LA SUSCEPTIBILITE ELECTROMAGNETIQUE DES SYSTEMES EMBARQUES

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La source de perturbation

Une source de perturbation est lโ€™รฉlรฉment ร  lโ€™origine de nโ€™importe quelle forme de signal non dรฉsirรฉ. Un systรจme perturbateur contient un รฉlรฉment ร  lโ€™origine de cette perturbation. Cet รฉlรฉment peut lui aussi รชtre considรฉrรฉ comme contenant un ou plusieurs รฉlรฉment(s) encore plus petit(s) ร  lโ€™origine de cette perturbation.
Ainsi, une source peut รชtre dรฉcomposรฉe en une autre source et un couplage. Par exemple, l’รฉmission d’un microcontrรดleur est le rรฉsultat de la commutation de cellules logiques. Les mรฉtallisations de la puce ainsi que les pistes du boรฎtier ou du circuit imprimรฉ servent d’antenne pour transformer les transitoires de courant dans chaque cellule individuelle en un champ รฉlectromagnรฉtique.

La victime de la perturbation

Une victime peut aussi รชtre dรฉcomposรฉe en sous รฉlรฉments. Cependant, son critรจre de susceptibilitรฉ varie รฉgalement selon qu’on observe le circuit intรฉgrรฉ ou le systรจme global.
Par exemple, pour un mรชme rรฉcepteur tรฉlรฉphonique, on pourra se focaliser sur :
– La qualitรฉ du signal analogique. Cโ€™est un critรจre qui nโ€™implique que lโ€™antenne et les composants analogiques qui lui sont associรฉs.
– La qualitรฉ du signal reรงu par lโ€™ensemble du systรจme. Cette condition est liรฉe ร  lโ€™antenne et aux autres composants de la chaรฎne de rรฉception.
– La rรฉcupรฉration de lโ€™information transmise. Cette condition peut รชtre liรฉe ร  lโ€™ensemble de la rรฉception. Mais elle peut aussi concerner uniquement la conversion analogique numรฉrique ou encore le traitement numรฉrique de lโ€™information.
Afin de caractรฉriser le comportement d’un appareil indรฉpendamment des autres, les couplages sont nรฉcessairement dรฉcomposรฉs en deux sous couplage : source/environnement et environnement/victime, c’est pour cela que les normes font appel ร  diffรฉrents types d’environnements rรฉsidentiel et commercial lรฉger ou industriel dans la plupart des cas.

