La miniaturisation des composants électroniques

Table des matières

INTRODUCTION GENERALE
CHAPITRE I : ETAT DE L’ART DE LA TECHNOLOGIE DES MEMOIRES NON-VOLATILES
I.1 LES MEMOIRES A SEMI-CONDUCTEURS
I.1.1 Mémoires volatiles
I.1.1.1 SRAM
I.1.1.2 DRAM
I.1.2 Mémoires non volatiles
I.1.2.1 NOVRAM
I.1.2.2 ROM
I.1.2.3 EPROM
I.1.2.4 EEPROM
I.1.2.5 Flash EEPROM
I.1.3 Mémoires émergentes
I.1.3.1 MRAM
I.1.3.2 Les mémoires à changement de phase
I.1.4 Marché des mémoires à semi-conducteurs
I.2 TECHNOLOGIE DES MEMOIRES NON VOLATILES
I.2.1 Technologies à grille flottante
I.2.2 Technologies à piégeage de charges
I.2.2.1 Technologies MNOS et SNOS
I.2.2.2 Technologie SONOS
I.2.3 Technologie ferroélectrique
I.3 MEMOIRE EEPROM
I.3.1 Structure de la cellule mémoire EEPROM
I.3.2 Principe de fonctionnement
I.3.3 Architecture des matrices mémoires EEPROM
I.4 FIABILITE DES MNV A GRILLE FLOTTANTE
I.4.1 Endurance
I.4.2 Rétention
I.4.2.1 Mécanismes intrinsèques de perte de charge
I.4.2.2 Mécanismes extrinsèques de perte de charge
I.4.2.3 Test en rétention
I.4.3 Modèles prédictifs de rétention de données
I.4.3.1 Modèle en 1/T
I.4.3.2 Modèle en T
CONCLUSION
Références bibliographiques du chapitre I
CHAPITRE II : MODELISATION DE LA CELLULE MEMOIRE EEPROM
II.1 EFFET TUNNEL DANS LES OXYDES MINCES
II.1.1 Transparence tunnel
II.1.2 Effet tunnel dans les structures MOS et SOS
II.1.3 Barrière triangulaire : mécanisme d’injection FN
II.2 MODELISATION DE LA CELLULE EEPROM
II.2.1 Modélisation du transistor d’état
II.2.1.1 Modèle statique du courant de drain
II.2.1.2 Modèle dynamique
II.2.2 Modélisation de la capacité de la zone tunnel
II.2.2.1 Capacité constante
II.2.2.2 Prise en compte de la capacité de substrat
II.2.2.3 Prise en compte de la désertion de grille flottante
II.2.2.4 Comparatif
II.2.3 Modélisation du transistor de sélection
II.2.4 Bilan des paramètres du modèle
II.3 EXTRACTION DES PARAMETRES
II.3.1 Méthodologie
II.3.2 Extraction de α et β
II.3.2.1 Méthode générale
II.3.2.2 Approche de Croci et al
II.3.2.3 Analyse de Chiou et al
II.3.3 Mesures Ctun(Vgb) et IFN(Vgb)
CONCLUSION GENERALE