Le domaine des composants semiconducteurs a connu une forte expansion grรขce au dรฉveloppement de filiรจres technologiques intelligentes appelรฉes ยซ SMARTPOWERยป. Cela a en effet constituรฉ une nouvelle ยซ rรฉvolution ยป de lโรฉlectronique : lโidรฉe nouvelle a รฉtรฉ de faire cohabiter sur une mรชme puce des circuits basse tension et des interrupteurs commandรฉs par ces circuits, capables de commuter plusieurs Ampรจres et plusieurs dizaines ou centaines de Volts. Dans ces circuits, la mรฉmoire a tout naturellement trouvรฉ sa place ; elle apporte notamment une flexibilitรฉ dโutilisation car elle est programmable; par ailleurs, elle peut รฉgalement configurer les circuits.
Les circuits SMARTPOWER
Dรฉfinition et domaines dโapplications
Les progrรจs des procรฉdรฉs technologiques en microรฉlectronique ont permis dโassocier sur une mรชme puce des circuits faible tension et des circuits dits de puissance utilisant des interrupteurs commutant ร quelques dizaines de Volts (LDMOS, IGBT ou VDMOS) [1][2]. Les avantages de ces circuits sont nombreux et concernent en premier lieu la rรฉduction du coรปt ; en effet lโassemblage, la connectique et un grand nombre dโinterfaces sont supprimรฉs. Dโautre part, cette intรฉgration permet la conception de circuits complexes difficilement rรฉalisables avec des composants discrets. De plus, de nouvelles fonctions de contrรดle telles que la dรฉtection des phรฉnomรจnes de surchauffe, de surtension ou de surintensitรฉ (court circuit) peuvent รชtre intรฉgrรฉes.
Outre les modules de puissance, de commande et de diagnostic, les rรฉcentes avancรฉes dans le domaine du multiplexage permettent dโintรฉgrer รฉgalement des fonctions liรฉes au traitement du signal et ร lโรฉchange des donnรฉes. Ce type dโintรฉgration est appelรฉ ยซ Smart Power Integrated Circuit ยป, qui se traduit par ยซCircuit Intรฉgrรฉ de Puissance Intelligent ยป [1] [3].
Les fonctions principales sont les suivantes :
โข des LDMOS avec leur commande,
โข une partie Multiplexage et un bloc CAN (Controler Area Network),
โข un convertisseur analogique numรฉrique,
โข un bloc de mรฉmoires non volatiles (NVM),
โข diagnostic : contrรดle de la tempรฉrature, fonctionnalitรฉ de la puce,
โข un calculateur logique CMOS et son rรฉgulateur de tension,
โข lโรฉtage de sortie vers le tableau de bord, lampe warning,
โข un prรฉ-driver pour un transistor de puissance ยซ Low-Side ยป externe (booster valve),
โข un module MPO (Multi-Purpose-Output) qui permet ร lโรฉquipementier lโajout dโautres fonctionnalitรฉs.
Les domaines dโapplication des circuits SMARTPOWER sont vastes. On les trouve aussi bien dans les imprimantes que dans les perceuses รฉlectriques, la tรฉlรฉphonie mobile (pour la gestion de lโรฉnergie) ou encore dans lโautomobile oรน leur prรฉsence ne cesse dโaugmenter. Lโรฉlectronique y a รฉtรฉ introduite par vagues successives. La premiรจre vague a รฉtรฉ initiรฉe en 1974 par la lรฉgislation sur lโenvironnement qui a conduit ร introduire une commande de contrรดle du moteur. La deuxiรจme a รฉtรฉ dรฉclenchรฉe par lโintroduction sur le marchรฉ de nouveaux dispositifs de sรฉcuritรฉ comme lโABS et lโairbag qui sont apparus respectivement en 1978 et 1982. La troisiรจme vague provient de la large introduction des systรจmes รฉlectroniques destinรฉs au confort qui a dรฉbutรฉ en 1990. La quatriรจme vague reprรฉsente lโintroduction des systรจmes de transport intelligent (ยซ Intelligent Transportation Systems ยป) qui sont entrรฉs sur le marchรฉ en 1998. La cinquiรจme vague, dont les premiers systรจmes sont apparus en 2000, consiste ร remplacer les systรจmes mรฉcaniques et hydrauliques, souvent lourds et coรปteux, par des systรจmes รฉlectroniques [4].
