Les capteurs de gaz connaissent un dรฉveloppement important depuis quelques annรฉes. Le marchรฉ global pour les รฉquipements de dรฉtection de gaz รฉvaluรฉ dans un rapport rรฉcent de Global Industry Analysts Inc., estimรฉ ร 1,24 milliards de dollars US en 2008 devrait atteindre 1,4 milliards de dollars en 2012. Ce marchรฉ est partagรฉ en grande partie entre lโAmรฉrique du Nord (USA et Canada) et lโEurope avec un marchรฉ estimรฉ en 2008 respectivement ร 493 millions de dollars et 399 millions de dollars [1]. Mais avec la rapide industrialisation de pays รฉmergents asiatiques et sud amรฉricains, ce marchรฉ promet un essor spectaculaire surtout avec la forte demande due aux prรฉoccupations de notre temps en matiรจre dโenvironnement, de sรฉcuritรฉ et de contrรดle des procรฉdรฉs. Ces dispositifs de dรฉtection offrent potentiellement des applications dans les principaux domaines qui sont le transport, lโenvironnement, la santรฉ, lโindustrie et lโagroalimentaire.
Aujourdโhui, nous pouvons trouver dans la littรฉrature et dans le commerce divers รฉquipements de dรฉtection de gaz parmi lesquels se situent les dรฉtecteurs de gaz (capteurs รฉlectrochimique, capteurs ร base dโoxydes mรฉtalliques de type rรฉsistif, catalytique, piรฉzoรฉlectrique, โฆ). Lโintรฉrรชt croissant pour ces capteurs aussi bien dans le domaine de la recherche et en industrie provient de plusieurs raisons. Nous pouvons citer entre autre, des coรปts de fabrication avantageux favorisรฉs par le dรฉveloppement des technologies de la microรฉlectronique ; ce qui permet de rรฉduire la taille des composants et donc de rรฉaliser un grand nombre de capteurs sur une mรชme plaquette de silicium.
La fabrication de ces dispositifs associe les technologies standards de la microรฉlectronique que sont par exemple les mรฉthodes dรฉpรดts de couches, les mรฉthodes photolithographie,โฆmais รฉgalement de nouvelles techniques de micro usinage, de nouveaux procรฉdรฉs de photolithographie ainsi que lโutilisation de nouveaux matรฉriaux. Tout ceci devrait permettre de multiplier et de rรฉpondre aux besoins du marchรฉ tels quโun coรปt de fabrication faible, une puissance de consommation basse, une stabilitรฉ du dispositif, reproductibilitรฉ et fiabilitรฉ des rรฉponses, une portabilitรฉ et donc simplicitรฉ.
Parmi les capteurs dรฉveloppรฉs ร ce jour, les capteurs de gaz semi-conducteurs rรฉpondent aux besoins liรฉs au coรปt de fabrication ; ils sont en effet non seulement trรจs bien adaptรฉs aux techniques de la microรฉlectronique, mais intรจgrent รฉgalement des matรฉriaux avec de coรปts raisonnablement bas tels que les oxydes mรฉtalliques. Les premiers capteurs de gaz ร base dโoxydes mรฉtalliques commercialisรฉs ont รฉtรฉ dรฉveloppรฉs par Seiyama et Taguchi dans les annรฉes 60 [3]. Ils utilisaient ZnO et SnO2 comme matรฉriaux sensibles pour la dรฉtection des gaz de pรฉtrole liquรฉfiรฉs LPG (liquid petroleum gases). Depuis, de nombreux travaux de recherches ont รฉtรฉ rรฉalisรฉs et le sont encore ร ce jour pour amรฉliorer leurs performances, toujours perfectibles (stabilitรฉ, reproductibilitรฉ et sรฉlectivitรฉ).
Capteurs chimiques de gaz
GรNรRALITรS
Il existe une grande variรฉtรฉ de techniques analytiques utilisables pour la dรฉtection et lโanalyse dโenvironnement gazeux [4]. Certaines de ces techniques telles que la chromatographie et la spectroscopie ร infrarouge sont utilisรฉes pour une analyse complรจte et de haute prรฉcision du milieu gazeux รฉtudiรฉ, mais elles nรฉcessitent des dispositifs (analyseurs) coรปteux et encombrants induisant un fonctionnement ponctuel. Dโautres techniques employรฉes notamment dans des dispositifs de type capteurs, ont quant ร elle lโavantage dโรชtre de faible coรปt (dispositifs de petite taille) et de fonctionner aussi bien de maniรจre ponctuelle que continue (en temps rรฉel).
