Analyse Enthalpique Différentielle (D.S.C) 

Table des matières

Introduction générale
Chapitre I Généralités sur les verres
I.1. Introduction
I.2. Histoire
I.3. Les solides non cristallins et les verres
I.4. Système vitreux
I.5. Classification des verres
I.5.1 Verres naturels
I.5.2 Les verres d’origine minérale
I.5.3 Les verres géologiques
I.5.4. Les verres lunaires
I.5.5. Les verres d’origine biochimique
I.5.6. Les diatomites
I.5.7. Les spicules
I.5.8. Verres artificiels
I.5.9. Verres d’oxydes
I.5.10. Verres à un composant (formateurs de réseau)
I.5.11. Verres formés par l’association de plusieurs formateurs
I.5.12. Verres formés par l’association des formateurs avec d’autres oxydes
I.5.13. La silice
I.5.14. Les vitrocéramiques
I.5.15. Les verres fluorés
I.5.16. Les verres chalcogènures
I.6. Le sélénium Se
I.6.1 Sélénium vitreux
I.7. Antimoine Sb
I.8. L’indium In
I.9. Le zinc Zn
I.11. Système SeZn
I.12. Système SeXSb (X=In, Zn)
I.13. Applications optiques récentes
I.13.1. Verres laser
I.13.2. Fibre optique
I.13.3. Effet de commutation « switching »
I.13.4. Xérographie et radiographie par rayons X
I.13.5. Holographie
I.13.6. Imagerie thermique
I.13.7. Détection d’infrarouge
I.13.8. Les verres chalcogénures basé en guide d’onde pour les biocapteurs
Chapitre II Les théories cinétiques de la cristallisation
II.1. Théorie des cinétiques de cristallisation
II.1.1. les mécanismes de la cristallisation
II.1.1.A. Germination
II.1.1.B. Croissance cristalline
II.2. Conditions cinétiques générales de cristallisation
II.3.Théorie classique de germination
II.3.1. Germination homogène
II.3.2.Germination hétérogène
II..5.. Détermination les paramètres de cristallisation
II.5.1. Régime isotherme
II.5.2. Régime dynamique
II.5.2.A. Methode de Kissinger
II.5.2.B. Méthode de Gao
II.5.2.C. Méthode d’Ozawa
II.5.2.D. Modèle de Matusita
Chapitre III Modèles de conduction 
III.1. Introduction
III.2 Etude la conductivité continue en fonction de la température T
III.2.1 Etats localisés de la bande de conduction
III.2.2 Etats localisés au voisinage du niveau de fermi
III.2.3. Mécanisme thermiquement activé
III.2.4. Théorie du saut à distance variable
III.2.4.A. Evolution de la probabilité P par unité de temps
III.2.4.B. Calcul de la conductivité σ liée à ce mécanisme
III.2.4.C. Condition de saut à distance variable
III.2.4.D. Utilisation de la formule de Mott
Chapitre IV Méthodes de fabrication et de caractérisation
IV.1. Protocole de fabrication des échantillons massifs
IV.1.2. Contrôle des compositions
IV.2. Analyse Enthalpique Différentielle (D.S.C)
IV.2.1. Introduction
II.2.2. Description de l’appareillage
II.2.3. Caractéristiques de DSC 92
II.3. Dépôt par évaporation
II.3.1. Définition d’une couche mince
II.3.2. Les différentes techniques de dépôt
II.3.3. Choix d’une technique de dépôt en couches minces
II.3.4. Dépôt par évaporation
II.3.5. Description d’un ensemble d’évaporation sous vide
IV.3.6. Déroulement d’évaporation par effet joule
IV.3.7. Evaporation flash
IV.4. Méthodes de mesure électrique
IV.4.1. Mesure de la résistivité par la méthode de quatre pointes
IV.4.2. Méthode de VALDES
IV.4.3. Facteur de correction
IV.4.4. Méthode de Van Der Pauw
IV.4.4.A. Theoreme de Van Der Pauw
IV.4.4.B. Facteur de correction
Chapitre V Résultats et discussion 
V.1. Etude thermique
V.1.2. Zone de la transition vitreuse
V.1.3 Zone de la cristallisation
V.1.3.1 Détermination des paramètres de la cristallisation
V.1.3.3 Méthode de Matusita
V.1.3.4 Méthode de Kissinger et Ozawa
V.1.3.4.1. Méthode de Kissinger
V.1.3.4.2. Méthode d’Ozawa
V.3. Etude électrique
V.3.1. Préparation de l’échantillon
V.3.2. Mesure électrique pour un intervalle de température [123K-263K]
V.3.2.1. Evaluation des paramètres de Mott
V.3.2.1.1. La détermination des paramètres 0  et 0 T
V.3.2.1.2 Calcul de la densité d’état NEF et de longueur de localisation 1 
V.3.3. Mesure électrique pour un intervalle de température [273K-403K]
V.3.3.1 Détermination des paramètres pour le mécanisme thermiquement activé
Conclusion générale