Les systèmes multicouches [Ge2Sb2Te5/C]n et [GeTe/C]n : élaboration et propriétés optiques et électriques

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Technique d’élaboration par pulvérisation cathodique

Les matériaux à changement de phase étudiés dans cette thèse sont déposés à l’aide de la méthode de la pulvérisation cathodique qui fait partie des techniques de dépôt physique en phase vapeur (PVD pour Physical Vapor Deposition). La pulvérisation cathodique consiste à arracher des atomes de la cible puis à les condenser sur un substrat. Les principaux avantages de cette technique sont la facilité à déposer une grande variété de matériaux et le contrôle de la composition et de l’épaisseur des couches déposées. Dans la suite nous présenterons le principe de cette technique ainsi que l’équipement Evatec ClusterLine® 200II9 ou CLN200 utilisé pour élaborer nos systèmes.

Le principe de la pulvérisation cathodique

Dans une chambre sous pression et dans une atmosphère gazeuse (inerte comme l’argon ou réactive comme l’azote ou l’oxygène), on applique une différence de potentiel entre la cathode (la cible) et l’anode (le substrat). Un plasma froid est donc généré dans la chambre de dépôt. Il est constitué d’atomes d’argon, d’électrons et d’ions d’argon. Le plasma est alors entretenu par les électrons générés par les collisions avec les atomes de gaz et ceux émis par la cathode. Un certain nombre d’atomes arrachés de la cible se condensent sur le substrat pour former une couche mince (figure 2.1). Dans le cas d’une pulvérisation réactive, un gaz est introduit dans laprocédure de dépôt avec un certain débit. Deux procédés de dépôt existent le procédé diode DC et le procédé diode RF.

Les procédés de pulvérisation

Procédé diode DC

Le procédé diode DC est la technique la plus simple et la plus employée. Elle utilise un courant continu pour créer un plasma dans la chambre de dépôt. Ce procédé présente néanmoins plusieurs inconvénients : (i) L’impossibilité de pulvériser des cibles isolantes car elles induisent l’accumulation de charges et la création des phénomènes d’arcs électriques ce qui détériore les cibles ; (ii) Le rendement de pulvérisation est réduit car ce procédé ne peut fonctionner qu’à des pressions élevées. Ceci diminue les vitesses de dépôt des couches. Ces problèmes ont été respectivement résolus grâce à un autre procédé « diode radiofréquence » et à l’intégration d’un dispositif magnétron.

Procédé diode RF

Ce dispositif est basé sur l’application d’un champ électrique alternatif radiofréquences (RF)sur la cible, fourni par un générateur à décharges capacitives RF. Ce procédé permet l’annulation des charges accumulées sur la cible au moyen d’une boite d’accord reliant le générateur RF à la cible. Grâce à ce procédé on est capable de pulvériser et donc de déposer des matériaux isolants.

Pulvérisation cathodique magnétron

Grâce à ce type de procédé, la méthode de pulvérisation cathodique a évolué. Ce procédé Consiste à créer un champ magnétique perpendiculaire au champ électrique. Ceci est assuré par des aimants placés aux alentours de la cible. Ces aimants permettent le confinement des électrons au voisinage de la cible et leur déplacement autour des lignes du champ magnétique.
Avec ce procédé, la probabilité d’ionisation des molécules de gaz augmente ainsi que le rendement du dépôt. Ce dispositif permet aussi de réaliser des dépôts à basse pression ce qui améliore la qualité des dépôts. Quant aux vitesses de dépôts, elles seront supérieures à celles obtenues par la pulvérisation cathodique classique. Des informations supplémentaires sur le principe de la méthode de dépôt de ces caractéristiques seront trouvées dans [Baptista2018] et [Harsha2005].

