Le silicium microcristallin

Table des matières

INTRODUCTION GENERALE
Chapitre I : ASPECTS GENERAUX SUR LE SILICIUM MICROCRISTALLIN
I. 1. Aspects généraux sur le silicium cristallin, amorphe et microcristallin
I.1.1Rappels sur la structure cristalline et électronique du silicium cristallin
1.1.2. L’état amorphe
I.1.3. Le silicium microcristallin μc-Si:H
I.1.3.1. Aspect généraux sur le silicium microcristallin
I.1.3.2. Mécanisme de croissance
I.1.3.3. Propriétés électroniques
I.1.3.4. Stabilité du silicium microcristallin
I.1.3.5. Post-oxydation.
REFERENCES
CHAPITRE II : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
II. 1. Technique d’élaboration
II. 1. 1. La pulvérisation cathodique
II. 1. 1. a. Principe général
II. 1. 1. b. La pulvérisation cathodique haute fréquence
II. 1. 1. c. Cathode magnétron
II. 1. 1. d. Mécanisme de pulvérisation
II. 1. 1. e. Description du réacteur
II. 1. 1. f. Conditions de dépôt par le procédé de pulvérisation
II. 2. Technique de caractérisation
II. 2. 1. Spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier (FTIR
II. 2. 1. a. Appareillage
II. 2. 1. b. Variété des liaisons silicium-hydrogène
II. 2. 1. c. Contenu total d’hydrogène lié
II. 2. 1. d. Procédure de traitement d’un spectre de transmission infrarouge
II. 2. 2. Ellipsométrie spectroscopique à modulation de phase
II. 2. 2. a. Principe
II. 2. 2. b. Description du système de mesure
II. 2. 3. Spectroscopie Raman
II. 2. 4. La transmission optique
II. 2. 4. a. méthode de Swanepoel
II. 3. Fonction diélectrique complexe des semiconducteurs cristallins et amorphes
II. 4. Théorie des milieux effectifs
II. 5. Les modèles de dispersion
II. 5. 1. Le modèle de Cauchy
II. 5. 2. Le modèle classique (L’oscillateur de Lorentz
II. 5. 3. Le modèle de Forouhi-Bloomer
II. 5. 4. Le modèle de Tauc-Lorentz
REFERENCES
CHAPITRE III : RESULTATS EXPERIMENTAUX PARTIE A : EFFET DE LA TEMPERATURE ET DE PRESSION SUR LES PROPRIETES STRUCTURALES
Introduction
III. A. 1. Conditions de dépôt
III. A. 2. Analyse par spectroscopie Raman
III. A. 3. Analyse ellipsométrique
III. A. 3. 1. Description du spectre de la fonction diélectrique
III. A. 3. 2. Analyse quantitative des mesures ellipsométrique
III. A. 4. Conclusion
PARTIE B : EFFET DE LA PUISSANCE RF SUR LES PROPRIETES OPTIQUES ET STRUCTURALES
Introduction
III. B. 1. Conditions de dépôt
III. B. 2. La vitesse de croissance
III. B. 3. Analyse ellipsométrique
III. B. 3. a. Analyse quantitative des résultats
III. B. 4. Etude par spectroscopie infrarouge FTIR
III. B. 4. a. Mode wagging
III. B. 4. b. Concentration de l’hydrogène
III. B. 4. c. Mode stretching
III. B. 5. Analyse par la transmission optique
III. B. 6. Conclusion
REFERENCES
CONCLUSION GENERALE