Fiabilitรฉ des circuits SMARTPOWER
Les circuits SMARTPOWER doivent rรฉpondre ร certaines exigences requises pour fonctionner dans leur environnement. Les conditions les plus strictes sont celles auxquelles nous allons nous intรฉresser, c’est-ร -dire celles du secteur automobile. En effet, une dรฉfaillance peut avoir une incidence sur la sรฉcuritรฉ des occupants. Il est donc trรจs important de garantir un fonctionnement sans faille de tous les composants dans des conditions extrรชmes, aussi bien climatiques quโรฉlectriques, pendant au moins toute la durรฉe de vie du vรฉhicule, cโest-ร -dire une dizaine dโannรฉes. Pendant son dรฉveloppement, le produit doit donc suivre un parcours de qualification pour garantir les conditions exigรฉes. Il subira des tests fonctionnels (prรฉsents de la conception jusquโร la fabrication) et des tests accรฉlรฉrรฉs. Les tests fonctionnels sont menรฉs ร trois tempรฉratures (-40ยฐC, 25ยฐC, 125ยฐC ou 150ยฐC pour les modules prรจs du moteur) qui correspondent aux conditions de fonctionnement extrรชmes. Dans les tests accรฉlรฉrรฉs, deux sont couramment utilisรฉs : il sโagit du ยซ High Temperature Operating Life ยป qui se fait ร 150ยฐC pendant 408h ou ร 125ยฐC pendant 1000h pour une polarisation maximale du produit et du ยซ Highly Accelerated Stress Test ยป qui sโeffectue ร une tempรฉrature de 130ยฐC, avec un taux dโhumiditรฉ de 80%, sous une pression de 2 Bars pendant 96 heures. Ces deux tests permettent de simuler lโeffet des annรฉes et des intempรฉries. Lโobjectif de ces tests est aussi dโanalyser les types de dรฉfaillances afin de pouvoir amรฉliorer la conception pour que le produit soit plus robuste ou dโassurer une meilleure qualitรฉ des รฉtapes de fabrication et ainsi dโamรฉliorer les rendements. Une fois en production, les produits ne subissent que les tests fonctionnels au niveau wafer et sur composants montรฉs en boรฎtier, en tempรฉrature ou ร tempรฉrature ambiante. Seuls les รฉchantillons prรฉlevรฉs rรฉguliรจrement pour un contrรดle qualitรฉ subissent alors tous les tests accรฉlรฉrรฉs. Malgrรฉ ces nombreux contrรดles, quelques composants dรฉfaillants peuvent encore รชtre livrรฉs aux clients, ils se comptent en dizaine de parties par million (ppm) ; ce chiffre est รฉvidemment trop รฉlevรฉ car les circuits SMARTPOWER concernent principalement les organes de sรฉcuritรฉ. Aujourdโhui, les clients exigent un niveau de 0ppm. Pour cela, les tests accรฉlรฉrรฉs au niveau wafer (Wafer Level Reliability) sur 100% des produits deviennent indispensables. .
Les mรฉmoires non volatiles dans les produits SMARTPOWER
La prรฉsence de mรฉmoires est devenue nรฉcessaire lorsque les clients ont voulu configurer euxmรชmes certains produits notamment pour entrer des numรฉros de sรฉrie. Ce type de composant ne faisant pas partie des librairies SMARTPOWER, les besoins gรฉnรฉrรฉs par lโapplication lโont dรฉfini. Par la suite, la prรฉsence de mรฉmoires a permis dโรฉlargir le champ des applications. Enfin, la possibilitรฉ dโutiliser les mรฉmoires non volatiles, sโest rรฉvรฉlรฉe รชtre un atout vis-ร -vis de la concurrence. Actuellement, ce composant se trouve par exemple dans la majoritรฉ des produits de Motorola ยซdivision automobile ยป et ยซ produits standards ยป. On prรฉvoit dโailleurs une forte croissance des ventes sur les 5 prochaines annรฉes.
