EAM-SOA en réflexion pour utilisation dans les réseaux d’accès

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Intégration par épitaxie sélective dans le système AlGaInAs

Dans ce chapitre, nous d´etaillons la technique de croissance s´elective dans le syst`eme de mat´eriau AlGaInAs. Tout d’abord, cette approche est compar´ee `a trois autres m´ethodes ’int´egration : le couplage bout `a bout, le couplage ´evanescent et l’interdiffusion des puits quantiques. Le principe et les diff´erentes applications pratiques de la croissance s´elective aux organo-m´etalliques sont ensuite abord´es. La croissance s´elective n´ecessite des moyens de caract´erisation `a l’´echelle micro-m´etrique qui sont pr´esent´es dans une troisi`eme partie. La quatri`eme partie est enti`erement consacr´ee `a l’´etude exp´erimentale et `a la simulation de la croissance s´elective dans le syst`eme AlGaInAs. En particulier, une mod´elisation par diffusion en phase vapeur est utilis´ee afin de d´eterminer des longueurs de diffusion effectives pour les pr´ecurseurs de croissance. Ces calculs m`enent `a la simulation de la croissance s´elective pour des alliages ternaires et quaternaires mais aussi pour des empilements d’h´et´erostructures `a base de puits quantiques. L’impl´ementation dans le mod`ele phase vapeur de diffusion de surface est ´egalement bri`evement consid´er´ee.
Finalement, dans la derni`ere partie, nous expliquons le fonctionnement pratique du simulateur et son utilisation dans l’int´egration photonique. Pour cela, divers exemples d’int´egration sont trait´es.

