Les capteurs et dispositifs de traitement des signaux

Les microsystรจmes

Un microsystรจme est un systรจme miniaturisรฉ multifonctions (รฉlectronique, optique, mรฉcanique ou chimique) comprenant des parties de dimensions latรฉrales (sub) microniques (E. Dufour Gergam, IEF, Universitรฉ de Paris-Sud). Nous allons retracer rapidement l’รฉvolution chronologique des travaux et publications relatifs aux microsystรจmes.
Elle commence en 1959 avec Richard Feynmanย  qui fut le premier ร  envisager des travaux de recherche sur des dispositifs de dimensions microscopiques. Cette idรฉe se dรฉveloppera au Jet propulsion laboratory, Pasadena CA, USA en 1983 car Feynman proposera le concept deย ยป Infinitesimal Machineryย ยป.
L’idรฉe du transistor ร  grille mรฉtallique rรฉsonante sera proposรฉe par H.C. Nathanson et al en 1967. Il s’agit d’une rรฉalisation ร  l’รฉchelle millimรฉtrique permettant d’entrevoir la rรฉalisation d’un film mince.
Ensuite, le silicium est prรฉsentรฉ en 1982 par Petersen et al.(IBM Research Lab.) comme le matรฉriau de base de l’industrie de la micro-รฉlectronique suite ร  un article intitulรฉ ย ยป Silicon as a Mechanical Material’ ‘. Dans le prolongement, Angell et al. proposent en 1983 dans un papier intitulรฉ ย ยปSilicon Micromechanical Devieesย ยป des systรจmes rรฉalisรฉs dans du silicium.
Mais les faits marquants pour le dรฉveloppement et l’accรฉlรฉration du dรฉveloppement des microsystรจmes sont intervenus au milieu des annรฉes 80 ร  l’universitรฉ de Berkeley aux Etats-Unis avec la crรฉation de Berkeley Sensors and Actuators Center (BSAC) ร  San Francisco et au Japon dans le laboratoire du professeur Esashi ร  Sendai.
En 1988, la rรฉalisation du moteur รฉlectrostatique rotatif du professeur R.S. Muller (BSAC, USA) est un fait qui marque une nouvelle รจre dans le monde des MEMS.
Entre 1985 et 1990, entrent en lice les pays europรฉens qui dรฉbutent leur recherche dans le domaine des microsystรจmes (Suisse, Pays-Bas, Suรจde, Allemagne). Les premiรจres rรฉalisations en France ne sont intervenues qu’au dรฉbut des annรฉes 90.
En 1992, la recherche sur les microsystรจmes en France se structure avec la crรฉation de nouveaux pรดles de recherches autour du CNRS ou du CEA (le LAAS7 CNRS ร  Toulouse, le CEA-LETI ร  Grenoble, l’IMFC ร  Besanรงon et l’IEMN ร  Villeneuve d’ Ascq). C’est รฉgalement vers cette date que de grandes entreprises se sont lancรฉes dans des activitรฉs de recherche dans le domaine des microsystรจmes.
Nous assistons ensuite au milieu des annรฉes 90 ร  une accรฉlรฉration du dรฉveloppement des microsystรจmes avec la crรฉation de nouveaux laboratoires, la dรฉcouverte de nouvelles applications et l’รฉmergence de dรฉbouchรฉs commerciaux.
La terminologie employรฉe est souvent trรจs variable suivant les pays concernรฉs: microsystรจme en France, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) aux Etats-Unis ou Micromachines au Japon. Le terme MST (MicroSystรฉmes Technologies recouvre l’ensemble des technologies ร  mettre en ล“uvre et est utilisรฉ par l’ensemble de la communautรฉ internationale.
Aprรจs avoir donnรฉ la dรฉfinition et l’รฉtat de l’art des microsystรจmes, nous allons prรฉsenter les principaux types de microsystรจmes ayant fait l’objet de publications.

