Diffรฉrentes mรฉthodes de purificationย
Depuis les annรฉes cinquante, on assiste ร un dรฉveloppement considรฉrable de lโintรฉrรชt portรฉ aux mรฉtaux de haute puretรฉ (teneur de quelques ppm : parties par million) et aux mรฉthodes permettant de les obtenir. Cette recherche dโune puretรฉ accrue correspond ร des besoins bien dรฉfinis, soit dans le domaine des applications industrielles qui nรฉcessitent lโutilisation dโun matรฉriau trรจs pur pour rรฉpondre ร certaines propriรฉtรฉs et par consรฉquent remplir le rรดle bien voulu, cโest le cas par exemple des matรฉriaux pour semi-conducteurs (applications รฉlectroniques) dont les propriรฉtรฉs รฉlectriques sont considรฉrablement dรฉtรฉriorรฉes par la diffusion des porteurs due ร des impuretรฉs, des dislocations, des joints de grains, des surfaces libres, soit dans celui des รฉtudes fondamentales.
Plusieurs secteurs industriels comme lโรฉlectronique, lโรฉlectrotechnique, le nuclรฉaire, le militaire, les recherches mรฉtallurgiques, sont aujourdโhui concernรฉs par lโemploie des mรฉtaux de trรจs haute puretรฉ rรฉpondant ร leurs besoins spรฉcifiques. Cette tendance vers une puretรฉ de plus en plus exigรฉe, nรฉcessite la conjonction de nombreuses techniques et la mise au point de mรฉthodes appropriรฉes [ADDA, 91]. De nombreux processus mettant en jeu un transport de matiรจre entre deux phases pourront en principe, รชtre utilisรฉs pour sรฉparer les impuretรฉs contenues dans un matรฉriau et obtenir une purification. Sur le plan industriel quelques mรฉthodes sont effectivement employรฉes pour rรฉaliser une purification des รฉlรฉments mรฉtalliques ou mรฉtalloรฏdes. Selon la nature et le comportement du matรฉriau, des mรฉthodes peuvent sโapprรชter mieux que dโautres pour la prรฉparation des matรฉriaux purs. On peut citer : les mรฉthodes chimiques, les mรฉthodes physico-chimique et les mรฉthodes physiques.
Mรฉthodes chimiquesย
Dans ces mรฉthodes chimiques, diffรฉrents mรฉcanismes peuvent รชtre rรฉalisรฉs :
a) Mรฉcanisme basรฉ sur la formation et la dissociation dโun composรฉ mรฉtallique volatil, exemple : (utilisation dโun iodure dans la mรฉthode de Van Arkel pour purifier du titane, du thorium, de lโuranium, du vanadium, du zirconium, de lโhafnium, etcโฆ). La mรฉthode de Van Arkel repose sur la mise en ลuvre dโun iodure servant dโintermรฉdiaire dans la purification. Nous prenons lโexemple du zirconium. Pour obtenir une purification de ce mรฉtal, on emploie la mรฉthode de Van Arkel. Celle-ci repose sur la variation de stabilitรฉ de ZrI4 avec la tempรฉrature, qui donne lieu ร lโรฉquilibre : Zr + 4I = ZrI4 La formation de lโiodure est favorisรฉe ร basse tempรฉrature et sa dissociation ร tempรฉrature รฉlevรฉe. La rรฉaction directe sโeffectue gรฉnรฉralement vers 350 ยฐC ร tempรฉrature assez basse pour que ZrI4 soit stable mais suffisamment รฉlevรฉe pour que la vitesse de formation soit apprรฉciable. La rรฉaction inverse se fait vers 1400 ยฐC. La purification repose ici sur lโexistence dโune rรฉaction chimique plus au moins spรฉcifique, et ร laquelle la majoritรฉ des impuretรฉs ne pourra pas participer. Lโopรฉration sโeffectue dans une enceinte oรน lโon rรฉalise deux domaines de tempรฉrature. Le zirconium ร purifier est placรฉ dans la partie ร basse tempรฉrature. En prรฉsence dโiode, il y a formation dโiodure qui diffuse en phase vapeur jusquโร la partie chaude de lโenceinte. Lร , lโiodure se dรฉcompose en dรฉposant le mรฉtal purifiรฉ et en libรฉrant lโiode qui rentre ร nouveau dans le cycle. Il y a donc transport de mรฉtal des parties froides vers les parties chaudes. La vitesse de transport dรฉpend dโun certain nombre de paramรจtres, dont les plus importants sont : la tempรฉrature du filament sur lequel sโeffectue le dรฉpรดt, la pression de ZrI4 dans lโenceinte, la tempรฉrature de la charge de mรฉtal impur. Cette mรฉthode fournit un mรฉtal dโune puretรฉ beaucoup plus grande que celle de zirconium de dรฉpart. En particulier, on obtient une trรจs bonne purification en mรฉtalloรฏdes (oxygรจne, azote, carbone), รฉlรฉments qui influent fortement sur les propriรฉtรฉs. Le mรฉtal est rรฉcupรฉrรฉ ร lโรฉtat solide.
