Il est nรฉcessaire de rappeler que la matiรจre qui nous environne est faite d’atomes et des molรฉcules ; la plupart des atomes ont tendance ร se lier entre eux pour former des groupements molรฉculaires stables. On sait que dans une molรฉcule, les atomes adoptent une disposition bien dรฉfinie. Par consรฉquent, la matiรจre se prรฉsente sous quatre (4) รฉtats biens prรฉcis qui sont : l’รฉtat gazeux, l’รฉtat liquide, l’รฉtat solide et le plasma. Autrement dit, la molรฉcule est composรฉe d’atomes que l’on peut voir comme des briques รฉlรฉmentaires qui peuvent s’assembler de plusieurs maniรจres:
– Si les briques s’assemblent pour former une molรฉcule. On a des gaz, des liquides, des polymรจres.
– Si les briques s’entassent de maniรจre irrรฉguliรจre. On a alors de la matiรจre dite amorphe ou vitreuse.
– Si les briques s’entassent de maniรจre rรฉguliรจre, on a un cristal.
Dรฉfinitions
La cristallographie est la science qui รฉtudie la structure des cristaux, l’organisation des atomes de ces cristaux. C’est donc une รฉtude scientifique des cristaux et des lois qui prรฉsident ร leur formation. Un rรฉseau cristallin est l’ensemble des points appelรฉs nลuds en trois dimensions qui prรฉsente la propriรฉtรฉ suivante : lorsque l’on se translate dans lโespace selon certains vecteurs, on retrouve exactement le mรชme environnement que celui ร l’origine.
Types de rรฉseaux fondamentaux
Les 14 rรฉseaux de Bravais (cubique P, cubique I, cubique F, hexagonal P, tรฉtragonal P, tรฉtragonal I, trigonal R, triclinique P, orthorhombique P, orthorhombique I, orthorhombique F, monoclinique P monoclinique C) correspondent ร 7 modes primitifs et 7 modes dรฉrivรฉs. Tout systรจme cristallin sera la dรฉrivรฉe de lโun des quatorze rรฉseaux de Bravais. Notation: C : maille simple, F: maille ร faces centrรฉes, I: maille centrรฉ, R: maille rhomboรฉdrique, P : maille primitive ;
Modes de croissance cristallineย
Le processus de cristallisation, c’est-ร -dire le processus de crรฉation d’un cristal, comporte deux รฉtapes. Le premier est la germination, terme dรฉsignant l’apparition d’une phase cristalline solide, le germe, ร partir d’une phase liquide ou gazeuse. La seconde รฉtape est la phase de croissance cristalline, processus par lequel les cristaux vont croรฎtre aprรจs germination. Cette croissance peut รชtre naturelle ou artificielle.
On peut observer :
– Le mode de croissance 2D ou Frank-van der Merwe
Dans ce mode de croissance, les adatomes vont s’รฉtaler de faรงon ร recouvrir l’intรฉgralitรฉ du substrat. Ce qui signifie que l’adsorbat mouille le substrat. Le remplissage d’une deuxiรจme ne commence que lorsque la couche juste en dessous de celle-ci soit entiรจrement complรฉtรฉe. La croissance est donc bidimensionelle d’oรน le suffixe 2D. Il se rencontre gรฉnรฉralement dans le cas oรน l’adsorbat et le substrat sont de mรชme nature chimique: homoรฉpitaxie. [2]
– Le mode de croissance 3D ou Volmer-Weber
Pour ce cas, les adatomes vont se regrouper et former des agrรฉgats ou รฎlots. Donc les cristaux isolรฉs nuclรฉรฉs (adatomes) s’empiรจtent et fusionnent sur le substrat pour former un film continu. Ainsi, l’adsorbat ne mouille pas le substrat et les atomes se dรฉveloppent directement sur la surface et croissent pour former des รฎlots 3D. Ce mode de croissance peut รชtre exploitรฉ pour rรฉaliser des nanostructures. En effet, presque tous les matรฉriaux polycristallins et les films รฉpitaxiaux subissent ce processus de croissance. Ce mode de croissance nous ramรจne ร une structure tridimensionnelle d’oรน le suffixe 3D.
