Introduction au processus de purification

Diffรฉrentes mรฉthodes de purificationย 

Depuis les annรฉes cinquante, on assiste ร  un dรฉveloppement considรฉrable de lโ€™intรฉrรชt portรฉ aux mรฉtaux de haute puretรฉ (teneur de quelques ppm : parties par million) et aux mรฉthodes permettant de les obtenir. Cette recherche dโ€™une puretรฉ accrue correspond ร  des besoins bien dรฉfinis, soit dans le domaine des applications industrielles qui nรฉcessitent lโ€™utilisation dโ€™un matรฉriau trรจs pur pour rรฉpondre ร  certaines propriรฉtรฉs et par consรฉquent remplir le rรดle bien voulu, cโ€™est le cas par exemple des matรฉriaux pour semi-conducteurs (applications รฉlectroniques) dont les propriรฉtรฉs รฉlectriques sont considรฉrablement dรฉtรฉriorรฉes par la diffusion des porteurs due ร  des impuretรฉs, des dislocations, des joints de grains, des surfaces libres, soit dans celui des รฉtudes fondamentales.

Plusieurs secteurs industriels comme lโ€™รฉlectronique, lโ€™รฉlectrotechnique, le nuclรฉaire, le militaire, les recherches mรฉtallurgiques, sont aujourdโ€™hui concernรฉs par lโ€™emploie des mรฉtaux de trรจs haute puretรฉ rรฉpondant ร  leurs besoins spรฉcifiques. Cette tendance vers une puretรฉ de plus en plus exigรฉe, nรฉcessite la conjonction de nombreuses techniques et la mise au point de mรฉthodes appropriรฉes [ADDA, 91]. De nombreux processus mettant en jeu un transport de matiรจre entre deux phases pourront en principe, รชtre utilisรฉs pour sรฉparer les impuretรฉs contenues dans un matรฉriau et obtenir une purification. Sur le plan industriel quelques mรฉthodes sont effectivement employรฉes pour rรฉaliser une purification des รฉlรฉments mรฉtalliques ou mรฉtalloรฏdes. Selon la nature et le comportement du matรฉriau, des mรฉthodes peuvent sโ€™apprรชter mieux que dโ€™autres pour la prรฉparation des matรฉriaux purs. On peut citer : les mรฉthodes chimiques, les mรฉthodes physico-chimique et les mรฉthodes physiques.

Mรฉthodes chimiquesย 

Dans ces mรฉthodes chimiques, diffรฉrents mรฉcanismes peuvent รชtre rรฉalisรฉs :

a) Mรฉcanisme basรฉ sur la formation et la dissociation dโ€™un composรฉ mรฉtallique volatil, exemple : (utilisation dโ€™un iodure dans la mรฉthode de Van Arkel pour purifier du titane, du thorium, de lโ€™uranium, du vanadium, du zirconium, de lโ€™hafnium, etcโ€ฆ). La mรฉthode de Van Arkel repose sur la mise en ล“uvre dโ€™un iodure servant dโ€™intermรฉdiaire dans la purification. Nous prenons lโ€™exemple du zirconium. Pour obtenir une purification de ce mรฉtal, on emploie la mรฉthode de Van Arkel. Celle-ci repose sur la variation de stabilitรฉ de ZrI4 avec la tempรฉrature, qui donne lieu ร  lโ€™รฉquilibre : Zr + 4I = ZrI4 La formation de lโ€™iodure est favorisรฉe ร  basse tempรฉrature et sa dissociation ร  tempรฉrature รฉlevรฉe. La rรฉaction directe sโ€™effectue gรฉnรฉralement vers 350 ยฐC ร  tempรฉrature assez basse pour que ZrI4 soit stable mais suffisamment รฉlevรฉe pour que la vitesse de formation soit apprรฉciable. La rรฉaction inverse se fait vers 1400 ยฐC. La purification repose ici sur lโ€™existence dโ€™une rรฉaction chimique plus au moins spรฉcifique, et ร  laquelle la majoritรฉ des impuretรฉs ne pourra pas participer. Lโ€™opรฉration sโ€™effectue dans une enceinte oรน lโ€™on rรฉalise deux domaines de tempรฉrature. Le zirconium ร  purifier est placรฉ dans la partie ร  basse tempรฉrature. En prรฉsence dโ€™iode, il y a formation dโ€™iodure qui diffuse en phase vapeur jusquโ€™ร  la partie chaude de lโ€™enceinte. Lร , lโ€™iodure se dรฉcompose en dรฉposant le mรฉtal purifiรฉ et en libรฉrant lโ€™iode qui rentre ร  nouveau dans le cycle. Il y a donc transport de mรฉtal des parties froides vers les parties chaudes. La vitesse de transport dรฉpend dโ€™un certain nombre de paramรจtres, dont les plus importants sont : la tempรฉrature du filament sur lequel sโ€™effectue le dรฉpรดt, la pression de ZrI4 dans lโ€™enceinte, la tempรฉrature de la charge de mรฉtal impur. Cette mรฉthode fournit un mรฉtal dโ€™une puretรฉ beaucoup plus grande que celle de zirconium de dรฉpart. En particulier, on obtient une trรจs bonne purification en mรฉtalloรฏdes (oxygรจne, azote, carbone), รฉlรฉments qui influent fortement sur les propriรฉtรฉs. Le mรฉtal est rรฉcupรฉrรฉ ร  lโ€™รฉtat solide.