Les exigences sont technologiques et fonctionnelles. Technologiquement, la compatibilitรฉ avec les autres composants doit รชtre totale ; en effet, tout ajout dโรฉtape supplรฉmentaire engendre un coรปt sur le produit final. Quant aux propriรฉtรฉs fonctionnelles, la mรฉmoire remplace les composants de type ยซ fusible ยป dans tout ce qui est ajustage des paramรจtres ; ensuite, ร la demande du client, elle va servir ร entrer des codes (par exemple le code pin pour un tรฉlรฉphone ou un numรฉro de sรฉrie). Pour ces utilisations, peu de bits sont nรฉcessaires : la mรฉmoire sera trรจs peu cyclรฉe mais, elle devra par contre garder lโinformation pendant toute la durรฉe de vie du produit.
La mรฉmoire est donc une mรฉmoire non volatile (NVM) que lโon peut qualifier de ยซ Few Times Programming ยป dont la densitรฉ dโintรฉgration nโest pas trรจs grande et ne nรฉcessite pas forcรฉment une configuration matricielle. Aujourdโhui, elle sert ร dโautres applications et sert de paramรจtres fonctionnels cโest-ร -dire que son รฉtat programmรฉ ou effacรฉ va dรฉterminer la configuration du circuit. Par exemple, dans un air-bag, cโest lโรฉtat de la mรฉmoire qui ordonne le repos ou la mise ร feu de lโexplosif qui va gonfler le coussin.
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Table des matiรจres
Introduction gรฉnรฉrale
Chapitre 1 : Gรฉnรฉralitรฉs et position des problรจmes
Introduction
A. Les circuits SMARTPOWER
1. Dรฉfinition et domaines dโapplications
2. Fiabilitรฉ des circuits SMARTPOWER
3. Les mรฉmoires non volatiles dans les produits SMARTPOWER
4. Situation de la mรฉmoire รฉtudiรฉe par rapport aux structures classiques
4.1. Type de mรฉmoire
4.2. Technologie des mรฉmoires EEPROMs
4.3. Structure de la mรฉmoire รฉtudiรฉe
5. Programmation des mรฉmoires ร grille flottante
5.1. Ecriture
5.2. Effacement
B. Fiabilitรฉ des mรฉmoires
1. Gรฉnรฉralitรฉs
2. Critรจres de fiabilitรฉ des mรฉmoires non volatiles
2.1. Endurance en cycles dโeffacement et de programmation
2.2. Rรฉtention de donnรฉes
3. Test en rรฉtention de donnรฉes
3.1. Accรฉlรฉration thermique
3.2. Accรฉlรฉration รฉlectrique
4. Extrapolation de la rรฉtention de donnรฉes : Fiabilitรฉ prรฉdictive
4.1. Modรจle en 1/T
4.2. Modรจle en T
4.3. Approche statistique
Conclusion
Chapitre 2 : Etude du comportement thermique de la mรฉmoire
1.Introduction
2.Mรฉmoire non volatile dans les technologies SMARTMOS
3. Conduction dans la couche dโoxyde de grille
3.1 Caractรฉristique de conduction ร fort champ
3.2 Etude sur les cellules mรฉmoires
3.3 Observations communes ร toutes les distributions
3.4 Gain de charge durant le recuit
3.5 Mรฉcanisme de conduction pour les cellules de la zone intrinsรจque
3.6 Analyse des cellules extrinsรจques
4. Conclusion
Chapitre 3 : Mise en ลuvre dโun nouveau test de rรฉtention de donnรฉes
1. Introduction
2. Absorption de la lumiรจre
3. Mรฉcanismes de conduction sous illumination
3.1 Caractรฉristiques courant tension sous illumination des cellules intrinsรจques
3.2. Caractรฉristiques courant tension sous illumination des cellules extrinsรจques
3.3. Influence de la puissance du faisceau lumineux sur la tempรฉrature du composant
4. Illumination dโune population de cellules mรฉmoires programmรฉes
4.1 Homogรฉnรฉitรฉ de la transmission optique
4.2 Corrรฉlation entre vieillissements thermiques et vieillissement optique (ฮป1 = 514,5 nm)
5. Faisabilitรฉ dโun test sous accรฉlรฉration lumineuse
6. Conclusion
Conclusion gรฉnรฉrale
Rรฉfรฉrences bibliographiques