– Le mode de croissance 2D/3D ou Stranski-Krastanov
Ce mode de croissance est le cas intermรฉdiaire entre le mode 2D et le mode 3D. Il se prรฉsente comme suit : aprรจs dรฉpรดts de quelques monocouches d’un matรฉriau fortement contraint sur un substrat, prรฉsentant un fort dรฉsaccord de maille, on observe la formation d’รฎlots. La surface libre ainsi crรฉรฉe permet de relaxer les contraintes รฉlastiques accumulรฉes. Si l’on poursuit le dรฉpรดt on observe une coalescence des รฎlots et, de nouveau, une surface lisse. Le film commence par pousser selon le mode couche par couche de Frank-van der Merwe, mais ร partir d’une certaine รฉpaisseur, la croissance devient du type Volmer-Weber et ainsi des รฎlots se forment. On passe donc d’une mode de croissance bidimensionnelle ร une mode de croissance tridimensionnelle d’oรน la notation 2D/3D. L’รฉpaisseur critique ร laquelle se produit le basculement d’un type de croissance ร un autre dรฉpend des propriรฉtรฉs physicochimiques du film et du substrat. Il est donc ร noter que le dรฉsaccord de maille entre les deux va jouer un rรดle important tout comme l’รฉcart entre les tensions de surface.
Relaxation et reconstruction de surface
Dans le premier cas, appelรฉ relaxation de surface, la symรฉtrie de la surface est conservรฉe, et on assiste ร un dรฉplacement rigide de toute la premiรจre couche atomique (seule la distance entre plans atomiques est modifiรฉe par rapport au volume en approchant la surface). Dans bien des cas cela consiste en une diminution de la distance entre le premier et le deuxiรจme plan atomique (fig 3,b),mais il peut aussi sโagir dโun dรฉplacement latรฉral ou bien dโune rotation de toute la couche.
Par contre, dans le second cas, cโest la structure cristallographique mรชme du plan de surface qui est modifiรฉe. Dans le cas gรฉnรฉral, on parle de reconstruction lorsquโune nouvelle symetrie de translation apparaรฎt ร la surface. Il sโagit, dans ce cas-ci, dโun rรฉarengement local des atomes par rapport ร leur position dโรฉquilibre dans le volume, qui fait apparaรฎtre une superstructure ร la surface (fig 4 ). La plus connue est certainement la reconstruction dite (7×7) de la surface (111) du silicium. La reconstruction de surface rรฉsulte donc dโune organisation pรฉriodique des atomes de surface diffรฉrente de celle quโils ont dans le matรฉriau massif, afin de minimiser lโยดรฉnergie de surface, et de limiter le nombre de liaisons pendantes. Ainsi, lโรฉtude des surfaces ne pourra se faire que sous ultra-vide.
Les diffรฉrentes techniques dโรฉlaboration des couches mincesย
La technique de dรฉpรดt des couches minces est rรฉpartie en deux domaines. Il existe : les processus physiques (PVD: Physical Vapor Deposition) et les processus chimiques (CVD: Chemical Vapor Deposition). Chaque processus est ensuite subdivisรฉ de telles sortes que pour les mรฉthodes physiques, qui se fait surtout par รฉvaporation ; on retrouve les techniques de dรฉpรดts classiques de la microรฉlectronique comme la Pulvรฉrisation Cathodique, l’Epitaxie par Jets Molรฉculaires (MBE: Molecular Beam Epitaxy), le Dรฉpรดt par Laser Pulsรฉ (PLD: Pulsed Laser Deposition) et l’รฉvaporation par faisceau d’รฉlectrons. Le second processus, se scinde en deux selon qu’on ait des dรฉpรดts en solution ou des dรฉpรดts en phase vapeur. On peut citer la technique du sol-gel, le Dรฉpรดt en Phase Vapeur d’Organo-Mรฉtalliques(MOCVD: Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) et le PECVD.
