Le silicium monocristallin

Table des matières

Introduction générale
Chapitre I: Les semiconducteurs- Silicium et composés III-V
I-1 Isolant, semi-conducteur et conducteur
I-2 Différents types de dopage
I-3 Courants dans les semi-conducteurs
I-4 Semi-conducteurs usuels
I-5 Le Silicium en électronique
I-5-1 Différents types de dopage
I-5-2 Obtention d’un silicium de qualité électronique
I-5-3 Silicium et Rendement des cellules solaires
I-6 Les semi-conducteurs III-V
I-6-1 Les matériaux semi-conducteurs III-V
I-6-2 Les composes III-V
I-6-3 La structure cristallographique des composes III-V
I-6-4 Discontinuité de bandes aux hétérojonctions “offset”∆E
I-6-5 Nature de la bande de conduction du matériau Ga (1-x) Al x C As
I-6-6 Modèle d’Anderson d’une hétérojonction
Chapitre II: La conversion photovoltaïque
II-1 Introduction
II-2 Soleil et son énergie inépuisable
II-3 Nombre de masse (AM)
II-4 Les constituants de base d’une cellule photovoltaïque
II-5 La conversion photovoltaïque
II-6 Cellules photovoltaïques
II-7 Modèle équivalent
II-8 Paramètres essentiels caractérisant une cellule solaire
II-9 Cellule solaire GaAs / GaAlAs
Chapitre III: Logiciel de simulation PC1D
III-1 Introduction
III-2 Le PC1D
III-3 Les paramètre du dispositif (Device)
III-4 Les paramètre des régions
III-5 Les Paramètres d’excitation
III-6 Visualisation des résultats
III-7 Identification du matériau
III-8 Le fonctionnement du PC1D
III-9 Structure à simuler
Chapitre IV: Simulation et Résultas
IV-1 Introduction
IV-2 Simulation d’une cellule à base de silicium
IV-2-1 Cellule solaire de type n+ / p avec et sans texturation
IV-2-2 Effet de la température sur la cellule de type n+ / p avec et texturation 52
IV-2-3 Effet du dopage de l’émetteur
IV-2-4 Effet du dopage de la base
IV-2-5 Cellule n+ / p avec la couche arrière dopée p+
IV-3 Simulation d’une cellule solaire à base de GaAs et GaAlAs
IV-3-1 Cellule solaire à base de GaAs avec fenêtre..GaAlAs.
IV-3-2 Cellule solaire à base de GaAs sans fenêtre
IV-3-3 Cellule solaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs sans fenêtre
IV-4 Conclusion
Conclusion générale