Equipement de dépôt CLN200

Dans le cadre de cette thèse nous avons utilisé l’équipement de dépôt CLN200 afin d’élaborer les multicouches et les films de références. Cet équipement est composé de plusieurs chambres (figure 2.2.a) présentées ci-dessous. Après avoir placé les wafers (disques) dans les sas (LLA et/ou LLB) sous vide, le robot (ayant 2 bras) permet le transfert du wafer d’une chambre à une autre. Chambre du pré-clean (Chambre 1 de la figure 2.2.a)
Cette chambre permet d’effectuer à l’aide d’un plasma Ar, une préparation de la surface du substrat en appliquant une légère gravure (de quelques nanomètres) appelée pré-clean. Le plasma élimine les couches d’oxydes et les contaminations formées sur le substrat avant le dépôt des couches minces.
Chambre de dégazage (Chambre 2 de la figure 2.2.a)
C’est une chambre de recuit sous vide utilisée pour éliminer l’eau et les différents contaminants qui peuvent être présents sur la surface du substrat. Cette chambre peut atteindre une température de 400 ˚C.
Chambres Planar (Chambre 3 de la figure 2.2.a)
Ces chambres sont équipées chacune par un générateur DC qui alimente une cible de 200 mm de diamètre. Elles permettent le dépôt d’une couche de SiN (première chambre Planar) ou une couche TiN (deuxième chambre Planar). La couche SiN permet la protection des dépôts de l’oxydation. La couche de TiN joue le rôle d’une électrode lors de l’intégration des matériaux à changement de phase dans des dispositifs électriques.
Chambre de co-pulvérisation (Chambre 4 de la figure 2.2.a)
La chambre de co-pulvérisation permet les dépôts de PCMs (figure 2.2.b). Cette chambrecontient 4 emplacements pour les cibles (200 mm de diamètre) équipés de magnétron (figure 2.2.c). La distance entre la cible et le wafer est réglable. Trois emplacements des cibles fonctionnent à l’aide d’un générateur DC ou DC pulsé et un emplacement fonctionne à l’aide d’un générateur à décharges capacitives RF. Dans cette thèse, nous avons utilisé le procédé diode DC avec magnétron pour déposer les couches de GeTe, Ge2Sb2Te5 et C. Afin d’avoir un dépôt homogène, un mouvement de rotation est appliqué sur le porte échantillon (30 tours par minute). Les dépôts peuvent être effectués en chauffant le porte échantillon. Ce dernier peut atteindre une température maximale de 250 °C.

Les techniques de caractérisation

Mesure de réflectivité optique et de résistance carrée

La température de cristallisation d’un PCM est un paramètre primordial dans l’étude des propriétés de ces matériaux. La mesure de ce paramètre donne une première indication sur la fonctionnalité du matériau en termes de stockage de l’information. Afin de mesurer ce paramètre, on a effectué des mesures de réflectivité optique et des mesures de résistance carrée quatre pointes en fonction de la température. La température de cristallisation est déterminéepar un changement brutal de la réflectivité ou de la résistance carrée. En effet l’état amorphe d’un matériau à changement de phase réfléchit peu le rayonnement d’un laser dans le visible et est très résistif tandis que l’état cristallin est un bon réflecteur et est très peu résistif. La température de cristallisation est calculée à partir de la dérivée des courbes de réflectivité et de résistivité en fonction de la température. Les deux techniques sont décrites ci-après.

La réflectivité optique

La mesure de réflectivité consiste à étudier la variation de la réflectivité pendant une rampe de température appliquée au matériau en question. Pour cela, nous utilisons un laser rouge (λ = 670 nm) et une résistance de chauffage. Comme le montre la figure 2.3, la configuration expérimentale consiste à poser un échantillon amorphe sur une plaque chauffante. Après avoir établi un vide primaire dans l’enceinte, on introduit un faible flux de N2 pur afin d’éviter l’oxydation tout en conservant un bon contact thermique entre la plaque chauffante et l’échantillon. La température de la plaque peut atteindre 400 °C avec une vitesse de chauffage variant entre 2 °C.min-1 et 18 °C.min-1. La température est mesurée en continu à l’aide d’un thermocouple. Un logiciel est développé pour suivre la courbe de réflectivité en temps réel.