Techniques d’int´egration

Une ´etape essentielle dans l’´evolution des syst`emes de communication concerne l’int´egration monolithique des composants opto´electroniques. Dans ce sch´ema d’int´egration, diff´erentes fonctions actives et passives sont fabriqu´ees sur un mˆeme substrat. Un des int´erˆets majeur concerne le cˆout des dispositifs qui est largement r´eduit par rapport `a une approche toute hybride dans laquelle chaque composant doit ˆetre mis en module s´epar´ement. D’autre part, l’int´egration monolithique supprime les probl`emes de couplages souvent d´elicats `a r´ealiser entre composants discrets. Plusieurs solutions technologiques ont ´et´e ´elabor´ees au cours de ces vingt derni`eres ann´ees. La figure 3.1 reprend sch´ematiquement quatre des approches les plus courantes pour l’exemple le plus simple d’une int´egration actif-passif. La section active est g´en´eralement un milieu `a gain type laser, amplificateur ou modulateur et la section passive, un milieu de propagation pour le couplage optique ou l’adaptation modale.
Dans la technologie du couplage bout `a bout (butt-joint regrowth en anglais), plusieurs ´etapes d’´epitaxies et gravures s´electives sont n´ecessaires afin de fabriquer l’objet int´egr´e.
L’´epitaxie d´efinit une premi`ere zone active ajust´ee `a une longueur d’onde donn´ee. Une gravure s´elective vient ensuite localement graver le mat´eriau actif dans certaines zones de la plaque. La deuxi`eme zone (active ou passive) est alors d´efinie par une reprise d’´epitaxie. Le principal int´erˆet de la technique r´eside dans la possibilit´e d’optimiser ind´ependemment les diff´erentes sections. Par ailleurs, elle permet d’obtenir des transitions tr`es abruptes entre les deux mat´eriaux `a condition d’avoir une interface propre et bien d´efinie. Les principales difficult´es sont li´ees `a la pr´ecision de la gravure s´elective et `a l’alignement des deux sections lors de la reprise d’´epitaxie. La lourdeur de ces deux ´etapes technologiques limite en g´en´eral le nombre de sections int´egrables `a deux. Malgr´e ces difficult´es, le butt-joint est une technique largement utilis´ee dans l’int´egration. Les principales r´ealisations sont des lasers `a r´etro-action r´epartie (DFB, distributed feed back) int´egr´es avec un modulateur [65, 66] ou encore un laser avec un r´eseau de Bragg (DBR, distributed Bragg reflector ) int´egr´e avec un guide passif [67].
Le d´ecalage des puits quantiques (offset quantum well en anglais) est une autre m´ethode permettant l’int´egration de diff´erentes zones actives et/ou passives. La structure ´epitaxi´ee est un empilement de deux milieux actifs ´emettant `a des longueurs d’onde diff´erentes et s´epar´es par une couche d’InP. En g´en´eral, le premier milieu est un mat´eriau massif et le deuxi`eme milieu est un empilement de puits quantiques. Le principe de la technique repose sur la gravure des puits quantiques en certains endroits pr´ed´efinis de la plaque. La gravure est s´elective et est stopp´ee par la couche d’InP. On d´efinit ainsi grˆace `a cette m´ethode des “zones” de gaps. Comme pour le butt-joint , cette technique pr´esente l’int´erˆet de pouvoir optimiser les deux zones actives s´epar´ement. Le d´esavantage de la technique concerne la limitation du nombre de sections int´egrables qui est incompatible avec la conception d’objets complexes tels que les circuits photoniques int´egr´es (PIC, photonic integrated circuits en anglais). Le d´ecalage des puits quantiques a fait l’objet de diff´erents dispositifs avec par exemple des lasers DBR `a r´eseaux ´echantillonn´es int´egr´es avec un modulateur ´electroabsorbant [68], des lasers DBR ´echantillonn´es int´egr´es avec un SOA [69] ou encore des lasers DBR ´echantillonn´es int´egr´es avec un modulateur Mach-Zehnder [70]. Le d´ecalage des puits quantiques permet ´egalement la d´efinition d’adaptateur de mode par couplage ´evanescent [71]. Dans une telle structure, le mode est tout d’abord confin´e et guid´e dans les puits quantiques puis, en limite de gravure, il se couple dans le guide inf´erieur et se trouve ainsi dans une zone de plus faible absorption et de plus faible indice. Le confinement du mode optique peut ainsi ˆetre consid´erablement diminu´e. En sortie de puce, la divergence en champ lointain est r´eduite, ce qui relache tr`es fortement les tol´erances de couplage avec la fibre optique [72]. L’interdiffusion (intermixing