b) Mรฉcanisme basรฉ sur lโ€™รฉchange dโ€™ions sur rรฉsine et extraction liquide-liquide. Le coefficient de partage k entre les deux phases en prรฉsence รฉtant diffรฉrent pour des ions ou des complexes de diffรฉrents รฉlรฉments, il est possible de trouver des conditions dans lesquelles lโ€™รฉlรฉment de base se rassemble prรฉfรฉrentiellement dans une phase alors que la plupart des impuretรฉs se trouvent dans lโ€™autre phase. Ces mรฉthodes sont utilisรฉes pour la purification des sels, avant rรฉduction ร  lโ€™รฉtat mรฉtallique. Ainsi dans la mรฉtallurgie de lโ€™uranium, le nitrate dโ€™uranyle UO2 (NO3)2 est purifiรฉ par dissolution prรฉfรฉrentielle dans des solvants organiques oxygรฉnรฉs : tri butylphosphate et acide di-รฉthyl-hexylphosphorique. Des techniques analogues sont employรฉes pour le cobalt, le cรฉsium, le cuivre, le fer, le lithium, le nickel, le rubidium, le manganรจse, le rhรฉnium, etcโ€ฆ

c) Mรฉcanisme basรฉ sur lโ€™oxydation prรฉfรฉrentielle des impuretรฉs : exemple (dans le fer, le nickel, le sodium, le potassium, etcโ€ฆ).