Approche de la CEM dans les systรจmes embarquรฉs

Un systรจme embarquรฉ peut รชtre dรฉfini comme un systรจme รฉlectronique et/ou informatique autonome. Ses ressources disponibles sont gรฉnรฉralement limitรฉes. Cette limitation est souvent liรฉe ร  sa taille limitรฉe. Les systรจmes embarquรฉs font trรจs souvent appel ร  l’informatique, et notamment aux systรจmes temps rรฉel.
Un systรจme embarquรฉ exรฉcute des tรขches prรฉdรฉfinies et doit rรฉpondre ร  un cahier des charges contraignant. Ces contraintes peuvent รชtre d’ordre :
– De coรปt. Le prix de revient doit รชtre le plus faible possible surtout s’il est produit en grande sรฉrie.
– D’espace comptรฉ, ayant un espace mรฉmoire limitรฉ de l’ordre de quelques Giga Octets (Go) maximum. Il convient de concevoir des systรจmes embarquรฉs qui rรฉpondent au besoin le plus juste pour รฉviter un surcoรปt.
– De puissance de calcul. Il convient d’avoir la puissance de calcul juste nรฉcessaire pour rรฉpondre aux besoins et aux contraintes temporelles de la tรขche prรฉdรฉfinie. Ceci a pour objectif d’รฉviter un surcoรปt de l’appareil et de rรฉduire sa consommation d’รฉnergie.
– De consommation รฉnergรฉtique la plus faible possible, due ร  l’utilisation de batteries et/ou de panneaux solaires voire de pile ร  combustible pour certains prototypes.
– Temporel, c’est-ร -dire que les temps d’exรฉcution et l’รฉchรฉance temporelle dโ€™une tรขche sont dรฉterminรฉs ร  l’avance (les dรฉlais sont connus ou bornรฉs a priori). Cette derniรจre contrainte fait que gรฉnรฉralement de tels systรจmes ont des propriรฉtรฉs temps rรฉel.
– De sรฉcuritรฉ et de sรปretรฉ de fonctionnement. Car s’il arrive que certains de ces systรจmes embarquรฉs subissent une dรฉfaillance, ils peuvent mettre des vies humaines en danger, ou bien encore mettre en pรฉrils des investissements importants. Ils sont alors dits ยซ critiques ยป et ne doivent jamais faillir. Par ยซ jamais faillir ยป, il faut comprendre toujours donner des rรฉsultats justes, pertinents et ce dans les dรฉlais attendus par les utilisateurs (machines et/ou humains) desdits rรฉsultats.
Les systรจmes embarquรฉs sont la plupart du temps dans des machines qui doivent fonctionner en continu pendant de nombreuses annรฉes, sans erreurs et, dans certains cas, rรฉparer eux mรชme les erreurs quand elles arrivent. Les contraintes augmentent en fonction de lโ€™importance des tรขches ร  accomplir. En effet, les contraintes pour un avion ne sont pas les mรชmes que pour un tรฉlรฉphone portable. Dans un avion, la sรฉcuritรฉ des passagers ne doit jamais รชtre menacรฉe, elle a une prioritรฉ maximale. C’est pourquoi les รฉquipements embarquรฉs dans un train, un avion ou encore une automobile sont dรฉveloppรฉs et testรฉs avec plus d’attention que ceux dโ€™un ordinateur ou dโ€™un tรฉlรฉphone portable par exemple. Cโ€™est ainsi quโ€™entre en jeu la notion de fiabilitรฉ.
La fiabilitรฉ doit รชtre assurรฉe aussi bien au niveau logiciel que matรฉriel. Au niveau matรฉriel, un des aspects qui doit รชtre bien maรฎtrisรฉ est le problรจme de compatibilitรฉ entre tous les รฉlรฉments constituant le systรจme et entre chacun des รฉlรฉments du systรจme et le milieu environnant.
Du point de vu de la CEM, un bon systรจme embarquรฉ ne doit pas dรฉranger ses voisins et doit รชtre capable de supporter du bruit de leur part, ou plus gรฉnรฉralement de l’environnement. Un systรจme embarquรฉ est la plupart du temps mobile. De ce fait, il peut subir des agressions de plusieurs natures. Contrairement ร  un systรจme fixe, on ne peut pas privilรฉgier un type dโ€™agression plus quโ€™un autre. Les bruits รฉlectromagnรฉtiques et radioรฉlectriques sont le rรฉsultat de tous les courants รฉlectriques induisant une multitude de champs et signaux parasites.
Nous nous intรฉressons en particulier aux problรจmes de compatibilitรฉ รฉlectromagnรฉtique des circuits intรฉgrรฉs. On sโ€™intรฉresse ร  leur รฉmission, ร  leur susceptibilitรฉ et au couplage qui peut exister entre deux circuits intรฉgrรฉs. Dans un systรจme embarquรฉ, lโ€™รฉmission dโ€™un circuit intรฉgrรฉ ne doit pas รชtre une source de perturbation ou de pollution pour un autre circuit intรฉgrรฉ. Rรฉciproquement, tout circuit intรฉgrรฉ dโ€™un systรจme embarquรฉ doit รชtre capable de fonctionner correctement quel que soit lโ€™รฉmission des autres circuits. En somme, notre รฉtude se rapporte surtout ร  la compatibilitรฉ รฉlectromagnรฉtique ร  lโ€™intรฉrieur dโ€™un systรจme embarquรฉ plutรดt quโ€™aux problรจmes de compatibilitรฉ entre deux systรจmes diffรฉrents.
Sources des perturbations รฉlectromagnรฉtiques
Il existe un nombre important de sources plus ou moins perturbatrices pouvant interfรฉrer et perturber le fonctionnement des circuits intรฉgrรฉs ou des systรจmes complexes.
Dรฉcharges รฉlectrostatiques
Les dรฉcharges รฉlectrostatiques (ESD – Electrostatic Discharge) sont lโ€™un des facteurs qui pourra endommager le fonctionnement dโ€™un composant ou circuit รฉlectronique. Les ESD se produisent lorsque deux surfaces diffรฉremment chargรฉes sont frottรฉes lโ€™une contre lโ€™autre. Un phรฉnomรจne se produit dโ€™aprรจs la rรจgle de Cohen [1-2] qui indique que lorsque deux matรฉriaux diffรฉrents sont frottรฉs lโ€™un contre lโ€™autre, celui dont la constante diรฉlectrique est la plus รฉlevรฉe se charge positivement. En effet, dans ce cas, lโ€™isolant se polarise plus facilement et cรจde des รฉlectrons ร  lโ€™autre corps. La densitรฉ de charge superficielle peut รชtre donnรฉe par lโ€™รฉquation (Eq.1.1). = 15. 10โˆ’6(ย  โˆ’ย  ย )(1.1).
Lโ€™impulsion รฉlectromagnรฉtique d’origine nuclรฉaire (IEMN) 