Les capteurs et dispositifs de traitement des signaux

Les MOEMS, optique intรฉgrรฉe et miroirs optiques

Le terme MOEMS signifie Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems. Les MOEMS รฉtaient utilisรฉs ร  l’origine pour la rรฉalisation de miroirs ร  inclinaison variable .
Il existe deux grandes catรฉgories de MOEMS : ceux qui utilisent des principes de l’optique gรฉomรฉtrique pour la commutation spatiale de la lumiรจre (connectique, switch) et ceux qui mettent en ล“uvre des aspects ondulatoires tels que les interfรฉrences optiques (modulateurs, rรฉseaux). La naissance de l’optique intรฉgrรฉe peut รชtre attribuรฉe ร  S. E. Miller de Bell aux Etats-Unis qui, avec le dรฉveloppement des systรจmes de tรฉlรฉcommunication optique, proposa l’intรฉgration et l’interconnection des composants optiques entre eux par des guides d’ondes optiques rรฉalisรฉs dans un mรชme substrat . L’optique intรฉgrรฉe est souvent utilisรฉe pour rรฉaliser des composants pour les tรฉlรฉcommunications optiques et des capteurs optiques pour des mesure de grandeurs physiques notamment pour des applications en astrophysique, en chimie et en biologie.
La fabrication des guides d’ondes en optique intรฉgrรฉe fait appel ร  plusieurs types de matรฉriaux comme: Les matรฉriaux ferroรฉlectriques comme le niobate de lithium, avec des guides d’ondes rรฉalisรฉs soit par diffusion d’un mรฉtal, soit par รฉchange protonique ;
Le silicium et les guides ร  base de silice ou de nitrure de silicium obtenus par dรฉpรดt CVD (Chemical Vapor Deposition) ou hydrolyse ร  la flamme ;
Les semi-conducteurs III-V et les techniques d’รฉpitaxieย  ; Les polymรจres et les guides rรฉalisรฉs par transformation chimique provoquรฉe par irradiation UV ; Le verre et les techniques de diffusion d’ions .
Nous allons cependant donner un exemple de l’utilisation du silicium en optique intรฉgrรฉe et de l’intรฉgration des miroirs optiques. Le silicium, matรฉriau de base de la microรฉlectronique, peut รชtre utilisรฉ en optique intรฉgrรฉe pour rรฉaliser des dรฉpรดts de couches minces et des gravures. Des matรฉriaux comme la silice, l’oxynitrure ou le nitrure de silicium, dรฉrivรฉs du silicium, sont des matรฉriaux qui ont d’excellentes qualitรฉs optiques. Nous notons aussi la possibilitรฉ d’effectuer des gravures profondes permettant ainsi le positionnement direct des fibres optiques monomodes et un alignement quasi parfait des entrรฉes et des sorties des circuits optiques. Des gravures en V ainsi que des gravures en U peuvent aussi รชtre effectuรฉes.
Les couches piรฉzoรฉlectriques d’oxyde de zinc sur silicium, sur silice ou sur du nitrure de silicium permettent d’obtenir des composants acousto-optiques performants.