Principe de fonctionnement
Les techniques de pulvรฉrisation cathodique sont gรฉnรฉralement utilisรฉes pour dรฉposer toutes sortes de matรฉriaux : mรฉtaux, matรฉriaux rรฉfractaires, diรฉlectriques, cรฉramiques. Son principe est de bombarder la surface du matรฉriau ร dรฉposer par les ions d’un gaz neutre (trรจs souvent l’argon). Lors du choc sur la surface, ceux-ci communiquent leur รฉnergie cinรฉtique. L’รฉjection de particules a alors lieu et ces derniรจres viennent se dรฉposer sur le substrat. L’ionisation des atomes de gaz neutre est obtenue par chocs avec les รฉlectrons libres, toujours prรฉsents dans un gaz, accรฉlรฉrรฉs par une diffรฉrence de potentiel entre la cathode, oรน est installรฉe la cible du matรฉriau ร dรฉposer et le substrat qui est la masse. Une fois les atomes ionisรฉs positivement, ils sont accรฉlรฉrรฉs vers la cathode.
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Table des matiรจres
INTRODUCTION GENERALE
Chapitre 1 : RAPPELS DE CRISTALLOGRAPHIE ET CROISSANCE CRISTALLINE
1.1 Introduction
1.2 Dรฉfinitions
1.3 Types de rรฉseaux fondamentaux
1.4 Modes de croissance cristalline
1.5 Relaxation et reconstruction de surface
1.6 Paramรจtres cristallins du systรจme ร รฉtudier
Chapitre 2 : GENERALITES SUR LA COUCHE MINCE
2.1 Dรฉfinition
2.2 Les diffรฉrentes techniques dโรฉlaboration des couches minces
2.2.1 La pulvรฉrisation cathodique
2.2.1.1 Principe de fonctionnement
2.2.1.2 Les diffรฉrents types de pulvรฉrisation cathodique
2.2.2 LโEpitaxie par Jets Molรฉculaires (MBE : Molecular Beam Epitaxy)
2.2.3 Le Dรฉpรดt par Laser Pulsรฉ (PLD : Pulsed Laser Deposition)
2.2.4 La technique de dรฉposition sol-gel
2.2.5 Le dรฉpรดt en Phase Vapeur dโOrgano-Mรฉtalliques (MOCVD)
2.3 Les techniques de caractรฉrisation des couches minces
Chapitre 3: METHODE DE LA SIMULATION NUMERIQUE
3. Introduction
3.1 Ensemble Statistique
3.1.1 Notion dโensemble statistique
3.1.2 Ensemble microcanonique (NVE)
3.1.3 Ensemble canonique (NVT ou NVB)
3.1.4 Ensemble isobare isotherme (NPT ou NPฮฒ)
3.1.5 Ensemble grand canonique (ยต VT ou ยต NPB)
3.2 La Dynamique molรฉculaire
3.2.1 Equation de mouvement
3.2.2 Discrรฉtisation. Algorithme de Verlet
3.2.3 Architecture dโun programme de dynamique molรฉculaire
3.2.3 Dynamique molรฉculaire dans dโautres ensembles
3.3 Effet de bord et interaction ร longue distance
3.4 Le Potentiel Interatomique EAM
3.4.1 Forme analytique du potentiel EAM
3.4.2 Allure du potentiel EAM
Chapitre 4 : APPLICATION AU SYSTEME Fe/Co et Fe/Ni PAR SIMULATION DYNAMIQUE MOLECULAIRE
4.1 Introduction
4.2 Etude de la croissance
4.2.1 Rรฉsultat pour le cas du systรจme Fe/Co(111)
4.2.2 Rรฉsultat pour le cas du systรจme Fe/Ni(111)
4.3 Etude des structures cristallines
4.3.1 Rรฉsultat pour le cas du systรจme Fe/Co(111)
4.3.2 Rรฉsultat pour le cas du systรจme Fe/Ni(111)
4.4 Discussion et comparaison de Fe/Co et Fe/Ni
CONCLUSION GENERALE
Rรฉfรฉrences