L’impulsion รฉlectromagnรฉtique dโ€™origine nuclรฉaire (IEMN) est l’un des effets des explosions nuclรฉaires. Cโ€™est une impulsion de trรจs forte amplitude et de courte durรฉe. Son temps de montรฉe est de quelques nanosecondes et elle peut atteindre une amplitude maximale de 50 kV/m pendant une durรฉe infรฉrieure ร  1 ยตs [1-7]. Elle contient des frรฉquences allant de 100 kHz ร  10 MHz. Avec les niveaux de champ quโ€™elles produisent, les IEMN sont capables de brouiller des signaux ou endommager des systรจmes รฉlectroniques et informatiques.
Dโ€™autres systรจmes de communications peuvent รชtre aussi lโ€™origine de fortes perturbations, comme les antennes relais utilisรฉes pour la radiodiffusion ou la tรฉlรฉdiffusion, les scanners utilisรฉs dans les bibliothรจques et les aรฉroports, etc.
De tout ceux que lโ€™on vient dโ€™รฉnumรฉrer, on peut catรฉgoriser les sources de perturbations รฉlectromagnรฉtiques en deux groupes : les perturbations permanentes, comme les รฉmetteurs radio, les radars, les bruits des moteurs รฉlectriques, etc. et les perturbations transitoires, comme la foudre, les dรฉfauts dans les lignes dโ€™รฉnergie, les interruptions de courant, les dรฉcharges รฉlectrostatiques, etc.
En somme, toutes ces sources gรฉnรจrent des ondes รฉlectromagnรฉtiques qui rendent les systรจmes embarquรฉs de plus en plus susceptibles.

Consรฉquences des perturbations sur un circuit intรฉgrรฉ

Lโ€™effet dโ€™une perturbation EM sur un circuit intรฉgrรฉ dรฉpend de sa nature et de son amplitude. Des perturbations telles que la foudre ou lโ€™IEMN conduisent le plus souvent ร  la destruction des รฉquipements. Dโ€™autres perturbations peuvent simplement modifier le comportement du composant. On sโ€™intรฉressera plus ร  ce type de perturbation dans ce document
Dans tous les cas, une perturbation emprunte un chemin de couplage pour atteindre un composant. Dโ€™un mode de couplage ร  un autre, les effets dโ€™une mรชme perturbation sur un composant sont identiques. Dans cette partie, on dรฉcrit dโ€™abord les diffรฉrents modes de couplage et de propagation dโ€™une perturbation, puis lโ€™effet de cette derniรจre sur un circuit intรฉgrรฉ.

