MODELISATION ET COMPARAISON DES GENERATEURS ELECTROMAGNETIQUE, PIEZOELECTRIQUE ET ELECTROSTATIQUE

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Rรฉcupรฉration dโ€™รฉnergie ร  partir des vibrations ambiantes

Un rรฉcupรฉrateur dโ€™รฉnergie ร  partir de vibrations se compose typiquement de 4 unitรฉs : un dispositif mรฉcanique permettant dโ€™optimiser les vibrations mรฉcaniques, un dispositif รฉlectromรฉcanique dont lโ€™objectif est de convertir lโ€™รฉnergie mรฉcanique en รฉnergie รฉlectrique ou un transducteur, un circuit รฉlectrique dโ€™extraction qui va effectuer la conversion de lโ€™รฉnergie รฉlectrique rรฉcupรฉrรฉe en รฉnergie รฉlectrique exploitable, et enfin un dispositif de gestion et stockage de lโ€™รฉnergie [1]. La structure classique dโ€™un systรจme de rรฉcupรฉration dโ€™รฉnergie est prรฉsentรฉe ร  la Fig. 1.3.
Lโ€™amรฉlioration de la densitรฉ de puissance des gรฉnรฉrateurs et de leur bande passante nรฉcessite lโ€™optimisation de chaque unitรฉ de conversion. Beaucoup des rรฉcupรฉrateurs dโ€™รฉnergie dรฉveloppรฉs ร  ce jour sont basรฉs sur un systรจme mรฉcanique rรฉsonant de type masse – ressort. Pour ces systรจmes, plus le facteur de qualitรฉ mรฉcanique est รฉlevรฉ, plus la puissance chute fortement dรจs que lโ€™on sโ€™รฉloigne de la frรฉquence de rรฉsonance du gรฉnรฉrateur. Des structures innovantes ont รฉtรฉ dรฉveloppรฉes dans le but de proposer une alternative ร  ces systรจmes rรฉsonants, et dโ€™รฉlargir ainsi la plage dโ€™application des microgรฉnรฉrateurs. Il y a des propositions par exemple dโ€™ajuster la frรฉquence de rรฉsonance du gรฉnรฉrateur en fonction de la vibration extรฉrieure, ou bien de juxtaposer une sรฉrie de transducteurs ร  frรฉquences de rรฉsonance รฉchelonnรฉes dans lโ€™objectif dโ€™augmenter la bande passante rรฉcupรฉrรฉe.
Des systรจmes de conversion รฉlectromรฉcanique, et plusieurs diffรฉrents modes de transduction ont รฉtรฉ dรฉveloppรฉs, dont les caractรฉristiques et diffรฉrences seront dรฉtaillรฉes dans le paragraphe 1.2.1.
Enfin, des groupes de recherche se sont focalisรฉs sur lโ€™amรฉlioration du circuit dโ€™extraction, dรฉveloppant des circuits permettant le moins de pertes possibles, ou basรฉs sur des techniques non linรฉaires dโ€™extraction de lโ€™รฉnergie. En effet la Fig. 1.4 montre les รฉnergies mises en jeu lors du processus de rรฉcupรฉration dโ€™รฉnergie.

Conversion รฉlectromรฉcanique

De maniรจre gรฉnรฉrale, les rรฉcupรฉrateurs dโ€™รฉnergie vibratoire sont basรฉs sur des systรจmes rรฉsonants accordรฉs ร  la frรฉquence de la source [7]. Rรฉcupรฉrer le maximum dโ€™รฉnergie implique donc, une analyse poussรฉe de la source vibratoire suivie dโ€™un rรฉglage fin de la frรฉquence de rรฉsonance du rรฉcupรฉrateur. Plusieurs technologies ont รฉtรฉ mises en jeu prรฉsentant diffรฉrents avantages ou inconvรฉnients, notamment selon lโ€™application envisagรฉe. Les plus classiques concernent lโ€™exploitation de systรจmes รฉlectromagnรฉtiques, piรฉzoรฉlectriques ou รฉlectrostatiques.

