Généralité de la Nitrure de Gallium

Table des matières

Introduction
Chapitre 1 : Généralité de la Nitrure de Gallium
I- Introduction
II- Nitrure de Gallium
1- Définition
2- Les propriétés électriques du GaN
3- Propriété thermique du GaN
4- Les avantages et les domaines d’application associée du GaN
III- L’isolant SiO2
1- Propriété électrique de l’isolant SiO2
2- Différents types de charges dans l’oxyde
IV- Conclusion .
Chapitre 2 : Structure Métal/Isolant/Semi-conducteur (MIS)
I- Introduction
II- Concepts de base
1- Diagramme de bande
2- Contact ohmique : Contact SCHOTTKY
III- Structure Métal/isolant/semi-conducteur (MIS) idéale
1- Définition
2- Régime d’équilibre thermodynamique
3- Régime d’accumulation
4- Régime de déplétion.
5- Régime de forte inversion
6- Modélisation
7- Résume
IV- Capacité de la structure
1- Capacité de semi-conducteur
2- Capacité de l’isolant
3- Capacité total
4- Caractéristique C-V théorique pour une structure MIS
V- Structure MIS réelle
1- Définition
VI- Méthode de Terman
1- Introduction
2- Propriété des états d’interface
3- Effet des états d’interface sur la courbe C-V
4- Capacité d’états d’interface
5- Méthode de haute fréquence (méthode de Terman)
VII- Conclusion
Chapitre3 : Résultats expérimentaux et analyse
I- Introduction
II- Résultats de la capacité-tension pour 1MHz
1- Caractéristique capacité-tension C(VG)
2- Caractéristique VS(VG)
3- Densité d’état d’interface pour 1MHz
III- Comparaison des résultats pour différence fréquence
1- Caractéristique capacité tension C(VG)
2- Densité d’état d’interface
3- Comparaison des résultats
IV- Conclusion
Conclusion générale
Référence bibliographique