LES CAPTEURS DE GAZ A OXYDES METALLIQUES (MOX)ย
Si lโidรฉe dโutiliser les oxydes mรฉtalliques dans la dรฉtection de gaz date de 1953 [21], il a fallu attendre 1962 pour voir la mise en ลuvre de dispositifs de dรฉtection (brevetรฉs) basรฉs sur le dioxyde dโรฉtain (SnO2) avec les travaux de Taguchi [3] ; suivi dโune production en masse pour commercialisation dรจs 1968 par la sociรฉtรฉ Figaro Engineering Inc. Depuis, de nombreux travaux de recherches ont รฉtรฉ rรฉalisรฉs et le sont encore ร ce jour. Cet engouement provient du fait que ces capteurs sโadaptent facilement au dรฉveloppement de nouvelles technologies de la microรฉlectronique ; technologies qui permettent dโamรฉliorer leurs performances, de minimiser leur consommation et de diminuer leur coรปt de production, mรชme si leur sรฉlectivitรฉ et leur stabilitรฉ restent ร ce jour problรฉmatiques.
Principe de fonctionnementย
Le principe de fonctionnement des capteurs ร oxydes mรฉtalliques est basรฉ sur la variation de la conductivitรฉ รฉlectrique de la couche sensible chauffรฉe ร haute tempรฉrature (300ยฐC – 500ยฐC) en prรฉsence de gaz.
Ce principe fait donc ressortir les principaux constituants de ce type de capteurs :
โ un systรจme de chauffage et de mesure qui a pour but dโamener la couche sensible ร la tempรฉrature adรฉquate. Ce systรจme comprend principalement un รฉlรฉment chauffant (ou heater) de type rรฉsistif et des รฉlectrodes nรฉcessaires ร la mesure des variations de conductivitรฉ. Il est donc dโune importance capitale pour les capteurs de gaz MOX.
โ la couche dโoxyde mรฉtallique qui va rรฉagir avec les gazย .
Description des constituants du capteur de gaz MOXย
Le systรจme de chauffage et de mesure
A ce jour, 3 catรฉgories de systรจmes de chauffage ont รฉtรฉ dรฉveloppรฉes. Nous avons le systรจme chauffant de type filaire. Il consiste en une seule mรฉtallisation qui joue ร la fois le rรดle de heater et le rรดle dโรฉlectrode de mesure. Le second systรจme est de type tubulaire qui comporte deux mรฉtallisations. Enfin, nous avons le systรจme chauffant de type plateforme. Il sโagit ici dโun systรจme plan.
Le systรจme de chauffage de type filaire
Le systรจme filaire est trรจs proche des pellistors, en matiรจre de design [15, 16]. La structure consiste en un heater (bobine de platine (Pt) en gรฉnรฉral) qui joue aussi le rรดle dโรฉlectrode de mesure . Ce systรจme a ses avantages et ses inconvรฉnients [22]. Les principaux avantages de cette structure, comme dans tous dispositifs monomรฉtalliques, sont une faible rรฉsistance, une faible puissance de consommation et la simplicitรฉ du dispositif dโalimentation du heater et de lโรฉlectrode de mesure. De faรงon gรฉnรฉral, la rรฉsistance initiale du capteur dรฉterminรฉe par le Pt nโest pas sujette aux dรฉrives grรขce ร lโutilisation dโun heater en Pt connu pour sa grande stabilitรฉ ร haute tempรฉrature.
Le systรจme chauffant de type tubulaire
Il sโagit de lโarchitecture typique de la gamme TGS8XX dรฉveloppรฉe et commercialisรฉe par la sociรฉtรฉ Figaro Engineering Inc . Ce systรจme comprend un tube en cรฉramique isolant et poreux ร lโintรฉrieur duquel se trouve le heater (filament chauffant) en platine. Les รฉlectrodes de mesure en or, sont รฉlaborรฉes sur les extrรฉmitรฉs du tube.