Les configurations expérimentales et instruments utilisés

Les mesures expérimentales sont réalisées grâce à une source de rayons X et d’un diffractomètre comportant un porte-échantillon et un détecteur. Plusieurs configurations ont été utilisées dans le cadre de notre travail.
La configuration ?-2? (ou scan ?-2?)
Dans cette configuration, la position de la source est maintenue fixe et on balaye les anglesd’incidence et de réflexion en tournant l’échantillon de ? et le bras du détecteur de 2? (figure2.9.a). Cette configuration est souvent utilisée car le tube à rayons X est la partie la plus lourde.
La configuration ?–? (ou scan ?–?) dite Bragg-Brentano
Dans la configuration ? – ?, l’échantillon est fixe alors que le tube et le détecteur de rayons X tournent symétriquement de ? chacun (figure2.9.b).

Ligne DiffAbs au Synchrotron SOLEIL

Les mesures ont été réalisées sur la ligne de lumière DiffAbs11 au synchrotron SOLEIL à l’aide d’un diffractomètre six cercles en géométrie kappa (figure 2.11). Cette géométrie permet de positionner l’échantillon et les détecteurs dans l’espace. Tous les mouvements d’angle et de translation sont centrés sur le même point : le centre de rotation du diffractomètre qui sera aligné avec le faisceau de rayons X. Avec un monochromateur de Si (111), un faisceau monochromatique d’énergie 17947,3 eV (? = 0,6908 Å) a été utilisé. La différence en énergie par Rapport à celle utilisée dans les instruments du laboratoire induit une différence de position 2? des pics de diffraction (voir le chapitre 4). L’utilisation d’une énergie plus élevée au synchrotron permet de comprimer l’espace réciproque et d’observer davantage de pics dans une gamme angulaire donnée. Une calibration de la longueur d’onde a été réalisée grâce à une mesure du diffractogramme d’une poudre de CeO212. Après collimation le faisceau incident avait une taille de 184 μm en vertical et 266 μm en horizontal.
Pour les mesures ex situ à température ambiante on a effectué un balayage ? – 2? en utilisant un détecteur ponctuel. Dans le cas des mesures in situ, l’échantillon a été fixé sur le four Anton Paar (DHS 1100)13 (figure 2.12.a) couvert d’un cylindre aluminium muni de deux fenêtres en Kapton (figure 2.12.b). Le détecteur 2D XPAD (pour X-ray hybrid Pixel Array Detector) a été utilisé. La surface active du détecteur est formée de 240 × 560 pixels. La distance entre les centres de deux pixels voisins est de 130 µm dans les deux directions x et y. Afin de couvrir l’intervalle angulaire 2θ = [5° – 25°] (qui, compte tenu de la longueur d’onde utilisée, correspond à l’intervalle angulaire utilisé dans les mesures réalisées au laboratoire), deux positions du détecteur ont été utilisées. On a donc obtenu une image pour chaque position avec un temps d’acquisition égale à ≈ 30s et un recouvrement angulaire entre les images acquises pour les deux positions. Après chaque changement de température, un réalignement de l’échantillon (hauteur par rapport au faisceau est réalisé pour compenser les effets de dilatation/contraction thermique au cours.