Transduction รฉlectromagnรฉtique

Un transducteur de type รฉlectromagnรฉtique simple se compose dโ€™un ou plusieurs aimants crรฉant un champ magnรฉtique constant, et dโ€™une bobine plongรฉe dans ce champ. Un systรจme mรฉcanique (classiquement rรฉsonant) tel quโ€™une poutre encastrรฉe comme indiquรฉ sur la Fig. 1.5 ou un ressort permet de gรฉnรฉrer un dรฉplacement relatif u(t) entre lโ€™aimant et la bobine lorsque le systรจme est excitรฉ par une vibration y(t). Le changement au cours du temps du flux magnรฉtique ร  travers la surface entourรฉe par la bobine crรฉรฉ une tension V proportionnelle ร  la vitesse de changement du flux magnรฉtique et au nombre de tours N de la bobine, selon la loi de Faraday.
Une culasse ferromagnรฉtique peut รฉventuellement รชtre ajoutรฉe autour de lโ€™aimant dans lโ€™objectif de canaliser les lignes de champ. Il existe de nombreuses maniรจres diffรฉrentes de disposer le ou les aimants par rapport ร  la bobine. Les systรจmes รฉlectromagnรฉtiques prรฉsentent lโ€™avantage dโ€™une mise en ล“uvre simple, avec des รฉlรฉments technologiquement bien connus et performants. Ils permettent de gรฉnรฉrer de forts niveaux de courant au dรฉtriment de tensions faibles. Ces systรจmes sont en outre bien adaptรฉs pour des vibrations de forte amplitude, telles que celles liรฉes aux mouvements du corps humain. Lโ€™intรฉgration ร  lโ€™รฉchelle micromรฉtrique est ร  priori difficile, du fait des faibles performances des aimants de tailles micromรฉtriques et de lโ€™augmentation des pertes rรฉsistives lors de la miniaturisation. La figure 1.5 montre un exemple du transducteur รฉlectromagnรฉtique. + +– Aimant Bobine

Transduction piรฉzoรฉlectrique

Les transducteurs piรฉzoรฉlectriques reposent sur la propriรฉtรฉ quโ€™ont certains matรฉriaux non conducteurs de se polariser รฉlectriquement sous lโ€™action dโ€™une contrainte mรฉcanique (effet direct), et inversement de se dรฉformer mรฉcaniquement sous lโ€™application dโ€™un champ รฉlectrique (effet inverse). Dans le cas de la rรฉcupรฉration dโ€™รฉnergie, lโ€™effet piรฉzoรฉlectrique direct est gรฉnรฉralement exploitรฉ en couplant une cรฉramique PZT ร  une structure rรฉsonante qui lui impose une dรฉformation. La structure mรฉcanique est dans la majoritรฉ des cas une poutre encastrรฉe, sur laquelle une ou plusieurs cรฉramiques sont liรฉes. Les vibrations de la poutre induisent une dรฉformation du matรฉriau piรฉzoรฉlectrique, crรฉant ainsi sa polarisation. Les systรจmes piรฉzoรฉlectriques contrairement aux systรจmes รฉlectromagnรฉtiques produisent de forts niveaux de tensions pour de plus faibles courants, et sont adaptรฉs ร  des systรจmes ร  faible amplitude de dรฉplacement. Ils prรฉsentent lโ€™avantage dโ€™รชtre plus adaptรฉs aux techniques de fabrications MEMS et facilement miniaturisables. La figure 1.6 montre un exemple de la structure dโ€™un transducteur piรฉzoรฉlectrique. + V –