b) Mรฉcanisme basรฉ sur lโรฉchange dโions sur rรฉsine et extraction liquide-liquide. Le coefficient de partage k entre les deux phases en prรฉsence รฉtant diffรฉrent pour des ions ou des complexes de diffรฉrents รฉlรฉments, il est possible de trouver des conditions dans lesquelles lโรฉlรฉment de base se rassemble prรฉfรฉrentiellement dans une phase alors que la plupart des impuretรฉs se trouvent dans lโautre phase. Ces mรฉthodes sont utilisรฉes pour la purification des sels, avant rรฉduction ร lโรฉtat mรฉtallique. Ainsi dans la mรฉtallurgie de lโuranium, le nitrate dโuranyle UO2 (NO3)2 est purifiรฉ par dissolution prรฉfรฉrentielle dans des solvants organiques oxygรฉnรฉs : tri butylphosphate et acide di-รฉthyl-hexylphosphorique. Des techniques analogues sont employรฉes pour le cobalt, le cรฉsium, le cuivre, le fer, le lithium, le nickel, le rubidium, le manganรจse, le rhรฉnium, etcโฆ
c) Mรฉcanisme basรฉ sur lโoxydation prรฉfรฉrentielle des impuretรฉs : exemple (dans le fer, le nickel, le sodium, le potassium, etcโฆ).
Mรฉthodes physico-chimiquesย
Les techniques employรฉes sont :
a) Lโรฉlectrolyse qui peut รชtre mise ร profit soit pour dรฉposer le mรฉtal ร partir dโun de ses composรฉs, soit pour rรฉaliser un raffinage en dissolvant le mรฉtal ร lโanode et en le dรฉposant ร la cathode. Elle est rรฉalisรฉe en solution aqueuse pour le fer, le cuivre, le nickelโฆou en sels fondus pour lโaluminium, le bรฉryllium, le titane, le chrome, lโuranium, le cuivre, etcโฆ
b) Lโรฉlectromigration ร lโรฉtat solide qui est particuliรจrement efficace pour les mรฉtalloรฏdes comme lโoxygรจne dans lโyttrium et le lutรฉcium ou lโazote et le carbone dans le thorium, etcโฆ La mรฉthode met ร profit les diffรฉrences des mobilitรฉs des atomes de nature diffรฉrente, dans lโรฉtat solide, sous lโinfluence dโun champ รฉlectrique ร haute tempรฉrature. Les รฉchantillons ร purifier sont des barreaux mรฉtalliques de quelques millimรจtres de diamรจtre et de quelques dizaines de centimรจtres de longueur. Ils sont parcourus par un courant continu (de lโordre de 1000 A/cmยฒ) qui les porte ร tempรฉrature รฉlevรฉe. Dans ces conditions, au bout dโun temps de traitement suffisant, il sโรฉtablit une rรฉpartition stationnaire des impuretรฉs. En effet, les atomes dโimpuretรฉs migrent sous lโeffet du courant dโรฉlectrons, jusquโร ce que le flux de diffusion du gradient de concentration qui sโest รฉtabli compense le flux dรป ร lโรฉlectromigration. On a pu, par cette mรฉthode, produire du thorium de haute puretรฉ en รฉliminant de faรงon efficace lโoxygรจne et lโazote contenus dans le mรฉtal. Le rapport de rรฉsistivitรฉ rรฉsiduelle R298ยฐK /R4.2ยฐK passe de 33 ร 1000 et la teneur en carbone finale est infรฉrieure ร 3.10-6. La technique dโรฉlectromigration est donc trรจs efficace pour certaines impuretรฉs, mais son application est limitรฉe par la durรฉe des traitements nรฉcessaires et par le fait que les quantitรฉs de mรฉtal produites sont relativement faibles.