en anglais) est une autre m´ethode d’int´egration applicable aux structures `a puits quantique et permettant la d´efinition de plusieurs gaps dans des zones pr´e-d´efinies. La technique repose sur l’interdiffusion des atomes des puits/barri`eres qui modifie la forme et la hauteur des barri`eres de potentiel et donc les ´energies de transition de l’h´et´erostructure. En g´en´eral, cette d´eformation du puits de potentiel d´ecale le gap du puits quantique vers les grandes ´energies. Le proc´ed´e physique est li´e `a la nature m´etastable des interfaces puits/barri`eres. Un apport d’´energie thermique permet l’interdiffusion des atomes et peut ainsi modifier tr`es fortement le profil de potentiel du puits. Pour l’int´egration en opto´electronique, la m´ethode doit obligatoirement ˆetre s´elective. Pour cela, plusieurs techniques ont ´et´e ´elabor´ees.
L’interdiffusion induite par photoabsorption utilise une irradiation laser absorb´ee par les puits quantiques et venant ´echauffer certaines zones pr´e-d´efinies [73]. Cette m´ethode est facile `a mettre en oeuvre mais ne poss`ede pas une r´esolution spatiale suffisante [64].
Une autre m´ethode repose sur l’introduction de lacunes `a la surface du mat´eriau qui peuvent ensuite diffuser lors d’un recuit. Les lacunes sont g´en´eralement g´en´er´ees par une encapsulation di´electrique [74]. Le d´esavantage de cette m´ethode est qu’elle demande g´en´eralement des temp´eratures de recuit tr`es ´elev´ees. La technique d’interdiffusion par implantation ionique est une autre alternative. Dans cette m´ethode, des lacunes sont g´en´er´ees par implantation ionique (des ions P+ par exemple). Apr`es implantation, un recuit `a haute temp´erature (600-700°C) entraˆıne la diffusion des lacunes jusqu’au puits quantiques et l’interdiffusion des atomes puits/barri`eres. Les avantages de cette m´ethode sont sa grande r´esolution spatiale et la possibilit´e de modifier le d´ecalage de gap en jouant sur diff´erents param`etres lors de l’implantation (dur´ee, temp´erature, densit´e d’´energie des ions) et lors du recuit (temps, temp´erature). Skogen et al. ont d´emontr´e que cette m´ethode pouvait ˆetre s´elective [64]. Dans leur approche, une seule implantation est n´ecessaire et les lacunes sont g´en´er´ees dans une couche sacrificielle.
Des ´etapes successives de gravure s´elective de la couche sacrificielle et recuit de la structure permettent de d´efinir les diff´erentes zones de gaps. L’amplitude du d´ecalage de gap des puits quantiques est contrˆol´e par le temps et la temp´erature de chaque recuit. La simulation et la pr´ediction des d´ecalages de gaps [16] est possible en mesurant exp´erimentalement la longueur de diffusion Ld = √Dt des atomes interdiffus´es [75, 76].
L’intermixing est ainsi une m´ethode pr´edictible, reproductible et relativement simple de mise en oeuvre. Un d´esavantage intrins`eque `a la technique concerne l’impossibilit´e de modifier les compositions et les ´epaisseurs des puits quantiques. Divers dispositifs int´egr´es ont ´et´e fabriqu´es par la m´ethode d’interdiffusion. Les principales r´ealisations sont dues `a l’universit´e de Santa-Barbara (UCSB) et utilisent la technique d’implantation ionique.
On trouve par exemple un laser accordable int´egr´e avec un EAM [77], un laser DBR int´egr´e avec un SOA et un EAM [64] ou encore des convertisseurs de longueurs d’onde comprenant une partie transmetteur et une partie r´ecepteur avec diff´erentes sections DBR, SOA et EAM [78]. L’´epitaxie s´elective (selective area growth en anglais) est l’approche choisie dans ce travail et sera largement d´evelopp´ee tout au long de ce m´emoire. Son principal avantage est qu’elle permet de d´efinir en une seule ´epitaxie diff´erentes sections actives et passives, ce qui facilite le proc´ed´e technologique. La difficult´e repose dans le d´eveloppement d’outils de simulation performants et indispensables `a la conception des diff´erentes sections. Un des d´esavantages de la technique est que contrairement `a l’interdiffusion, elle ne permet pas une optimisation ind´ependante du gap et du confinement optique [64].
Ce d´esavantage peut cependant ˆetre transform´e en avantage car comme nous le verrons par la suite, cette variation de confinement permet de fabriquer des adaptateurs modaux tr`es efficaces. Un ´etat de l’art incluant les diff´erentes applications et r´ealisations par SAG sera d´evelopp´e plus loin.