Les biopuces

La rencontre entre la microรฉlectronique, les microsystรจmes, la chimie des acides nuclรฉiques, la bioinformatique et la biologie est ร  la naissance des biopuces qui sont conรงues dans une lame de verre ou de silicium de la taille d’une lame de microscope. Comme son nom l’indique, elles sont conรงues pour des applications biologiques et permettent d’analyser en gรฉnรฉral des milliers de sรฉquences d’ADNย  ou de protรฉines.
Grรขce aux biopuces, on obtient ainsi la possibilitรฉ de mesurer le niveau d’expression de plusieurs milliers de gรจnes simultanรฉment. Les applications ne cessent d’augmenter dans de nombreux domaines comme la pharmacologie, la mรฉdecine ou l’environnement.
Des รฉtudes ont montrรฉ que les biopuces permettaient de dรฉtecter le gรจne qui est responsable du cancer du sein .
Les biopuces sont aussi utilisables dans les chaรฎnes de production agroalimentaire car ils sont particuliรจrement efficaces dans la reconnaissance de l’origine des espรจces animales qui composent les produits alimentaires et dans la dรฉtection et le contrรดle des sรฉquences des semences provenant d’organismes gรฉnรฉtiquement modifiรฉs .
Il existe des applications environnementales pour l’analyse microbiologique de l’eau de consommation et d’une maniรจre gรฉnรฉrale pour le contrรดle qualitรฉ en milieu industriel pour renforcer la sรฉcuritรฉ des produits.
Des systรจmes de plus en plus compliquรฉs sont conรงu de nos jours avec notamment la puce intรฉgrรฉe dรฉveloppรฉe par la mรฉthode PCR (Polymerase Chain Reaction ou Amplification en chaine par polymรฉrase) au CEA-LETI en collaboration avec St Microelectronics . La partie gnsee correspond ร  une plaque de silicium de 3 cm 2 environ. Des รฉlรฉments chauffants et des dรฉtecteurs de tempรฉrature sont implantรฉs dans le silicium par des procรฉdรฉs de microรฉlectronique. Sous ces รฉlรฉments chauffants, se trouvent des canaux creusรฉs selon un procรฉdรฉ dรฉveloppรฉ par STMicroelectronics. L’รฉchantillon et les rรฉactifs d’amplification et de marquage sont injectรฉs par une extrรฉmitรฉ de la puce et une fois amplifiรฉs, les fragments sont collectรฉs .

Les diffรฉrentes ondes acoustiques

Ondes de volume :Ces ondes peuvent exercer une contrainte de compression et l’onde est dite longitudinale ou L ou de cisaillement et l’onde est dite transversale ou T. Ces ondes sont caractรฉrisรฉes par leur cรฉlรฉritรฉ et l’attรฉnuation de propagation qui rรฉsulte des mรฉcanismes de dissipation et d’interaction de l’onde avec le milieu. Ces grandeurs associรฉes ร  la masse volumique sont des caractรฉristiques intrinsรจques du milieu de propagation. Nous utiliserons principalement des ondes de volumes dans le microsystรจme que nous proposons d’รฉtudier.
Ondes de surface :Comme leur nom l’indique, l’รฉnergie de ces ondes est confinรฉe en surface d’un matรฉriau et la dรฉformation du matรฉriau est pratiquement nulle au-delร  d’une profondeur d’une longueur d’onde. Parmi les ondes de surface, l’onde de Rayleigh est la plus connue et la plus souvent utilisรฉe. Elle a รฉtรฉ dรฉcouverte en 1885 par Lord Rayleigh. Si son dรฉplacement se fait en surface, le mouvement qu’elle effectue reste complexe car celui-ci est la somme d’un mode de propagation L et d’un mode de propagation T ร  la fois.
Ondes de Love :Elle fut รฉtรฉ dรฉcouverte en 1911 par A. E. H. Love. Son dรฉplacement s’effectue par un mouvement de cisaillement vertical et elle est aussi souvent prise en compte en sismologie car le dรฉplacement liรฉ ร  cette onde peut causer d’importants dรฉgรขts en cas de tremblements de terre. Il faut noter que les ondes de Love ne se propagent que dans les solides non homogรจnes.

Acoustique haute frรฉquence

C’est depuis les annรฉes 1974 et 1975 qu’est apparue l’idรฉe d’utiliser une onde acoustique de frรฉquence supรฉrieure ร  1 GHz pour rรฉaliser une image des propriรฉtรฉs รฉlastiques ร  l’รฉchelle microscopique. Dans ce domaine de frรฉquence la rรฉsolution obtenue en microscopie acoustique ร  balayage dans l’eau est comparable ร  la rรฉsolution obtenue avec un microscope optique soit environ 1,5 ยตm.