Mรฉthodes physico-chimiquesย 

Les techniques employรฉes sont :
a) Lโ€™รฉlectrolyse qui peut รชtre mise ร  profit soit pour dรฉposer le mรฉtal ร  partir dโ€™un de ses composรฉs, soit pour rรฉaliser un raffinage en dissolvant le mรฉtal ร  lโ€™anode et en le dรฉposant ร  la cathode. Elle est rรฉalisรฉe en solution aqueuse pour le fer, le cuivre, le nickelโ€ฆou en sels fondus pour lโ€™aluminium, le bรฉryllium, le titane, le chrome, lโ€™uranium, le cuivre, etcโ€ฆ
b) Lโ€™รฉlectromigration ร  lโ€™รฉtat solide qui est particuliรจrement efficace pour les mรฉtalloรฏdes comme lโ€™oxygรจne dans lโ€™yttrium et le lutรฉcium ou lโ€™azote et le carbone dans le thorium, etcโ€ฆ La mรฉthode met ร  profit les diffรฉrences des mobilitรฉs des atomes de nature diffรฉrente, dans lโ€™รฉtat solide, sous lโ€™influence dโ€™un champ รฉlectrique ร  haute tempรฉrature. Les รฉchantillons ร  purifier sont des barreaux mรฉtalliques de quelques millimรจtres de diamรจtre et de quelques dizaines de centimรจtres de longueur. Ils sont parcourus par un courant continu (de lโ€™ordre de 1000 A/cmยฒ) qui les porte ร  tempรฉrature รฉlevรฉe. Dans ces conditions, au bout dโ€™un temps de traitement suffisant, il sโ€™รฉtablit une rรฉpartition stationnaire des impuretรฉs. En effet, les atomes dโ€™impuretรฉs migrent sous lโ€™effet du courant dโ€™รฉlectrons, jusquโ€™ร  ce que le flux de diffusion du gradient de concentration qui sโ€™est รฉtabli compense le flux dรป ร  lโ€™รฉlectromigration. On a pu, par cette mรฉthode, produire du thorium de haute puretรฉ en รฉliminant de faรงon efficace lโ€™oxygรจne et lโ€™azote contenus dans le mรฉtal. Le rapport de rรฉsistivitรฉ rรฉsiduelle R298ยฐK /R4.2ยฐK passe de 33 ร  1000 et la teneur en carbone finale est infรฉrieure ร  3.10-6. La technique dโ€™รฉlectromigration est donc trรจs efficace pour certaines impuretรฉs, mais son application est limitรฉe par la durรฉe des traitements nรฉcessaires et par le fait que les quantitรฉs de mรฉtal produites sont relativement faibles.