Transduction รฉlectrostatique

Les gรฉnรฉrateurs de type รฉlectrostatique sont composรฉs de deux plateaux รฉlectriques isolรฉes entre elles et prรฉchargรฉes qui vont avoir un dรฉplacement relatif lโ€™une par rapport ร  lโ€™autre sous lโ€™effet des vibrations extรฉrieures. Si le gรฉnรฉrateur opรจre ร  charge constante, la diminution de la capacitรฉ du gรฉnรฉrateur induite par la variation de distance entre les deux plaques, aura pour effet dโ€™augmenter la tension aux bornes du gรฉnรฉrateur, et de ce fait augmente lโ€™รฉnergie potentielle stockรฉe dans le condensateur. De la mรชme maniรจre, en fixant la tension, le mouvement des plaques a pour effet la production dโ€™un courant dรป au mouvement des charges.
Malgrรฉ une densitรฉ de puissance ร  priori moins importants quโ€™avec dโ€™autres modes de transduction, et lโ€™inconvรฉnient de nรฉcessiter une source de tension annexe, les gรฉnรฉrateurs de ce type prรฉsentent lโ€™avantage dโ€™รชtre particuliรจrement bien adaptรฉs ร  des rรฉalisations de dimensions microscopiques, et ont donc fait lโ€™objet de nombreuses rรฉalisations avec des techniques de fabrication de type MicroElectroMecanicSystem(MEMS). La figure 1.7 montre des diffรฉrents mรฉcanismes รฉlectrostatiques.
a) Type de fermeture de lโ€™intervalle : la capacitรฉ change en changeant lโ€™espace entre les doigts ; b) Type de chevauchement dโ€™avion : la capacitรฉ change en changeant la zone de chevauchement des doigts ; c) Type de fermeture hors-plan : la capacitรฉ change en changeant d’espace entre deux grandes plaques [8]
d) Autres modes de transduction
Dโ€™autres microgรฉnรฉrateurs font appel aux propriรฉtรฉs magnรฉtostrictives des matรฉriaux ferromagnรฉtiques, cโ€™est ร  dire leur capacitรฉ de se dรฉformer sous lโ€™application dโ€™un champ magnรฉtique. Le matรฉriau le plus couramment employรฉ, du fait de ses bonnes propriรฉtรฉs magnรฉtostrictives, est le Terfรฉnol D : ร  saturation magnรฉtique, la dรฉformation relative maximale de ce matรฉriau peut atteindre 1,6 ฮท. Dans le cadre de la rรฉcupรฉration dโ€™รฉnergie, des gรฉnรฉrateurs ont รฉtรฉ dรฉveloppรฉs mettant en ล“uvre lโ€™effet magnรฉtostrictif seul.Par exemple Wang et Yuan ont exploitรฉ lโ€™effet magnรฉtostrictif inverse, en plaรงant un matรฉriau magnรฉtostrictif directement sur une poutre [4]. La dรฉformation du matรฉriau, induite par la vibration de la poutre, gรฉnรจre un champ magnรฉtique variable ร  lโ€™intรฉrieur dโ€™une bobine, crรฉant un courant รฉlectrique dans cette derniรจre par la loi de Faraday. Leur prototype rรฉcupรจre 200 et 0,15 V ร  58 Hz.
Une deuxiรจme approche pour lโ€™utilisation des propriรฉtรฉs du Terfรฉnol D est lโ€™exploitation des contraintes importantes gรฉnรฉrรฉes pour dรฉformer un matรฉriau piรฉzoรฉlectrique pris en sandwich entre deux plaques magnรฉtostrictives. Ce type de convertisseur hybride PZT-Terfรฉnol a par exemple รฉtรฉ mis en ล“uvre par Dai, Wen, Li, Yang et Hang de lโ€™Universitรฉ de Chongqing en Chine, qui rรฉcupรจrent une puissance de 1,1 mW pour 9.8 / 2 dโ€™accรฉlรฉration, ร  50 Hz [4].

Circuit dโ€™extraction de lโ€™รฉnergie

Lโ€™รฉnergie รฉlectrique gรฉnรฉrรฉe par le transducteur nโ€™est pas directement exploitable pour alimenter un dispositif de stockage. Un circuit dโ€™extraction de lโ€™รฉnergie reprรฉsentรฉ sur la Fig.1.9 doit รชtre utilisรฉ, et ses performances optimisรฉes pour convertir de maniรจre optimale lโ€™รฉnergie rรฉcupรฉrรฉe. Son rรดle principal est de convertir les tensions alternatives gรฉnรฉrรฉes en tensions continues, dโ€™adapter leurs niveaux ร  ceux nรฉcessitรฉs par le systรจme de stockage utilisรฉ, et de les rรฉguler de maniรจre ร  gรฉnรฉrer des tensions indรฉpendantes de la source ou des variations de charge. Enfin, les pertes engendrรฉes doivent รชtre minimisรฉes et cette conversion doit รชtre effectuรฉe de maniรจre autonome, cโ€™est ร  dire sans nรฉcessiter de source de puissance extรฉrieure. La structure du circuit doit รฉgalement tenir compte des caractรฉristiques รฉlectriques du gรฉnรฉrateur, par exemple de son impรฉdance ou des tensions gรฉnรฉrรฉes.
Le premier รฉtage de conversion est composรฉ dโ€™un redresseur permettant de convertir les tensions alternatives gรฉnรฉrรฉes aux bornes dโ€™un รฉlรฉment piรฉzoรฉlectrique ou dans la bobine dโ€™un gรฉnรฉrateur รฉlectromagnรฉtique en tensions continues. Pour faire face aux faibles tensions gรฉnรฉrรฉes par des gรฉnรฉrateurs รฉlectromagnรฉtiques non optimisรฉs, par des gรฉnรฉrateurs de type MEMS, ou sous faible amplitude de sollicitation, des solutions dรฉdiรฉes ont รฉtรฉ dรฉveloppรฉes permettant la conversion de trรจs basses tensions. En 2007,Marzencki, Ammar et Basrour du laboratoire TIMA, de lโ€™Institut Polytechnique de Grenoble, proposent un redresseur multiplicateur de tension basรฉ sur des diodes ร  trรจs faible tension seuil constituรฉes par des transistors Dynamic Thresold MOS(DTMOS) [9]. Le gรฉnรฉrateur piรฉzoรฉlectrique et son circuit permettent de charger un supercondensateur mรชme dans le cas de trรจs faibles accรฉlรฉrations. Les faibles courants produits par les รฉlรฉments piรฉzoรฉlectriques, et lโ€™intรฉgration CMOS des composants nรฉcessite de rรฉduire au maximum les pertes induites dans le circuit.
Dans un deuxiรจme temps les tensions gรฉnรฉrรฉes par un transducteur et redressรฉes sont en gรฉnรฉral rรฉgulรฉes par lโ€™intermรฉdiaire dโ€™un convertisseur DC/DC. Cette รฉtape permet dโ€™adapter les tensions gรฉnรฉrรฉes au niveau de la charge, ou bien de maximiser la puissance transfรฉrรฉe de la source ร  la charge en adaptant lโ€™impรฉdance du circuit ร  celle du transducteur.