Croissance s´elective aux organo-m´etalliques : principe et applications

La croissance s´elective permet l’obtention de sch´emas d’int´egration tr`es vari´es. Cette technique de croissance utilise les propri´et´es intrins`eques de l’´epitaxie en phase vapeur aux organo- ´etalliques (MOVPE, metal-organic vapor-phase epitaxy). Dans cette partie, nous rappelons tout d’abord le principe de la MOVPE pour ensuite ´elaborer une premi`ere approche qualitative de la croissance s´elective. Finalement, un ´etat de l’art concernant les diff´erents types d’applications de la m´ethode est pr´esent´e.

G´en´eralit´es sur l’´epitaxie en phase vapeur aux organo- m´etalliques

La MOVPE est une technique de croissance adapt´ee ausi bien en recherche qu’en production permettant d’obtenir des couches et des interfaces de grande qualit´e. Dans le cadre de notre ´etude, c’est ´egalement la seule technique envisageable pour l’int´egration photonique par croissance s´elective. Ce mode de croissance n´ecessite une pression de r´eacteur assez ´elev´ee, typique de la MOVPE, o`u les ph´enom`enes de diffusion en phase vapeur sont possibles. Dans les techniques d’´epitaxie sous vide (MBE, GS-MBE, MOMBE), la diffusion est en pratique inexistante. Les conditions op´eratoires dans le r´egime de la croissance s´elective seront d´evelopp´ees plus loin.
Pour les semiconducteurs III-V, deux types de gaz pr´ecurseurs sont g´en´eralement employ´es. Les pr´ecurseurs d’´el´ements III sont des mol´ecules organo-m´etalliques compos´es d’un atome m´etallique li´e `a un ou plusieurs radicaux organiques alkyls (CnH2n+1)x. Ces m´etaux-organiques sont liquides ou solides `a temp´erature ambiante et leur pression de vapeur `a l’´equilibre et `a temp´erature ambiante varie entre 0.1 et 100 torr. Les sources trim´ethyl (CH3)3 sont plus couramment employ´ees du fait de leur grande pression de vapeur et de leur grande stabilit´e [79]. L’utilisation des pr´ecurseurs tri´ethyl (C2H5)3 comme TEGa ou TEAl r´esulte en revanche d’une incorporation de carbone plus faible [80]. Ceci est dˆu au fait qu’ils pyrolisent sans produire de radicaux CH3 bien connus comme sources principales d’incorporation de carbone dans les couches ´epitaxi´ees [79]. Les organom´etalliques sont stock´es dans des bulleurs immerg´es dans des bains thermostat´es (-10°C< T <30°C). Un gaz vecteur (hydrog`ene ou azote) passe par ces bulleurs, et vient “pousser” les vapeurs d’organom´etalliques jusqu’au r´eacteur. La concentration du pr´ecurseur d´ependra de la temp´erature du bain liquide et de la pression du gaz vecteur.
Les sources d’´el´ements V sont en g´en´eral des hydrures (AsH3, PH3) stock´es sous pression hors du bˆati d’´epitaxie, dans des cylindres moyenne pression. La technique MOVPE repose sur le transport de ces pr´ecurseurs dilu´es dans le gaz vecteur sous forme gazeuse jusqu’au substrat qui est port´e `a haute temp´erature (550 `a 1000°C) et au-dessus duquel ils se d´ecomposent par pyrolyse. Les ´el´ements V sont introduits en exc`es par rapport aux ´el´ements III (V/III >> 1) du fait de leur grande instabilit´e dans la phase solide aux temp´eratures usuelles de croissance. La cin´etique chimique est ainsi control´ee par les ´el´ements III. Le tableau 3.1 pr´esente la liste des diff´erentes sources d’´el´ements III et V utilis´es dans le cadre de cette ´etude.
La g´eom´etrie des r´eacteurs MOVPE peut ˆetre tr`es vari´ee. Les plus r´epandues sont les g´eom´etries verticales et horizontales. Tous les ´echantillons ´etudi´es dans ce m´emoire ont ´et´e fabriqu´es dans un r´eacteur commercial Aixtron (AIX200/4) horizontal. La figure 3.2 montre sch´ematiquement la g´eom´etrie et les ´el´ements principaux du r´eacteur. Les ´echantillons sont maintenus sur un suscepteur (porte-substrat) en graphite, con¸cu pour accueillir trois substrats 2” et chauff´e par des lampes IR (Fig. 3.2). Des flux de gaz (H2) assurent la rotation du suscepteur et des trois coupelles de mani`ere ind´ependante (rotation plan´etaire). Ce syst`eme de rotation permet d’obtenir de tr`es bonnes homog´en´eit´es de croissance.