Détermination de la taille des cristallites

En négligeant les effets dynamiques et en supposant l’absence de défauts (taille infinie des cristallites, absence de microdéformations, pas d’effet de l’instrument de mesure, …) les pics de diffraction sont des fonctions de Dirac. Le non-respect de ces hypothèses simplificatrices a comme effet l’élargissement des pics. Dans la suite nous nous focalisons sur les conséquences de la taille finie des cristallites14.
Pour estimer la taille moyenne des grains cristallins formés dans l’échantillon, on analyse la largeur des pics de diffraction. Il existe trois paramètres contribuant à la largeur des pics de diffraction : La taille des grains cristallins, la largeur instrumentale (?inst voir ci-après) et les microdéformations. Ces dernières représentent des variations des distances réticulaires dues aux défauts cristallins (dislocations) ou à des variations de la composition chimique. Plusieurs méthodes d’analyse peuvent être réalisées pour séparer les différentes contributions [Graveau2012]. Dans le cas des multicouches étudiées dans cette thèse, un faible nombre de pics de diffraction peut être analysé pour pouvoir séparer les contributions des microdéformations et la taille de grains. Nous avons donc analysé la largeur des raies de diffraction en considérant uniquement l’effet de la taille des grains cristallins et la largeur instrumentale. Dans ce cas, la taille calculée est exprimée par l’équation de Scherrer [Langford1978] [Patterson1939] [Muniz2016] suivante :

avec ? la longueur d’onde du faisceau X, ? = 2?/2 où 2? est l’angle auquel le pic de diffraction apparait. ? est la largeur à mi-hauteur (ou FWHM pour Full Width at Half Maximum) du pic dediffraction après soustraction de la contribution instrumentale. ?ℎ?? représente la taille moyenne des cristallites dans la direction perpendiculaire aux plans réticulaires (ℎ??).
Si le profil du pic mesuré peut-être ajusté par une fonction gaussienne alors :

Avec ?mes la largeur à mi-hauteur (FWHM) mesurée et ?inst la largeur à mi-hauteur (FWHM) due à l’instrument. Afin d’obtenir ?inst, Il faut mesurer un échantillon de référence dont la taille des cristallites est connue. On a donc mesuré des échantillons de référence (poudre de Si au laboratoire et poudre de CeO2 sur la ligne DiffAbs au synchrotron SOLEIL) pour déduire ?inst.

La réflectivité des rayons X

La réflectométrie des rayons X (XRR pour X-Ray Reflectivity) est une technique de caractérisation qui sert à déterminer l’épaisseur, la rugosité et la densité d’une couche mince. Quand une onde électromagnétique arrive sur la surface d’un échantillon, l’onde se comporte suivant la loi de Descartes :

 ?1 et ?2 sont respectivement les indices de réfraction des deux milieux 1 et 2 séparés par une interface. i1 est l’angle formé par le faisceau incident avec la normale (lignes pointillées figure 2.13) à l’interface. i2 est l’angle formé par le faisceau réfracté et la normale. Dans notre cas, le milieu 1 est l’air, ?1 est donc égal à 1 (figure 2.13).

La microscopie électronique à balayage en transmission

La microscopie électronique à balayage en transmission (STEM pour Scanning Transmission Electron Microscopy) combine le principe de la microscopie électronique à balayage et celui du TEM. Dans cette technique, le faisceau d’électron est focalisé de façon à avoir une taille inférieure à celle obtenue avec le TEM.
L’image obtenue avec cette méthode correspond aux électrons diffusés suite au balayage du faisceau d’électrons sur l’échantillon. Chaque pixel de l’image correspond aux électrons diffuséspour une position du faisceau. En addition au mode d’imagerie BF qui est basé sur la diffusion des électrons transmis à un angle ?3< 10 mrads, il existe deux autres modes d’imageries : l’imagerie ADF (pour Annular Dark Field) et l’imagerie HAADF (pour High Angle Annular Dark Field). Dans la figure 2.16 on représente les modes d’imagerie STEM selon l’angle de diffusion ?. Les électrons déviés sur de petits angles par rapport au faisceau transmis peuvent être détectés sur le détecteur annulaire ADF (10 mrads <?2< 50 mrads). Des électrons déviés sur de plus grands angles peuvent être détectés sur le détecteur HAADF (?1> 50 mrads). L’intérêt du STEM-HAADF est d’obtenir des images avec un contraste dépendant du numéro atomique ? des matériaux analysés [Hübschen2016]. L’intensité sur le détecteur dépend de ?, elle s’exprime comme suivant :