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Table des matiรจres
Introduction gรฉnรฉrale
I Introduction au processus de purification
1 Diffรฉrentes mรฉthodes de purification
1.1 Introduction
1.2 Mรฉthodes chimiques
1.3 Mรฉthodes physico-chimiques
1.4 Mรฉthodes physiques
1.4.1 Mรฉthodes de purification mettant en jeu la phase vapeur (Fusion ร haute tempรฉrature et sous vide poussรฉ)
1.4.2 Mรฉthodes de purification utilisant le passage par la phase liquide
1.4.2.1 Solidification progressive dirigรฉe
1.4.2.2 Processus de zone fondue
1.5 Conclusion sur les mรฉthodes de purification
2 Thรฉorie de ยซ Zone refining ยป
2.1 Introduction
2.2 รquation de base pour une seule passe de zone refining
2.3 Limite de validitรฉ de lโรฉquation de base
2.4 Avantages et inconvรฉnients de zone fondue par rapport ร la solidification progressive dirigรฉe
2.5 Passages rรฉpรฉtรฉs dโune zone fondue
2.5.1 Thรฉorie de zone refining multi passes
2.5.1.1 Rรฉpartition de lโimpuretรฉ lors dโun second passage de la source
2.5.1.2 Rรฉpartition de lโimpuretรฉ pour le nรจme passage de la source
2.5.2 Mรฉthode graphique de Hamming
2.5.3 Ultime rรฉpartition de lโimpuretรฉ dans le barreau
2.6 Conclusion sur la thรฉorie de zone refining
II Modรฉlisation du processus de purification
3 Modรฉlisation mathรฉmatique du processus de purification
3.1 Introduction
3.2 Prรฉsentation du problรจme
3.3 Hypothรจses simplificatrices
3.4 Formulation des problรจmes thermique et dโespรจces
3.4.1 Formulation du problรจme thermique
3.4.1.1 รquation de lโรฉnergie
3.4.1.2 Conditions initiales et aux limites
3.4.1.3 Expressions des tempรฉratures solidus et liquidus (Tsoli et TLiq)
3.4.1.4 Fraction de la phase liquide locale fl
3.4.1.5 Tempรฉrature de mรฉlange
3.4.1.5.1 Cas gรฉnรฉral
3.4.1.5.2 Cas des faibles concentrations
3.4.2 Formulation du problรจme dโespรจces
3.4.2.1 รquation de conservation des espรจces chimiques
3.4.2.2 Conditions initiales et aux limites
3.5 Formulation adimensionnelle
3.5.1 Formulation adimensionnelle du problรจme thermique
3.5.1.1 รquation de lโรฉnergie adimensionnelle
3.5.1.2 Conditions initiales et aux limites adimensionnelles
3.5.1.3 Expressions des tempรฉratures adimensionnelles
solidus et liquidus ( TLiq et + +T soli )
3.5.1.4 Relation entre H+ et T+
3.5.1.5 Fraction de la phase liquide locale fl adimensionnelle
3.5.2 Formulation adimensionnelle du problรจme dโespรจces
3.5.2.1 รquation des espรจces adimensionnelle
3.5.2.2 Conditions initiales et aux limites adimensionnelles
3.5.3 Discussion et conclusion sur les รฉquations adimensionnelles
III รtude numรฉrique
4 Mรฉthodes Numรฉriques
4.1 Gรฉnรฉralitรฉs
4.1.1 Nรฉcessitรฉ dโune simulation numรฉrique
4.1.2 Mรฉthodes de simulation
4.2 Simulation
4.2.1 Discrรฉtisation spatiale
4.2.1.1 Discrรฉtisation spatiale du problรจme thermique
4.2.1.2 Discrรฉtisation spatiale du problรจme de concentration
4.2.2 Discrรฉtisation temporelle
4.2.2.1 Discrรฉtisation temporelle du problรจme thermique
4.2.2.2 Discrรฉtisation temporelle du problรจme de concentration
4.2.3 Stabilitรฉ des schรฉmas numรฉriques
4.2.4 Rรฉsolution numรฉrique
5 รtude dโune tranche avec source immobile
5.1 Introduction
5.2 Simulation dโun cas avec un nombre de Lewis (Lews) et un rapport de coefficients de diffusion d
rรฉels : cas de lโalliage SiGe
5.2.1 Coefficient de diffusion des impuretรฉs dans le silicium liquide
5.2.2 Nombre de Lewis dans la phase liquide
5.2.3 Coefficient de diffusion des impuretรฉs dans le silicium solide
5.2.4 Nombre de Lewis dans la phase solide
5.2.5 Donnรฉes du problรจme
5.2.6 Rรฉsultats de la simulation
5.2.7 Conclusion
5.3 Effet du nombre de Lewis et du rapport de diffusion d
5.3.1 Donnรฉes pour la simulation
5.3.2 Rรฉsultats de la simulation
5.3.3 Conclusion
6 รtude en dรฉplacement
6.1 Introduction
6.2 Effet de la vitesse de dรฉplacement des sources sur les champs de tempรฉrature
et de concentration
6.2.1 Cas oรน les deux densitรฉs de flux sont รฉgales
6.2.1.1 Donnรฉes du problรจme
6.2.1.2 Rรฉsultats de lโรฉtude
6.2.1.3 Conclusion
6.2.2 Cas oรน les deux densitรฉs de flux sont diffรฉrentes
6.2.2.1 Donnรฉes pour la simulation
6.2.2.2 Rรฉsultats de lโรฉtude
6.2.3 Conclusion : Choix des puissances de sources et vitesse de dรฉplacement
6.3 Effet de lโintensitรฉ de flux sur les champs de tempรฉrature et de concentration
6.3.1 Donnรฉes pour la simulation
6.3.2 Rรฉsultats de lโรฉtude
6.3.3 Conclusion : Choix de lโintensitรฉ de flux q+
6.4 Effet des paramรจtres gรฉomรฉtriques sur les champs de tempรฉrature et de concentration
6.4.1 Effet de lโรฉpaisseur de la tranche
6.4.1.1 Donnรฉes pour la simulation
6.4.1.2 Rรฉsultats de lโรฉtude
6.4.1.3 Conclusion
6.4.2 Effet du rapport dโaspect gรฉomรฉtrique
6.4.2.1 Donnรฉes pour la simulation
6.4.2.2 Rรฉsultats de lโรฉtude
6.4.2.3 Conclusion
6.5 Conclusion sur la modรฉlisation numรฉrique
Conclusion gรฉnรฉrale
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