Microscopie acoustique

C’est dans les annรฉes 70, ร  l’universitรฉ de Stanford (Californie) que Quate et Lemonsย  conรงoivent un microscope acoustique ร  balayage avec une rรฉsolution proche ou meilleure que le micromรจtre SAM. Il fonctionne en transmission et ร  une frรฉquence du Gigahertz. Depuis, ce systรจme n’a cessรฉ de progresser et nous fabriquons aujourd’hui des microscopes acoustiques ร  balayage en transmission et en rรฉflexion pour des frรฉquences pouvant avoisiner quelques gigahertz.
Un microscope acoustique est composรฉ d’un gรฉnรฉrateur G qui est chargรฉ de fournir un signal รฉlectrique modulรฉ ร  un รฉlรฉment piรฉzoรฉlectrique (en oxyde de zinc par exemple) qui va convertir le signal รฉlectrique en onde mรฉcanique. Ce faisceau est alors focalisรฉ sur l’objet A, immergรฉ dans un liquide (de l’eau par exemple), par l’intermรฉdiaire d’une lentille Cd convergente (sa cรฉlรฉritรฉ รฉtant infรฉrieur ร  celui du liquide d’immersion). Cette lentille est gรฉnรฉralement en saphir, ce qui permet de rรฉaliser une lentille acoustique ร  fort indice et par consรฉquence un dispositif pratiquement exempt d’aberrations sphรฉriques. Le faisceau acoustique transmis par l’รฉchantillon est alors recueilli par une lentille identique Ob puis reconverti en onde plane dans la direction du transducteur rรฉcepteur. Ce dernier reconvertit l’onde acoustique en un signal รฉlectrique qui module, aprรจs amplification l’intensitรฉ du faisceau d’un moniteur M dont le balayage est synchrone du dรฉplacement de l’objet.

Acoustique picoseconde

Dรฉcouvert au dรฉbut des annรฉes 80, l’acoustique picoseconde est une technique optique dรฉfinie par une source laser qui produit des impulsions trรจs brรจves. L’รฉnergie lumineuse dรฉposรฉe est ensuite absorbรฉe par le matรฉriau, convertie en chaleur, puis en dilatation du matรฉriau, ce qui engendre une vibration qui se propage alors. Cette onde va se retrouver sur l’autre face du matรฉriau aprรจs un temps de retard. Enfin, ce sont ces deux modifications qui vont permettre de mesurer l’amplitude et la phase de la variation relative de rรฉflectivitรฉ grรขce ร  un second faisceau couplรฉ ร  un interfรฉromรจtre.
C’est en 1984 que le chercheur H. Maris et son รฉquipe de l’universitรฉ Brown , dรฉcouvre en รฉtudiant la rรฉponse d’un film d’ As2 Te3 soumis ร  une brรจve impulsion de lumiรจre, que le signal obtenu est liรฉ ร  une vibration de l’รฉchantillon . L’application de cette technique a permis de mesurer la vitesse d’ondes acoustiques longitudinales et leur attรฉnuation. Dans la foulรฉe, une collaboration avec l’รฉquipementier Rudolph, a permis de mettre sur pied un outil mรฉtrologique basรฉ sur cette mรฉthode, il s’agit du Metapulseย  qui est basรฉ sur la mesure d’รฉpaisseur. Notamment au Japon O. Wright a รฉtudiรฉ deux montages: un premier pour montrer que sous l’effet de l’impulsion acoustique, il est possible de dรฉtecter la dรฉflexion du faisceau et un second pour proposer un montage qui permet d’imager la surface d’un รฉchantillon aprรจs l’excitation de ce dernier .
En France, le premier montage est l’ล“uvre de B. Perrin et B. Bonello en 1993. Ils ont dรฉveloppรฉ ensuite en 1996 un montage interfรฉromรฉtrique permettant d’obtenir la phase ainsi que l’amplitude du signal de rรฉflectivitรฉ .
Au sein du laboratoire IEMN, un montage pour l’acoustique picoseconde a vu le jour grรขce ร  A. Devos et permet d’รฉtudier l’incidence de la longueur d’onde dans les mรฉcanismes de dรฉtection. Les montages sont de plus en plus nombreux en France , notamment ร  Bordeaux dans les laboratoires du LMP, du CPMOH et l’IXL. L’exploitation de cette mรฉthode est trรจs importante ร  travers le mondeย  notamment par l’รฉquipe C.J.K. Richardson ร  Baltimore, Chi-Kuang Sun ร  Taipei, J. Vollemann ร  l’ETH de Zurich, K. Nelson au MIT dans le Massachussetts, T. Dekorsy ร  l’institut Fraunhofer en Allemagne.
L’acoustique picoseconde permet de gรฉnรฉrer et de dรฉtecter des ondes acoustiques ร  des frรฉquences avoisinant le Tรฉrahertz.