avec ? une constante d’échelle, ? l’épaisseur du film et ? un exposant compris entre √2 3 et 2. On peut donc déduire de l’équation 2.18 que dans une image obtenue par STEM-HAADF, les zones intenses ou claires sont riches en éléments lourds (comme le Te) contrairement aux zones sombres riches en éléments légers (comme le C). Préparation des échantillons
Dans un TEM l’utilisation des électrons exige l’amincissement de l’échantillon afin de le rendre transparent aux électrons. Une étape de préparation d’une lame mince à partir de l’échantillon est nécessaire. Cette méthode de caractérisation est donc destructive. Il existe de nombreuses techniques d’amincissement comme les méthodes chimiques, d’électroérosion, d’amincissement par gravure ionique (PIPS (pour Precision Ion Polishing System), FIB (Focused Ion Beam), etc.) et mécaniques (tripodes, grinder, etc.)15. Nos échantillons ont subi un polissage15https://www.stem.lps.u-psud.fr/ tripode et puis un amincissement final par ions Ar+ avec la technique de PIPS. L’épaisseur des lames est estimée entre 20 nm et 50 nm.
Les microscopes électroniques utilisés
Les analyses TEM-BF et STEM-HAADF ont été réalisées en utilisant le FEI TecnaiG2 F20 équipé par un canon FEG fonctionnant à une tension égale à 200 kV. Les acquisitions des images ont été respectivement prises en utilisant une camera CCD (2000 × 2000 pixels) et un détecteur HAADF.

Les techniques de faisceaux d’ions pour l’étude quantitative

Dans le but de vérifier la périodicité et de déterminer la composition chimique des multicouches de [GeTe/C]n et [Ge2Sb2Te5/C]n déposés par PVD, nous avons employé les méthodes de caractérisation par faisceaux d’ions. Ces techniques sont basées sur les interactions d’un faisceau d’ions incidents avec les atomes constituant les échantillons appelés atomes cibles.
Plusieurs phénomènes physiques peuvent avoir lieu, ce qui engendre plusieurs approches d’analyse:
• L’analyse des ions rétrodiffusés qui correspond à la Spectrométrie de Rétrodiffusion de Rutherford (RBS pour Rutherford Backscattering Spectrometry)
• L’analyse des rayons X émis suite à l’interaction du faisceau d’ions avec les atomes cibles ce qui correspond à l’Analyse de l’Emission des rayons X induite par des particules chargées (PIXE pour Particle Induced X-Ray Emission)
• L’analyse des rayons gamma émis correspondant à l’Analyse par Réaction Nucléaire (NRA pour Nuclear Reaction Analysis)
Les mesures par les méthodes RBS, PIXE et NRA ont été réalisées au centre d’études nucléaires de Bordeaux Gradignan (CENBG16).
De plus des mesures de spectrométrie de masse par ions secondaires en temps de vol (ToF-SIMS pour Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry) ont été réalisées au CEA-Grenoble.
Contrairement aux trois premières techniques, le ToF-SIMS est une méthode destructive puisqu’elle repose sur l’extraction des atomes de l’échantillon au cours de son abrasion par un faisceau d’ions.

