฉ et leur rรฉactivitรฉ. La nature de lโinteraction entre le ligand (base de Lewis) et les atomes de cadmium de la surface du nanocristal (acide de Lewis) est de type liaison de coordination. Les ligands ne sont donc pas liรฉs de maniรจre covalente aux nanocristaux et ils peuvent รชtre รฉchangรฉs.
Lโintรฉrรชt dโun tel รฉchange est quโil offre la possibilitรฉ dโintroduire ร la surface des nanoparticules de nouvelles fonctions qui pourront modifier leur solubilitรฉ ou encore permettre leur greffage sur dโautres composรฉs. La stratรฉgie couramment employรฉe consiste ร utiliser un ligand bifonctionnel de formule X-S-Y.
X correspond ร la fonction dโancrage responsable de lโaccroche du ligand sur les nanocristaux, cette fonction peut รชtre un acide phosphonique75, un thiol76, mais รฉgalement des groupements carbodithioates77 ou dithiocarbamates78. Ces deux derniers ligands amรฉliorent la stabilitรฉ des nanocristaux grรขce au caractรจre bidentate de leur coordination avec les atomes de cadmium de la surface.
Le groupement S est un groupement espaceur de type alkyle ou aromatique. Y est la fonction terminale qui est responsable des nouvelles fonctionnalitรฉs des nanocristaux.
Dโautres approches ont รฉtรฉ dรฉveloppรฉes telles que lโencapsulation des nanocristaux. Par exemple un ligand amphiphile peut interagir grรขce ร sa partie hydrophobe avec le ligand hydrophobe des nanocristaux et ainsi former des micelles autour des nanocristaux permettant leur dispersion dans des milieux hydrophiles79. Lโencapsulation des nanocristaux peut รฉgalement se faire au moyen dโune coquille de silice grรขce ร lโintroduction prรฉalable de ligands silanisรฉs dont on provoque ensuite la rรฉticulation. Enfin, autre encapsulation possible, les nanocristaux sont introduits dans des microbilles de poly(styrรจne) fonctionnalisรฉs80.
Enfin la possibilitรฉ dโรฉchanger les ligands dโorigine des nanocristaux peut รชtre mise ร profit pour greffer ces particules ร la surface dโobjets fonctionnalisรฉs par des fonctions dโancrage. Ainsi, des nanocristaux ont รฉtรฉ greffรฉs ร la surface de nanotubes de carbone fonctionnalisรฉs par des fonctions amines81.
La fonctionnalisation des nanocristaux est donc le point clรฉ de leur utilisations dans de nombreuses applications, avec toujours en prรฉ-requis la conservation de certaines de leurs propriรฉtรฉs en fonction de lโapplication visรฉe.
Applications des nanocristaux de semi-conducteurs II-VI.
Lโapplication la plus rรฉpandue ร lโheure actuelle est lโutilisation des nanocristaux II-VI pour le marquage fluorescent dโobjets biologiques82. Ces fluorophores peuvent servir par exemple ร imager des cellules afin dโรฉtudier leur fonctionnement ou encore ร visualiser des tumeurs cancรฉreuses in vivo83. Ils sont utilisรฉs en remplacement des marqueurs organiques traditionnels (phycoรฉtrythrine, cyanine, Alexafluorโฆ) qui prรฉsentent lโinconvรฉnient dโavoir une bande dโabsorption รฉtroite et assez proche de la raie dโรฉmission (difficultรฉ dโexcitation) et sont sujets ร un photoblanchiment (perte de la fluorescence) rapide de lโordre de quelques dizaines de secondes ร quelques minutes. Les nanocristaux sont donc intรฉressants pour leur large bande dโabsorption, et pour leur stabilitรฉ sous รฉclairement84. Les nanocristaux ont รฉtรฉ utilisรฉs pour imager des cellules in vitro par conjugaison ร des biomolรฉcules qui permettent de les fixer sur diffรฉrentes cibles, de la paroi cellulaire au noyau, en passant par des composants du cytoplasme85,86. Dans des รฉtudes plus rรฉcentes, lโimagerie in-vivo de petits animaux a รฉtรฉ effectuรฉe aprรจs injection des nanocristaux dans un embryon de tรชtards87 ou dans des souris88.