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Table des matiรจres

Introduction Gรฉnรฉraleย 
CHAPITRE 1: Introduction aux microsystรจmes acoustiquesย 
1.1 Introductionย 
1.2 Les microsystรจmesย 
1.2.1 Dรฉfinitions et รฉtat de l’art
1.2.2 Les diffรฉrents types de microsystรจmes et leurs applications possibles
1.2.3 Les microsystรจmes pour l’actionnement
1.2.4 Les capteurs et dispositifs de traitement des signaux
1.2.4.1 Les MO EMS, Optique intรฉgrรฉe et miroirs optiques
1.2.4.2 Les Biopuces
1.2.4.3 Les BIOMEMS/Laboratoires sur puce
1.2.4.4 Les microsystรจmes acoustiques
1.2.5 Aperรงu des dรฉveloppements rรฉalisรฉs dans le domaine de la microfluidique
1.3 Introduction ร  l’acoustiqueย 
1.3.1 Gรฉnรฉralitรฉs sur les ondes acoustiques
1.3.1.1 Les diffรฉrentes ondes acoustiques
1.3.1.2 Applications des ultrasons ร  la caractรฉrisation des milieux
1.3.1.3 Utilisation en transmission
1.3.2 Acoustique hautefrรฉquence
1.3 .2.1 Microscopie acoustique
1.3.2.2 Acoustique picoseconde
1.4 Dรฉveloppement d’un microsystรจme acoustiqueย 
1.5 Conclusionย 
CHAPITRE 2: Etude de dรฉveloppement du microsystรจme proposรฉ
2.1 Introductionย 
2.2 Gรฉnรฉralitรฉs sur les ondes acoustiquesย 
2.2.1 Rappels d’รฉlasticitรฉ et loi de Hooke
2.2.2 Rappels sur la piรฉzoรฉlectricitรฉ
2.3 Les conditions de continuitรฉ ร  l’interface de deux matรฉriauxย 
2.3.1 Rรฉflexion et transmission en incidence oblique ou normale
2.3.2 Propagation ร  travers un milieu illimitรฉ et un multicouche sous incidence normale
2.3.2.1 Cas d’un milieu illimitรฉ
2.3.2.2 Cas d’une multicouche
2.3.2.3 Calcul des pertes d’insertion ร  l’interface de deux milieux
2.4 Modรฉlisation des milieux piรฉzoรฉlectriques par le modรจle d’ Auld
2.4.1 Modรฉlisation de l’oxyde de zinc
2.4.2 Modรฉlisation du Niobate de Lithium dans le plan cristallin Y tournรฉ de 36ยฐ autour de l’axe X
2.5 Estimation des pertes et des performances attenduesย 
2.5.1 Conversion de mode au niveau des miroirs ร  45ยฐ
2.5.2 Adaptation d’impรฉdance entre le substrat et le canal microfluidique
2.5.3 Adaptation d’impรฉdance รฉlectrique du transducteur
2.5.4 Absorption dans les matรฉriaux
2.5.5 Bilan sur l’estimation des pertes et des performances
2.6 Rรฉalisation technologique des รฉlรฉments de notre microsystรจme
2.7 Conclusionย 
CHAPITRE 3: Modรฉlisation par รฉlรฉments finisย 
3.1 Introduction
3.2 Diffรฉrents types de maillage
3.2.1 Rappels et dรฉfinitions
3.2.2 Choix du maillage dans notre cas
3.3 Modรฉlisation sous Comsol
3.3.1 Prรฉsentation du logiciel
3.3.2 Dรฉfinitions, mise en รฉquation et implรฉmentation sous Comsol des รฉlรฉments qui composent notre microsystรจme