La spectrométrie de masse à ionisation secondaire en temps de vol

La spectrométrie de masse par ions secondaires en temps de vol (TOF-SIMS) est une technique d’analyse sensible à un grand nombre d’éléments.
Au cours du ToF-SIMS, l’échantillon est bombardé par un faisceau d’ions primaires. Ce dernier pulvérise des atomes de l’échantillon dont une partie forme des ions secondaires qui seront accélérés avec la même énergie cinétique vers un analyseur de temps de vol. L’analyseur permet de chronométrer en parallèle le temps de vol de ces ions secondaires. On peut donc remonter à la masse de chaque élément suivant l’équation :

Cette technique peut être appliquée sur tout matériau à l’état solide. Dans cette thèse le TOF SIMS a été principalement employé pour réaliser une analyse en profondeur dans le but de vérifier le nombre de périodes n dans les multicouches déposées par PVD. Les profils en profondeur sont obtenus en alternant des séquences d’analyse et d’abrasion.
Au cours des séquences d’analyse, un faisceau de Bi+ ou Bi3+ est utilisé avec une énergie de 15 keV. La zone analysée sur l’échantillon est de 60 µm × 60 µm.
Quant aux séquences d’abrasion, un faisceau d’ions Cs+ est utilisé avec une énergie de 500 eV pour abraser graduellement l’échantillon entre chaque séquence d’analyse. La taille du cratère formé lors de l’abrasion est de 200 µm × 200 µm. Au cours de ces séquences de mesures, un faisceau d’électrons de 20 eV est appliqué aux échantillons pour compenser les effets de charges créés par le faisceau d’ions primaires