Mode de couplage

On appelle couplage le processus par lequel l’รฉnergie du perturbateur atteint la victime. Les modes de couplage peuvent รชtre classifiรฉs selon le type de perturbation et selon le support de propagation, par conduction (caractรฉrisรฉ par les courants et diffรฉrences de potentiel), ou par rayonnement (caractรฉrisรฉ par les champs รฉlectriques, et magnรฉtiques). La figure 1.7 illustre ces principes.
Une perturbation issue de la source de perturbation arrive ร  la victime de la perturbation en utilisant un mode conduit ou un mode rayonnรฉ. Nous dรฉcrivons dans la suite les principaux modes de couplage dโ€™une perturbation รฉlectromagnรฉtique [1-1].

Les modes de couplage conduit

Le couplage par impรฉdance commune

Cโ€™est un couplage de type conduit. Dans un couplage par impรฉdance commune, le dispositif perturbateur possรจde une impรฉdance commune avec la victime. Aux bornes de cette impรฉdance commune se trouve une tension gรฉnรฉrรฉe par le courant passant dans le perturbateur. La victime subit cette tension parasite car elle est aussi connectรฉe ร  cette impรฉdance.
Exemple : deux appareils sont branchรฉs sur le rรฉseau 230 V : le perturbateur qui gรฉnรจre des tensions parasites sur la tension du rรฉseau ; une victime qui utilise la mรชme tension du rรฉseau rรฉcupรจre aussi les tensions parasites.

Le couplage capacitif

Cโ€™est aussi un couplage de type conduit. Dans le cas dโ€™un couplage capacitif, il existe sur le perturbateur une tension susceptible de produire des perturbations. Il existe aussi une capacitรฉ entre ce conducteur source et un autre, qui est la victime. Par cette capacitรฉ, de l’รฉnergie รฉlectrique perturbatrice atteint la victime. On rencontre ce type de couplage dans le phรฉnomรจne de diaphonie capacitive. Un conducteur appartenant au circuit perturbateur se trouve dans le mรชme cรขble qu’un conducteur appartenant au circuit victime. Ces deux conducteurs รฉtant proches, il existe une capacitรฉ entre eux, responsable du couplage. Le couplage est d’autant plus รฉlevรฉ que l’impรฉdance du circuit victime est grande, du fait du pont diviseur de tension constituรฉ de la capacitรฉ et de l’impรฉdance de la victime.

Le couplage par champ รฉlectrique

Cโ€™est un couplage de type rayonnรฉ en champ proche. Le couplage par champ รฉlectrique est aussi appelรฉ couplage champ ร  fil. C’est un champ รฉlectrique incident qui va produire une perturbation sur une victime. Remarquons quโ€™il est de mรชme nature que le couplage capacitif, puisque la capacitรฉ de couplage amรจne des lignes de champ sur la victime. La diffรฉrence ici, c’est que le perturbateur est plus รฉloignรฉ. Au lieu d’identifier le perturbateur lui-mรชme, on identifie le champ รฉlectrique qui en est issu. Par exemple, le champ รฉlectrique impulsionnel issu d’une bougie d’allumage de moteur atteint l’antenne d’un rรฉcepteur autoradio.

Le couplage par champ magnรฉtique

Cโ€™est un couplage de type rayonnรฉ en champ proche. Il est aussi appelรฉ couplage champ ร  boucle. Le champ magnรฉtique issu du perturbateur traverse le circuit victime et induit dans celui-ci une tension parasite. Remarquons lร  aussi que ce couplage est de mรชme nature que le couplage inductif. Au lieu d’identifier le perturbateur lui-mรชme, on identifie le champ magnรฉtique qu’il a gรฉnรฉrรฉ comme รฉtant la perturbation. On rencontre ce type de couplage lors d’un coup de foudre ร  proximitรฉ de la victime. La tension induite dans la boucle est donc importante du fait de la variation importante de l’intensitรฉ du courant, mais aussi de la rapiditรฉ de la montรฉe de ce courant.