De nombreuses autres applications existent pour ces nanocristaux. On les retrouve notamment dans les codes ร barres pour lesquels des nanocristaux de couleurs diffรฉrentes sont introduits dans des microbilles de poly(styrรจne) permettant par exemple aprรจs incorporation ร des encres, leur utilisation pour le traรงage et la lutte contre la contrefaรงon89. On les utilise รฉgalement comme matรฉriaux actifs pour des capteurs en utilisant la variation de la fluorescence des nanocristaux en prรฉsence dโautres composรฉs (gaz, solutรฉs)90. Ils peuvent aussi devenir des matรฉriaux actifs pour lโoptique : ainsi un laser a รฉtรฉ rรฉalisรฉ avec de lโoxyde de titane dopรฉ avec des nanocristaux de CdSe dont la longueur dโonde dโรฉmission dรฉpend de la taille des nanocristaux91. Dans des diodes รฉlectroluminescentes, les nanocristaux sont utilisรฉs dans la couche active, leur intรฉrรชt repose sur la possibilitรฉ de balayer la majeure partie du spectre visible en faisant varier leur taille92,93. Nรฉanmoins leurs performances restent encore faibles comparรฉes aux dispositifs organiques dรป aux problรจ- mes dโinjection des charges dans les nanocristaux.
Mais lโapplication qui nous intรฉresse particuliรจrement concerne lโutilisation des nanocristaux conjointement ร des polymรจres conjuguรฉs dans des cellules photovoltaรฏques. En effet, les niveaux รฉlectroniques de certains nanocristaux sont tels quโils peuvent รชtre employรฉs comme le composant accepteur dโรฉlectron (paragraphe I-1-6). De nombreuses recherches ont vu le jour depuis que Greenham, Peng et Alivisatos ont dรฉmontrรฉ en 199641 quโun composite ร base dโun dรฉrivรฉ du poly(p-phรฉnylรจne-vinylรจne) et de nanocristaux sphรฉriques de CdSe est capable de sรฉparer et de transporter des charges photogรฉnรฉrรฉes. Actuellement, les rendements de conversion de la lumiรจre en รฉlectricitรฉ avec des systรจmes ร base de poly(3-hexylthiophรจne) et de nanorods de CdSe atteignent 2,6 %94. Nous reviendrons plus en dรฉtail sur ces systรจmes dans le paragraphe suivant consacrรฉ aux cellules solaires hybrides.
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Table des matiรจres
INTRODUCTION
CHAPITRE I : ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE
I-1 Polymรจres conjuguรฉs
I-1-1 Introduction
I-1-2 Les diffรฉrentes familles de polymรจres conjuguรฉs
I-1-3 Synthรจse des polymรจres conjuguรฉs
I-1-4 Structure รฉlectronique et propriรฉtรฉs optiques des polymรจres conjuguรฉs
I-1-5 Dopage des polymรจres conjuguรฉs
I-1-6 Applications des polymรจres conjuguรฉs
I-2 Nanocristaux de semi-conducteurs II-VI
I-2-1 Introduction
I-2-2 Structure des nanocristaux de CdSe
I-2-3 Propriรฉtรฉs รฉlectroniques et optiques des nanocristaux de semi-conducteurs
I-2-4 Synthรจse des nanocristaux de semi-conducteurs
I-2-5 Fonctionnalisation des nanocristaux
I-2-5 Applications des nanocristaux de semi-conducteurs II-VI
I-3 Cellules photovoltaรฏques ร base de polymรจres conjuguรฉs et de nanocristaux de semiconducteurs
I-3-1 Introduction
I-3-2 Principe de fonctionnement dโune hรฉtรฉrojonction en volume