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Table des matiรจres

Introduction gรฉnรฉrale
I Introduction au processus de purification
1 Diffรฉrentes mรฉthodes de purification
1.1 Introduction
1.2 Mรฉthodes chimiques
1.3 Mรฉthodes physico-chimiques
1.4 Mรฉthodes physiques
1.4.1 Mรฉthodes de purification mettant en jeu la phase vapeur (Fusion ร  haute tempรฉrature et sous vide poussรฉ)
1.4.2 Mรฉthodes de purification utilisant le passage par la phase liquide
1.4.2.1 Solidification progressive dirigรฉe
1.4.2.2 Processus de zone fondue
1.5 Conclusion sur les mรฉthodes de purification
2 Thรฉorie de ยซ Zone refining ยป
2.1 Introduction
2.2 ร‰quation de base pour une seule passe de zone refining
2.3 Limite de validitรฉ de lโ€™รฉquation de base
2.4 Avantages et inconvรฉnients de zone fondue par rapport ร  la solidification progressive dirigรฉe
2.5 Passages rรฉpรฉtรฉs dโ€™une zone fondue
2.5.1 Thรฉorie de zone refining multi passes
2.5.1.1 Rรฉpartition de lโ€™impuretรฉ lors dโ€™un second passage de la source
2.5.1.2 Rรฉpartition de lโ€™impuretรฉ pour le nรจme passage de la source
2.5.2 Mรฉthode graphique de Hamming
2.5.3 Ultime rรฉpartition de lโ€™impuretรฉ dans le barreau
2.6 Conclusion sur la thรฉorie de zone refining
II Modรฉlisation du processus de purification
3 Modรฉlisation mathรฉmatique du processus de purification
3.1 Introduction
3.2 Prรฉsentation du problรจme
3.3 Hypothรจses simplificatrices
3.4 Formulation des problรจmes thermique et dโ€™espรจces
3.4.1 Formulation du problรจme thermique
3.4.1.1 ร‰quation de lโ€™รฉnergie
3.4.1.2 Conditions initiales et aux limites
3.4.1.3 Expressions des tempรฉratures solidus et liquidus (Tsoli et TLiq)
3.4.1.4 Fraction de la phase liquide locale fl
3.4.1.5 Tempรฉrature de mรฉlange
3.4.1.5.1 Cas gรฉnรฉral
3.4.1.5.2 Cas des faibles concentrations
3.4.2 Formulation du problรจme dโ€™espรจces
3.4.2.1 ร‰quation de conservation des espรจces chimiques
3.4.2.2 Conditions initiales et aux limites
3.5 Formulation adimensionnelle
3.5.1 Formulation adimensionnelle du problรจme thermique
3.5.1.1 ร‰quation de lโ€™รฉnergie adimensionnelle
3.5.1.2 Conditions initiales et aux limites adimensionnelles
3.5.1.3 Expressions des tempรฉratures adimensionnelles
solidus et liquidus ( TLiq et + +T soli )
3.5.1.4 Relation entre H+ et T+
3.5.1.5 Fraction de la phase liquide locale fl adimensionnelle
3.5.2 Formulation adimensionnelle du problรจme dโ€™espรจces
3.5.2.1 ร‰quation des espรจces adimensionnelle
3.5.2.2 Conditions initiales et aux limites adimensionnelles
3.5.3 Discussion et conclusion sur les รฉquations adimensionnelles
III ร‰tude numรฉrique
4 Mรฉthodes Numรฉriques
4.1 Gรฉnรฉralitรฉs
4.1.1 Nรฉcessitรฉ dโ€™une simulation numรฉrique
4.1.2 Mรฉthodes de simulation
4.2 Simulation
4.2.1 Discrรฉtisation spatiale
4.2.1.1 Discrรฉtisation spatiale du problรจme thermique
4.2.1.2 Discrรฉtisation spatiale du problรจme de concentration
4.2.2 Discrรฉtisation temporelle
4.2.2.1 Discrรฉtisation temporelle du problรจme thermique
4.2.2.2 Discrรฉtisation temporelle du problรจme de concentration
4.2.3 Stabilitรฉ des schรฉmas numรฉriques
4.2.4 Rรฉsolution numรฉrique
5 ร‰tude dโ€™une tranche avec source immobile
5.1 Introduction
5.2 Simulation dโ€™un cas avec un nombre de Lewis (Lews) et un rapport de coefficients de diffusion d
rรฉels : cas de lโ€™alliage SiGe
5.2.1 Coefficient de diffusion des impuretรฉs dans le silicium liquide
5.2.2 Nombre de Lewis dans la phase liquide
5.2.3 Coefficient de diffusion des impuretรฉs dans le silicium solide
5.2.4 Nombre de Lewis dans la phase solide
5.2.5 Donnรฉes du problรจme
5.2.6 Rรฉsultats de la simulation
5.2.7 Conclusion
5.3 Effet du nombre de Lewis et du rapport de diffusion d
5.3.1 Donnรฉes pour la simulation
5.3.2 Rรฉsultats de la simulation
5.3.3 Conclusion
6 ร‰tude en dรฉplacement
6.1 Introduction
6.2 Effet de la vitesse de dรฉplacement des sources sur les champs de tempรฉrature
et de concentration
6.2.1 Cas oรน les deux densitรฉs de flux sont รฉgales
6.2.1.1 Donnรฉes du problรจme
6.2.1.2 Rรฉsultats de lโ€™รฉtude
6.2.1.3 Conclusion
6.2.2 Cas oรน les deux densitรฉs de flux sont diffรฉrentes
6.2.2.1 Donnรฉes pour la simulation
6.2.2.2 Rรฉsultats de lโ€™รฉtude
6.2.3 Conclusion : Choix des puissances de sources et vitesse de dรฉplacement
6.3 Effet de lโ€™intensitรฉ de flux sur les champs de tempรฉrature et de concentration
6.3.1 Donnรฉes pour la simulation
6.3.2 Rรฉsultats de lโ€™รฉtude
6.3.3 Conclusion : Choix de lโ€™intensitรฉ de flux q+
6.4 Effet des paramรจtres gรฉomรฉtriques sur les champs de tempรฉrature et de concentration
6.4.1 Effet de lโ€™รฉpaisseur de la tranche
6.4.1.1 Donnรฉes pour la simulation
6.4.1.2 Rรฉsultats de lโ€™รฉtude
6.4.1.3 Conclusion
6.4.2 Effet du rapport dโ€™aspect gรฉomรฉtrique
6.4.2.1 Donnรฉes pour la simulation
6.4.2.2 Rรฉsultats de lโ€™รฉtude
6.4.2.3 Conclusion
6.5 Conclusion sur la modรฉlisation numรฉrique
Conclusion gรฉnรฉrale

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