Le couplage par champ รฉlectromagnรฉtique

Cโ€™est un couplage de type rayonnรฉ en champ lointain. Souvent, un perturbateur รฉmet ร  la fois du champ รฉlectrique et du champ magnรฉtique. C’est l’ensemble de ces deux champs qui atteint la victime. Cependant, mรชme si un perturbateur n’รฉmet au dรฉpart qu’un champ รฉlectrique, les รฉquations de Maxwell montrent qu’ร  une certaine distance de cette source, un champ magnรฉtique apparaรฎtra aussi, pour former une onde plane รฉlectromagnรฉtique. Il en est de mรชme si le perturbateur n’รฉmet au dรฉpart qu’un champ magnรฉtique. A hautes frรฉquences, cโ€™est le mode de couplage le lus courant. La figure 1.11 illustre le principe du couplage par champ รฉlectromagnรฉtique, dans un cas sur une boucle et dans lโ€™autre sur un fil.

Mode de propagation de la perturbation

Lorsquโ€™une perturbation atteint un รฉquipement, elle peut se propager suivant trois modes : le mode diffรฉrentiel, le mode commun ou le mode antenne. Cette partie dรฉfinit ces diffรฉrents modes de propagation dโ€™une perturbation รฉlectromagnรฉtique [1-1].

Mode diffรฉrentiel

Considรฉrons deux conducteurs reliรฉs ร  un รฉquipement รฉlectrique ou รฉlectronique (Fig.1.12). On dit qu’une tension est appliquรฉe en mode symรฉtrique (ou diffรฉrentiel) ร  cet รฉquipement si une tension est prรฉsente entre ces deux conducteurs. Par exemple, la tension d’alimentation du secteur est appliquรฉe en mode diffรฉrentiel. Ou bien encore la tension prรฉsente sur une paire de fils tรฉlรฉphoniques. Si on considรจre le cรขble constituรฉ par l’ensemble des deux conducteurs, la somme algรฉbrique des courants dans ce cรขble est nulle, puisqu’il y a un courant ยซ aller ยป dans le premier conducteur, et un courant ยซ retour ยป de mรชme intensitรฉ, mais opposรฉ, dans le second conducteur. Pour รฉviter les problรจmes de CEM, il suffit que les deux conducteurs soient suffisamment proches, cela รฉvite de crรฉer une boucle de surface trop grande.

Mode commun

La propagation d’une perturbation en mode commun est considรฉrรฉe comme le principal problรจme de la CEM. Considรฉrons un cรขble constituรฉ de plusieurs conducteurs, connectรฉ ร  un รฉquipement รฉlectrique ou รฉlectronique (Fig.1.13). Un champ รฉlectromagnรฉtique extรฉrieur induit un courant parasite dans l’ensemble des conducteurs de ce cรขble. Les courants induits sont en phase dans tous les conducteurs du cรขble. Il n’y a aucun conducteur de retour de ce courant dans le cรขble. Etant donnรฉ quโ€™un courant parcourt un circuit fermรฉ. Le chemin de retour de ce courant risque dโ€™รชtre extรฉrieur au cรขble, ร  savoir :
– D’autres cรขbles de l’appareil, s’ils en existent.
– Un conducteur de ยซ terre ยป, s’il en existe.
– La capacitรฉ entre l’appareil et la ยซ terre ยป.
Ce courant est dit ยซ de mode commun ยป. Dans les systรจmes complexes, on trouve souvent un plan de masse commun aux diffรฉrents appareils. On peut dans ce cas rรฉduire les perturbations de mode commun en maintenant les cรขbles d’entrรฉe le plus prรจs possible du plan de masse du systรจme, afin de rรฉduire la surface de la boucle de mode commun.