3.3.2.1 Pour les solides piรฉzoรฉlectriques
3.3.2.2 Pour les solides non piรฉzoรฉlectriques
3.3.2.3 Pour les fluides
3.3.3 Implรฉmentation des conditions aux limites
3.3.3.1 Conditions aux limites
3.3.3.2 Les milieux parfaitement absorbants (PML)
3.3.3.2.1 Intรฉrรชt de l’utilisation des PML en rรฉgime harmonique
3.3.3.2.2 Etat de l’art sur les PML
3.3.3.2.3ย  Dรฉfinitions et implรฉmentation des C-PML sous Comsol en rรฉgimeย harmonique
3.3.3.2.4 C-PML dans les solides piรฉzoรฉlectriques
3.3.3.2.5 C-PML dans les solides non-piรฉzoรฉlectriques
3.3.3.2.6 C-PML dans les fluides
3.3.4 Affichage des rรฉsultats
3.3.4.1 Mรฉthode d’affichage
3.3.4.2 Mรฉthode de calcul utilisรฉe pour passer du rรฉgime harmonique au rรฉgime impulsionnel
3.4 Validation de la mรฉthode utilisรฉe par l’รฉtude de quelques casย 
3.4.1 Prรฉsentation des cas simples ร  รฉtudier
3.4.2 Etude de l’efficacitรฉ des C-PML
3.4.2.1 Position du problรจme
3.4.2.2 Efficacitรฉ des C-PML dans du silicium rendu isotrope
3.4.2.3 Efficacitรฉ des C-PML dans du silicium
3.4.2.4 Efficacitรฉ des C-PML dans de l’oxyde de zinc
3.4.3 Etude du champ rayonnรฉ
3.4.3.1 Position du problรจme
3.4.3.2 Rรฉponse en frรฉquence
3.4.3.3 Etude thรฉorique du champ rayonnรฉ
3.4.3.3.1 Calcul du champ rayonnรฉ
3.4.3.3.2 Critรจre de calcul de la largeur du faisceau
3.4.3.4 Diagramme de rayonnement
3.4.4 Propagation de l’onde en fonction du temps
3.5 Conclusionย 
CHAPITRE 4: Prรฉsentations des rรฉsultats de modรฉlisation et premiers rรฉsultats expรฉrimentauxย 
4.1 Introductionย 
4.2 Modรฉlisation du microsystรจme sous Comsol
4.2.1 Etude de la conversion de mode au niveau des miroirs
4.2.1.1 Conditions de simulations pour l’รฉtude de la conversion de mode
4.2.1.2 Etude de la conversion de mode au niveau du miroir
4.2.2 Comparaison entre du silicium et du silicium rendu isotrope
4.2.3 Comparaison entre milieu piรฉzoรฉlectrique รฉtendu ou localisรฉ
4.2.3.1 Transducteur Zn0
4.2.3.2 Transducteur LiNb03 dans le plan cristallin Y tournรฉ de 36ยฐ autour de l’axe X
4.2.3.3 Comparaison entre le ZnO et le LiNb03 dans le plan cristallin Y tournรฉ de 36ยฐ autour de l’axe x
4.2.4 Modรฉlisation du microsystรจme associรฉ au canal microjluidique
4.2.5 Modรฉlisation du microsystรจme proposรฉ
4.3 Mesures expรฉrimentalesย 
4.3.1 Principe des mesures expรฉrimentales
4.3.2 Caractรฉrisation des transducteurs
4.3.3 Caractรฉrisation des couches adaptation d’impรฉdance mรฉcanique
4.3.4 Caractรฉrisation du microsystรจme sans canal microjluidique
4.3.5 Caractรฉrisation du microsystรจme avec canal microjluidique
4.4 Conclusionย 
Conclusion Gรฉnรฉraleย 

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