Systรจmes de stockage et gestion de lโ€™รฉnergie

Lโ€™รฉnergie rรฉcupรฉrรฉe par ces diffรฉrents systรจmes nโ€™est pas suffisante pour pouvoir alimenter directement la plupart des systรจmes รฉlectroniques. Il est donc nรฉcessaire de stocker lโ€™รฉnergie et de lโ€™accumuler jusquโ€™ร  ce quโ€™elle atteigne un niveau suffisant.
Le stockage de lโ€™รฉnergie permet aussi de supplรฉer les intermittences de production et de dรฉcoupler รฉnergie et puissance lorsque la puissance dรฉlivrรฉe par lโ€™accumulateur est supรฉrieure ร  celle en sortie du convertisseur [10].
Lโ€™objectif dโ€™une gestion dโ€™รฉnergie est dโ€™optimiser la rรฉcupรฉration dโ€™รฉnergie. Elle permet aussi dโ€™รฉviter une surcharge ou dรฉcharge totale de lโ€™accumulateur. Enfin, la gestion dโ€™รฉnergie est utile pour optimiser รฉventuellement la consommation (mode veille, stratรฉgie interne, etc.). La solution la plus directe est de charger un condensateur fournissant la puissance durant de courtes pรฉriodes. En 2004, Sodano รฉtudie la possibilitรฉ de charger une batterie rechargeable ร  partir dโ€™รฉlรฉments piรฉzoรฉlectriques pour sโ€™affranchir des limites liรฉes aux capacitรฉs de stockage dโ€™un condensateur. Il montre la possibilitรฉ de charger une batterie de 40 mAh-1,2 V avec un รฉlรฉment piezoceramique en uniquement 30 minutes ร  la frรฉquence de rรฉsonance du systรจme[11].
Un exemple dโ€™un supercondensateur qui est montrรฉ ร  la Fig 1.10 (a) peut emmagasiner jusquโ€™ร  5 Wh/kg et peut se dรฉcharger de quelques secondes ร  quelques heures voire quelques jours.
Il existe dโ€™autres dispositifs รฉlectroniques de stockage dโ€™รฉnergie comme les piles รฉlectrochimiques. Les plus performantes sont au lithium et ils peuvent emmagasinรฉes jusquโ€™ร  500 Wh/kg et de trรจs faible autodรฉcharge. Un exemple dโ€™accumulateur dโ€™une pile au lithium intรฉgrรฉe est reprรฉsentรฉ sur la Fig. 1.10 (b).