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Table des matiรจres

INTRODUCTION
Chapitre 1 : ETAT DE Lโ€™ART
1.1. Introduction ร  la Compatibilitรฉ Electromagnรฉtique
1.1.1. Contexte et problรฉmatique
a. ร‰mission et susceptibilitรฉ
b. Notion de source – chemin de couplage โ€“ victime
c. La source de perturbation
d. La victime de la perturbation
1.1.2. Approche de la CEM dans les systรจmes embarquรฉs
1.2. Sources des perturbations รฉlectromagnรฉtiques
1.2.1. Dรฉcharges รฉlectrostatiques
1.2.2. Rรฉseaux de communication sans fil
1.2.3. Radars (RAdio Detection And Ranging)
1.2.4. Charges inductives
1.2.5. Armes รฉlectromagnรฉtiques de forte puissance
1.2.6. Circuits intรฉgrรฉs
1.2.7. Autres sources
1.3. Consรฉquences des perturbations sur un circuit intรฉgrรฉ
1.3.1. Mode de couplage
a. Les modes de couplage conduit
b. Les modes de couplage rayonnรฉ
1.3.2. Mode de propagation de la perturbation
a. Mode diffรฉrentiel
b. Mode commun
c. Mode antenne
1.3.3. Effet de la perturbation
a. Circuits Numรฉriques
b. Circuit Analogique
Chapitre 2 : LA SUSCEPTIBILITE ELECTROMAGNETIQUE DES SYSTEMES EMBARQUES
2.1. Mise en contexte
2.1.1. Susceptibilitรฉ conduite
2.1.2. Susceptibilitรฉ rayonnรฉe
2.1.3. Modรจle mathรฉmatique simplifiรฉ du couplage dโ€™onde EM sur le dispositif
a. Onde plane
b. Couplage
2.2. Les moyens de mesures de la susceptibilitรฉ
2.2.1. Mesures en mode conduit
a. La mรฉthode dโ€™injection par boucle de courant ou Bulk Current Injection (BCI)
b. La mesure par ligne couplรฉe
c. Le banc dโ€™injection directe de puissance ou DPI (Direct Power Injection)
2.2.2. Mesures en mode rayonnรฉe
a. La cellule Transverse Electromagnetic (TEM)
b. La cellule Giga Hertz Traverse Electromagnetic (GTEM)
c. Injection dans une chambre anรฉchoรฏque
d. La chambre rรฉverbรฉrante ร  brassage de mode
2.3. Les dysfonctionnements dโ€™un systรจme รฉlectronique
2.3.1. Les diffรฉrents systรจmes รฉlectroniques et leurs domaines dโ€™utilisation
a. Structure analogique
b. Structure numรฉrique
2.3.2. Nature des dysfonctionnements dโ€™une carte
a. Dรฉfaillance logicielle
b. Dรฉfaillance matรฉrielle
2.3.3. Comportement dโ€™un composant รฉlรฉmentaire non linรฉaire face ร  une agression EM : la diode
2.3.4. Apparition de frรฉquences harmoniques en mode rayonnรฉe sur un systรจme รฉlectronique soumis ร  des conditions dโ€™agressions EM
Chapitre 3 : PRESENTATION Dโ€™UN OUTIL DE MODELISATION DE LA SUSCEPTIBILITE ELECTROMAGNETIQUE
3.1. Rappels d’รฉlectromagnรฉtisme
3.1.1. Les รฉquations de Maxwell
3.1.2. Gรฉnรฉration d’un champ รฉlectromagnรฉtique
3.1.3. Propagation d’un champ รฉlectromagnรฉtique
3.2. Modรฉlisation de la CEM
3.2.1. Niveau de modรฉlisation
a. Niveau systรจme : vision รฉquipementier
b. Niveau carte : vision รฉlectronicien
c. Niveau silicium : vision concepteur
3.2.2. Modรจle d’รฉmission ICEM
a. Les paramรจtres du modรจle de boรฎtier
b. Les paramรจtres du modรจle de circuit intรฉgrรฉ
3.2.3. Modรจle de susceptibilitรฉ des composants ICIM
a. Description du modรจle
b. Critรจres de susceptibilitรฉ
CONCLUSION ET PERSPECTIVES
REFERENCES

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