Les capteurs utilisant ce systรจme de chauffage prรฉsente une bonne fiabilitรฉ sur une longue pรฉriode, une longue durรฉe de vie. Cependant, la plupart des capteurs de ce type ont deux inconvรฉnients majeurs ร savoir une consommation รฉlevรฉe pour un fonctionnement optimal entre 300ยฐC et 500ยฐC (puisquโils nรฉcessitent en rรฉgime nominal une puissance comprise entre 200mW et 1W) et un temps de rรฉponse de lโordre de 15s.
Le systรจme chauffant de type plateformeย
De nombreux articles ont รฉtรฉ publiรฉs sur ce type de systรจme chauffant . Les structures de type plateforme ont lโavantage dโรชtre compatibles avec les technologiques microรฉlectroniques. Un autre avantage avec cette structure est quโil est possible de microusiner la mรฉtallisation (serpentin, anneau,โฆ). Elles peuvent รชtre classรฉes en deux catรฉgories.
Plateformes sur substrat
Nous pouvons distinguer deux sortes de structures en ce qui concerne les plateformes sur substrat. Une premiรจre structure consiste ร avoir sur une mรชme face du substrat le heater et les รฉlectrodes de mesure . Le heater est micro-usinรฉ sur la face arriรจre dโun substrat tandis que les รฉlectrodes de mesure sont dรฉposรฉes sur la face avant.
En ce qui concerne la mรฉtallisation sur la mรชme face, nous avons lโexemple de la structure ร une mรฉtallisation dans laquelle le heater et lโรฉlectrode de mesure sont le mรชme รฉlรฉment comme dans la structure du systรจme de chauffage filaire citรฉ plus haut. Par contre, contrairement au systรจme filaire, la fragilitรฉ mรฉcanique du capteur en mode pulsรฉ peut รชtre attรฉnuรฉe par la plateforme sur substrat [22]. Par ailleurs, il est difficile de retrouver les performances du systรจme filaire en termes de stabilitรฉ de la rรฉsistance initiale du capteur et de dรฉtection de gaz avec les plateformes ร une mรฉtallisation. En effet, dans la structure de type plateforme, la tenue du Pt sur certains substrats, nรฉcessite une couche dโadhรฉsion telles que Ti, Cr, Taโฆ (Voir influence de la couche dโadhรฉsion plus loin dans ce chapitre). Cependant ร cause de phรฉnomรจnes de diffusion de cette couche dans le Pt (surtout pour des applications hautes tempรฉrature), des problรจmes de dรฉrive peuvent apparaรฎtre modifiant ainsi la rรฉsistance initiale du capteur. Il faut ajouter ร cela les inconvรฉnients liรฉ ร lโutilisation dโune seule mรฉtallisation (mauvais contrรดle de la tempรฉrature de travail, difficultรฉ dโobtenir une bonne corrรฉlation entre RPt et RMeO favorisant une rรฉponse maximale aux gaz . Il est important dโajouter aussi que le Pt peut rรฉagir comme catalyseur dans les phรฉnomรจnes de dรฉtection de gaz et modifier les propriรฉtรฉs du heater et rรฉduire par consรฉquent les performances du capteur.
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Table des matiรจres
INTRODUCTION GENERALE
CHAPITRE 1. LES CAPTEURS CHIMIQUES DE GAZ
PARTIE 1. GรNรRALITรS
PARTIE 2. LES CAPTEURS DE GAZ A OXYDES MรTALLIQUES (MOX)
I. Principe de fonctionnement
II. Description des constituants du capteur de gaz MOX
A. Le systรจme de chauffage et de mesure
1. Le systรจme de chauffage de type filaire
2. Le systรจme chauffant de type tubulaire
3. Le systรจme chauffant de type plateforme
B. La couche sensible oxyde mรฉtallique
1. Les oxydes mรฉtalliques
2. Le principe de dรฉtection
3. Les principaux paramรจtres dโinfluence et amรฉlioration des performances des capteurs MOX
III. Les principales caractรฉristiques des capteurs MOX