Gรฉnรฉrateur รฉlectrostatique

La gรฉnรฉration รฉlectrostatique consiste en deux plateaux sรฉparรฉs par diรฉlectrique, qui se dรฉplacent l’un par rapport ร  l’autre. Au fur et ร  mesure que les plateaux dรฉplacent, l’รฉnergie stockรฉe augmente, fournissant ainsi le mรฉcanisme de conversion mรฉcanique ร  l’รฉnergie รฉlectrique. Il existe deux principaux cycles de fonctionnement : ร  charge constante ou ร  tension constante.
Par exemple, dans un cycle ร  charge constante, les plateaux sont chargรฉs lorsque ses capacitรฉs sont maximales puis isolรฉes de sa charge et de la source de polarisation. La structure stocke alors une รฉnergie initiale. Le mouvement mรฉcanique imposรฉ ร  la structure permet de faire varier la valeur de cette capacitรฉ. En effet, lorsque les armatures sโ€™รฉloignent, la tension aux bornes de cette derniรจre augmente, vu que la charge est constante (Q = CV).
Finalement, les charges sont retirรฉes de la structure sous sa capacitรฉ minimale. Lโ€™รฉnergie รฉlectrique ainsi rรฉcupรฉrรฉe est plus importante que lโ€™รฉnergie initialement injectรฉe. Lโ€™รฉnergie รฉlectrique est amplifiรฉe grรขce ร  lโ€™รฉnergie mรฉcanique.

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Table des matiรจres

INTRODUCTION
Chapitre I : GENERALITES SUR LA RECUPERATION VIBRATOIRE
I.1 Contexte gรฉnรฉrale
I.1.1Dรฉfinition
I.1.2 Les rรฉseaux de capteurs autonomes
I.1.3 Enjeux de la rรฉcupรฉration dโ€™รฉnergie
I.1.4 Les sources ambiantes dโ€™รฉnergie
I.2 Rรฉcuperation dโ€™energie ร  partir des vibrations ambiantes
I.2.1 Conversion รฉlectromรฉcanique
a)Transduction รฉlectromagnรฉtique
b)Transduction piรฉzoรฉlectrique
c)Transduction รฉlectrostatique
d)Autres modes de transduction
I.2.2 Circuit dโ€™extraction de lโ€™รฉnergie
I.2.3 Systรจmes de stockage et gestion de lโ€™รฉnergie
I.3 Conclusion
Chapitre II: MODELISATION ET COMPARAISON DES GENERATEURS ELECTROMAGNETIQUE, PIEZOELECTRIQUE ET ELECTROSTATIQUE
II.1Principe de fonctionnement
II.1.1 Gรฉnรฉrateur piรฉzoรฉlectrique
II.1.2 Gรฉnรฉrateur รฉlectromagnรฉtique
II.1.3Gรฉnรฉrateur รฉlectrostatique
II.2 Modรฉlisation normalisรฉe dโ€™un gรฉnรฉrateur piรฉzoรฉlectrique, รฉlectromagnรฉtique et รฉlectrostatique
II.2.1 Modรฉlisation normalisรฉe dโ€™un gรฉnรฉrateur piรฉzoรฉlectrique
II.2.2 Modรฉlisation normalisรฉe dโ€™un gรฉnรฉrateur รฉlectromagnรฉtique
II.2.3 Modรฉlisation normalisรฉe dโ€™un gรฉnรฉrateur รฉlectrostatique
II.3 Puissance rรฉcupรฉrรฉe
II.4 Comparaison
II.5 Conclusion
Chapitre III :SIMULATION ET REALISATION Dโ€™UN SYSTEME DE RECUPERATION Dโ€™ENERGIE ELECTRIQUE PAR VIBRATION
III.1 Simulation
III.1.1 Equation piรฉzoรฉlectrique
III.1.2 Modรจle mรฉcanique et รฉlectrique dโ€™un gรฉnรฉrateur piรฉzoรฉlectrique
a) Modรจle mรฉcanique
b) Modรจle รฉlectrique
III.1.3 Modรฉlisation de la tension gรฉnรฉrรฉe par le dispositif piรฉzoรฉlectrique
III.1.4 Simulation
a)Schรฉma
b) Circuit dโ€™extraction de lโ€™รฉnergie
III.2 Rรฉalisation
III.3 Conclusion
CONCLUSION
ANNEXE 1 : CARACTERISTIQUES DE Lโ€™ELEMENT PIEZOELECTRIQUE SM111
ANNEXE 2 : DESCRIPTION DES VIBRATIONS
1-Vibration
a.Principe
b.Mesure de vibration
2- Description des vibrations
a. Logarithme
b. Niveau en dรฉcibel
c. Niveau dโ€™accรฉlรฉration
d. Niveau de vitesse
e. Niveau du dรฉplacement
f. Calcul des niveaux
ANNEXE 3: LES TECHNOLOGIES MEMS
1 – Introduction
2 – Les diffรฉrents secteurs des MEMS
3 – Les principes physiques du microsystรจme
4 โ€“ Production des MEMS
REFERENCES

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