Table des matières

Chapitre 1 : Introduction
1.1 Introduction
1.2 Les mémoires à changement de phase
1.2.1 Des mémoires optiques aux mémoires résistives à changement de phase
1.2.2 Les mémoires électriques à changement de phase
1.2.2.1 Le fonctionnement des mémoires résistives à changement de phase
1.3 Les avantages et les limites de la mémoire à changement de phase
1.4 Les approches pour résoudre les problématiques d’une mémoire à changement de phase
1.4.1 Amélioration de l’architecture de la mémoire à changement de phase
1.4.2 Optimisation des propriétés du matériau à changement de phase
1.5 Les matériaux à changement de phase
1.5.1 Introduction
1.5.2 Les composés ternaires GexSbyTez
1.5.2.1 Les propriétés du Ge2Sb2Te5
1.5.2.2 Les structures cristallines du Ge2Sb2Te5
1.5.3 Le composé GexTe1-x
1.5.3.1 Les propriétés du GeTe
1.5.4 Structure cristalline de α et ? GeTe
1.6 Dopage des matériaux à changement de phase avec du Carbone
1.7 Effet d’échelle sur les matériaux à changement de phase
1.7.1 Films minces
1.7.2 Multicouches
1.7.3 Nanofils
1.7.4 Nanoparticules
1.8 Conclusion et objectifs de la thèse
Chapitre 2 : Méthodes de dépôt et de caractérisation des matériaux à changement de phase
2.1 Technique d’élaboration par pulvérisation cathodique
2.1.1 Le principe de la pulvérisation cathodique
2.1.2 Les procédés de pulvérisation
2.1.2.1 Procédé diode DC
2.1.2.2 Procédé diode RF
2.1.3 Pulvérisation cathodique magnétron
2.1.4 Equipement de dépôt CLN200
2.2 Les techniques de caractérisation
2.2.1 Mesure de réflectivité optique et de résistance carrée
2.2.1.1 La réflectivité optique
2.2.1.2 La résistance carrée à quatre pointes
2.2.2 La diffraction des rayons X
2.2.2.1 Introduction
2.2.2.2 Les conditions de diffraction
2.2.2.3 Les configurations expérimentales et instruments utilisés
2.2.2.4 Ligne DiffAbs au Synchrotron SOLEIL
2.2.2.5 Détermination de la taille des cristallites
2.2.3 La réflectivité des rayons X
2.2.4 La microscopie électronique
2.2.4.1 La microscopie électronique en transmission
2.2.4.2 La microscopie électronique à balayage en transmission
2.2.5 Les techniques de faisceaux d’ions pour l’étude quantitative
2.2.5.1 La spectrométrie de masse à ionisation secondaire en temps de vol
2.2.5.2 La spectrométrie de rétrodiffusion de Rutherford
2.2.5.3 L’analyse de l’Emission des rayons X induite par des particules chargées (PIXE)
2.2.5.4 L’analyse par réaction nucléaire
2.3 Résumé et synthèse
Chapitre 3 : Les systèmes multicouches [Ge2Sb2Te5/C]n et [GeTe/C]n : élaboration et propriétés optiques et électriques
3.1 Elaboration des systèmes multicouches [Ge2Sb2Te5/C]n et [GeTe/C]n
3.1.1 Liste des échantillons
3.1.2 Description des dépôts des systèmes multicouches [Ge2Sb2Te5/C]n et [GeTe/C]n 99
3.1.3 Description des dépôts des systèmes GeTeCy et Ge2Sb2Te5Cy
3.1.4 Dépôt de la couche de protection de SiN
3.2 Caractérisation des systèmes multicouches [Ge2Sb2Te5/C]n et [GeTe/C]n
3.2.1 Contrôle du nombre de périodes des systèmes déposés par SIMS
3.2.2 Composition des systèmes Ge2Sb2Te5, C et GeTe par RBS, NRA et PIXE
3.2.2.1 La quantification du Ge, Te et Sb
3.2.2.2 La quantification du carbone
3.2.3 Caractérisation optique et électrique des systèmes [Ge2Sb2Te5/C]n et [GeTe/C]n
3.2.3.1 Caractérisation optique et électrique du système [GeTe/C]n
3.2.3.2 Caractérisation optique et électrique du système [Ge2Sb2Te5/C]n
3.3 Discussion
3.4 Synthèse
Chapitre 4 : Structure des multicouches [GeTe/C]n et [Ge2Sb2Te5/C]n
4.1 Caractérisation des systèmes multicouches de [GeTe/C]n et [Ge2Sb2Te5/C]n par STEM et TEM
4.2 Caractérisation structurale des systèmes multicouches de [GeTe/C]n et [Ge2Sb2Te5 /C]n par XRD
4.2.1 Caractérisation structurale des systèmes multicouches de [GeTe/C]n par XRD.. 154
4.2.1.1 XRD des multicouches [GeTe/C]n au laboratoire en configuration « hors du plan »
4.2.1.2 XRD des films GeTeC au laboratoire en configuration « hors du plan »
4.2.1.3 XRD des multicouches [GeTe/C]n au laboratoire en configuration « dans le plan »
4.2.2 Caractérisation structurale des multicouches de [GeTe/C]n avec le rayonnement synchrotron
4.2.2.1 XRD des multicouches [GeTe/C]n ex situ avec un rayonnement synchrotron en configuration « hors du plan »
4.2.2.2 XRD in situ avec un rayonnement synchrotron
4.2.3 Caractérisation structurale des systèmes multicouches de [Ge2Sb2Te5/C]n par XRD
4.2.3.1 XRD des multicouches [Ge2Sb2Te5/C]n au laboratoire en configuration « hors du plan » et « dans le plan »
4.2.3.2 XRD des films Ge2Sb2Te5C au laboratoire en configuration « hors du plan »… 193
4.2.4 Caractérisation structurale des systèmes multicouches de [Ge2Sb2Te5/C]n avec un rayonnement synchrotron
4.2.4.1 XRD ex situ avec un rayonnement synchrotron « hors du plan » des multicouches
[Ge2Sb2Te5/C]n
4.3 Discussion
4.4 Synthèse
Conclusion
Annexe A : Mesures de résistance carrée par la méthode 4 pointes en fonction de la température sur les multicouches de [GeTe/C]n.
Annexe B : Mesures de résistance carrée par la méthode 4 pointes en fonction de la température sur les multicouches de [Ge2Sb2Te5/C]n
Annexe C : Traitements des images acquises par le détecteur 2D XPAD (Diffraction des rayons X in situ sur la ligne DiffAbs au synchrotron SOLEIL)
Références

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