Les ondes électromagnétiques

Table des matières

INTRODUCTION
I. Présentation générale des systèmes radar
I.1 Introduction
I.2 Principes généraux des radars
Utilisation des hyperfréquences dans les systèmes radars
I.2.1.1 Caractéristiques d’une onde radar
I.2.1.2 Utilisation des impulsions radar pour la localisation de cibles
Emission et réception
Equations radar
I.3 Le critère de stabilité pulse à pulse dans les radars
Définition des instabilités pulse à pulse
I.3.1.1 Représentation vectorielle de Fresnel
I.3.1.2 Représentation dans le domaine temporel
I.3.1.3 Les causes aléatoires d’instabilité pulse à pulse
I.3.1.4 Les causes déterministes d’instabilité
Les méthodes de calcul de la stabilité pulse à pulse
I.3.2.1 Stabilité calculée par méthode écart-type
I.3.2.2 Stabilité calculée par méthode RMS (Root Mean Square)
I.4 Conclusion
II. L’amplification de puissance en technologie HEMT GaN
II.1 Introduction
II.2 Le transistor HEMT GaN de puissance
Le Nitrure de Gallium
Le transistor HEMT GaN
Caractéristiques spécifiques des HEMTs GaN pour les applications radar en bande S
II.3 Modèle non linéaire initial du transistor HEMT GaN 8×250 µm
Méthodes générales de modélisation non linéaire du HEMT
II.3.1.1 Modèle électrique petit signal
II.3.1.2 Modèle électrique non linéaire
II.3.1.2.1 La source de courant non-linéaire IDS
II.3.1.2.2 Les diodes non linéaires
II.3.1.2.3 L’effet d’avalanche
II.3.1.2.4 Les capacités non-linéaires
II.3.1.2.5 La dépendance thermique des éléments du modèle
Validation du modèle non linéaire du HEMT GaN (8×250μm) en régime pulsé
II.3.2.1 Validation I-V
II.3.2.2 Validation en paramètres [S]
II.3.2.3 Validation en forte puissance
II.4 Méthode de conception pour l’amplification haut rendement large-bande
Conception du réseau d’adaptation
Application à un démonstrateur GaN HEMT (8×250µm) 10W en bande S
II.4.2.1 Résultats de conception
II.4.2.2 Validation en mesures impulsionnelles fort-signal load-pull
CONCLUSION