A. La sensibilitรฉ
B. La sรฉlectivitรฉ
C. La stabilitรฉ
D. La rรฉpรฉtabilitรฉ
E. Le temps de rรฉponse
PARTIE 3. SYNTHรSE, PROBLรMATIQUE ET OBJECTIFS
CHAPITRE 2. TECHNOLOGIE DES CAPTEURS DE GAZ MOX DU LAAS
PARTIE 1. LA PRรCรDENTE GรNรRATION DE PLATEFORME CHAUFFANTE
I. Description de la plateforme
II. Description dรฉtaillรฉe du procรฉdรฉ de fabrication
A. รtape 1 : nettoyage du substrat
B. รtape 2 : La membrane diรฉlectrique
C. รtape 3 : La rรฉalisation du heater
D. รtape 4 : Lโisolation รฉlectrique de la membrane
E. รtape 5 : Lโouverture des contacts sur le heater
F. รtape 6 : Le dรฉpรดt des รฉlectrodes de la couche sensible
G. รtape 7 : la libรฉration de la membrane
III. Performances de cette plateforme
IV. Ses limites
A. Au niveau de la membrane
B. Au niveau de la mรฉtallisation
V. Nos objectifs
PARTIE 2. LES OPTIMISATIONS
I. Optimisation numรฉrique
A. Nouveau design de la plateforme
B. Matรฉriaux et leurs caractรฉristiques
C. Description de lโoutil de simulation
1. Gรฉnรฉralitรฉs
2. Le Transfert thermique
D. La simulation รฉlectrothermique
1. Structure ยซ heater passivรฉ sur membrane ยป
2. La plateforme entiรจre : insertion des รฉlectrodes de mesure
II. Optimisation technologique
A. La rรฉalisation technologique
1. La conception des masques
2. Les optimisations technologiques
B. Caractรฉrisation de la plateforme
1. Caractรฉrisations physiques
2. Caractรฉrisation รฉlectrique
3. Caractรฉrisation รฉlectrothermique
4. Caractรฉrisation รฉlectromรฉcanique
5. Stabilitรฉ du capteur ร long terme : test de vieillissement
PARTIE 3. CONCLUSION
CHAPITRE 3. INTรGRATION DE COUCHES SENSIBLES
PARTIE 1. LA COUCHE DE SnO2 NANOPARTICULAIRE
I. Le procรฉdรฉ actuel
A. La synthรจse
B. Le dรฉpรดt
C. Transformation du Sn/SnOX en SnO2 ou oxydation thermique sous air
D. Les problรจmes dโintรฉgration
II. Voies dโamรฉlioration
A. Une nouvelle synthรจse
B. Intรฉgration de la couche sensible par lโutilisation dโune microcuve
1. Nรฉcessitรฉ de la microcuve
2. Fabrication de la cuve et intรฉgration de la couche sensible
3. รlimination de la microcuve
PARTIE 2. INTEGRATION DโUNE COUCHE DE ZnO PAR JET DโENCRE
I. Principe du jet dโencre
A. Les diffรฉrentes techniques de dรฉpรดt
B. Approche thรฉorique de lโimpact dโune goutte sur une surface
II. Lโintรฉgration de la couche sensible sur le substrat
A. La synthรจse de lโencre
B. Lโintรฉgration de lโencre ร base de ZnO
III. Comportement รฉlectrique du ZnO et caractรฉrisation sous gaz
A. Influence du nombre de gouttes du dรฉpรดt du ZnO
B. Rรฉponse sous gaz
C. รvaluation de la sensibilitรฉ relative
PARTIE 3. CONCLUSION
CHAPITRE 4. CARACTรRISATIONS SOUS GAZ
PARTIE 1. BANCS DE TESTS
PARTIE 2. LA CARACTรRISATION DES CAPTEURS SOUS GAZ
I. รtudes prรฉliminaires
A. Influence de la mรฉthode dโintรฉgration du SnO2 nanoparticulaire : disparitรฉ des rรฉponses sous air
B. La stabilisation
II. Caractรฉrisation en mode isotherme
A. Concentration fixe : รฉtude de reproductibilitรฉ ร court terme
B. CO et C3H8 concentration variable
1. Rรฉponses des capteurs : Rรฉsistance du SnO2 et sensibilitรฉ relative au CO et C3H8
2. Reproductibilitรฉ et stabilitรฉ des rรฉponses
3. Recherche des causes de la perte de sensibilitรฉ des capteurs ร base de SnO2 nanoparticulaire
III. Caractรฉrisation ร tempรฉrature variable ou mode dynamique
A. Le mode dynamique
B. Rรฉponses du capteur ร base de poudre de SnO2
1. Rรฉponses sous air
2. Rรฉponses sous gaz CO et C3H8
PARTIE 3. CONCLUSION
CONCLUSION GENERALE
BIBLIOGRAPHIE
ANNEXE