I-3-3 Caractรฉristiques de la cellule photovoltaรฏque
I-3-4 Les cellules solaires ร base de nanocristaux de CdSe et de polymรจres conjuguรฉs
I-3-5 Motivations de la thรจse
I-4 Bibliographie
CHAPITRE II : SYNTHESE ET CARACTERISATION DES COMPOSANTS DES MATERIAUX HYBRIDES
II-1 Introduction
II-2 Synthรจse et caractรฉrisation du poly(3-hexylthiophรจne-co-3-(6-oxy-2,4-diaminopyrimidine) hexylthiophรจne)
II-2-1 Stratรฉgie de synthรจse
II-2-2 Synthรจse du 3-(6-bromohexyl)thiophรจne
II-2-3 Prรฉparation des monomรจres
II-2-4 Prรฉparation du polymรจre prรฉcurseur – poly(3-hexylthiophรจne-co-3-(6-bromohexyl)thiophรจne)
II-2-5 Analyse des masses molaires du polymรจre prรฉcurseur
II-2-6 Etudes spectroscopiques du poly(3-hexylthiophรจne-co-3-(6-bromohexylthiophรจne)
II-2-7 Prรฉparation du poly(3-hexylthiophรจne-co-3-(6-oxy-2,4-diamino pyrimidine)hexylthiophรจne) par postfonctionnalisation
II-2-8 Caractรฉrisation du poly(3-hexylthiophรจne-co-3-(6-oxy-2,4-diamino pyrimidine)hexylthiophรจne).
II-2-9 Conclusion
II-3 Prรฉparation et caractรฉrisation des nanocristaux de CdSe fonctionnalisรฉs avec le 1-(6- mercaptohexyl)thymine
II-3-1 Synthรจse des nanocristaux sphรฉriques de CdSe
II-3-2 Synthรจse du ligand
II-3-3 Fonctionnalisation des nanocristaux par le 1-(6-mercaptohexyl)thymine
II-3-4 Caractรฉrisation des nanocristaux fonctionnalisรฉs
II-3-5 Conclusion
II-4 Partie expรฉrimentale
II-4-1 Appareillage
II-4-2 Synthรจse du polymรจre
II-4-3 Synthรจse des nanocristaux sphรฉriques de CdSe
II-4-4 Synthรจse du ligand
II-4-5 Echange du ligand
II-5 Bibliographie
CHAPITRE III : MISE EN ลUVRE DES HYBRIDES, CARACTERISATION DES FILMS ET TESTS EN CELLULES PHOTOVOLTAรQUES
III-1 Introduction
III-2 Caractรฉrisation de lโinteraction par liaison hydrogรจne entre le poly (3-hexylthiophene-co-3- (6-oxy-2,4-diaminopyrimidine)hexylthiophene) et le 1-(6-mercaptohexyl)thymine
III-2-1 Dรฉtermination des constantes de dimรฉrisation et dโassociation
III-2-2 Effet des solvants sur la liaison hydrogรจne
III-3 Prรฉparation des matรฉriaux hybrides
III-3-1 Prรฉparation des matรฉriaux hybrides par un procรฉdรฉ ยซ one-pot ยป
III-3-2 Prรฉparation des matรฉriaux hybrides par la technique du dรฉpรดt couche par couche
III-3-3 Paramรจtres expรฉrimentaux influenรงant le dรฉpรดt couche par couche
III-3-4 Etude de la morphologie des films
III-3-5 Identification de la liaison hydrogรจne en tant que force de formation et de cohรฉsion des films.
III-3-6 Mesures รฉlectrochimiques et spectroรฉlectrochimiques
III-4 Test des matรฉriaux hybrides en cellules photovoltaรฏques
III-4-1 Fabrication des cellules
III-4-2 Tests sous illumination
III-4-3 Hybrides composรฉs du P3(HT-co-ODAPHT) et des nanocristaux de CdSe recouverts par la pyridine
III-5 Conclusion
III-6 Partie expรฉrimentale
III-6-1 Prรฉparation de lโhybride par la procรฉdure ยซ one-pot ยป
III-6-2 Prรฉparation de lโhybride par la technique du dรฉpรดt couche par couche
III-6-3 Prรฉparation des cellules photovoltaรฏques
III-7 Bibliographie
CONCLUSION
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