Principe de la croissance s´elective

L’´epitaxie s´elective (selective area growth, SAG en anglais) est une croissance par MOVPE sur un substrat partiellement masqu´e par des bandes di´electriques. Le masque di´electrique induit une perturbation locale de la croissance car les esp`eces actives ne peuvent cristalliser dessus. Elles migrent ainsi au proche voisinage de ce dernier et contribuent `a renforcer localement les vitesses de croissance. La figure 3.3 sch´ematise tr`es simplement ce processus.
Au final, les ´epaisseurs d´epos´ees pr`es du masque sont plus grandes que loin du masque. Les ph´enom`enes de migration des esp`eces actives sont donn´es par des courants de diffusion qui lissent les gradients de concentration li´es `a la pr´esence du masque. Les trois processus de diffusion en jeu sont : la diffusion en phase vapeur, la diffusion `a la surface du masque et la diffusion `a la surface du cristal.1 En ´ecrivant formellement des lois de conservation de la masse et en consid´erant un ´echange entre la surface et la phase vapeur, on peut d´eterminer le profil de concentration perturb´e et d´eduire par une exp´erience des longueurs de diffusion effectives des pr´ecurseurs actifs dans la phase vapeur et `a la surface.2 La longueur de diffusion en phase vapeur est un ordre de grandeur plus grande que la longueur de diffusion en surface [81]. En r´ealit´e, les deux processus de diffusion interviennent mais `a des ´echelles dimensionnelles diff´erentes. Les longueurs de diffusion dans la phase vapeur s’´etendent en g´en´eral de 10 `a 200 μm. Les longueurs de diffusion surfaciques ont une extension beaucoup plus faible et sont inf´erieures `a 5 μm. Autrement dit, au proche voisinage du masque, c’est la vapeur qui domine et au tr`es proche voisinage du masque, les deux processus de diffusion vapeur et surface sont `a consid´erer. Les dimensions g´eom´etriques du masque ont alors une influence tr`es importante. Cependant, pour les petits masques, la diffusion en phase vapeur comme apport suppl´ementaire de mati`ere est tr`es n´egligeable par rapport `a la diffusion de surface. La figure 3.4 pr´esente deux cas de croissance s´elective.

Table des matières

Introduction
1 Rappels th´eoriques et mod`eles utilis´es
1.1 Th´eorie kp et structure de bandes
1.1.1 Structure cristalline et propri´et´es ´electroniques
1.1.2 Mod`ele de Kane et relations de dispersion
1.1.3 Influence de la contrainte
1.2 Calcul des ´etats li´es dans les h´et´erostructures `a puits quantiques
1.2.1 Mod`ele de fonction enveloppe
1.2.2 R´esolution semi-analytique
1.2.3 R´esolution num´erique par la m´ethode des matrices de transfert
1.2.3.1 Principe de la r´esolution
1.2.3.2 R´esolution num´erique
1.2.3.3 Exemples de r´esolution
1.2.4 Relation de dispersion dans le plan des couches
1.3 Transitions excitoniques
1.4 Effet Stark confin´e dans les puits quantiques
1.4.1 Principe
1.4.2 R´esolution par la m´ethode des matrices de transfert
1.4.3 Transitions excitoniques avec champ ´electrique
1.5 Propagation en onde guid´ee
1.5.1 G´eom´etrie de guide d’onde
1.5.2 Modes guid´es
1.5.3 Facteur de confinement optique
1.5.4 M´ethodes de calculs BPM
1.6 Coefficient d’absorption dans les puits quantiques
1.6.1 R`egles de s´election
1.6.2 Coefficient d’absorption dans l’approximation diagonale
1.6.3 Coefficient d’absorption en onde guid´ee
1.6.4 Allure du spectre d’absorption
1.7 Synth`ese
2 Analyse des param`etres de conception d’un modulateur amplifi´e en r´eflexion
2.1 Modulateur ´electroabsorbant
2.1.1 Principe de fonctionnement
2.1.2 Description du composant
2.1.3 R´eponse fr´equentielle
2.1.4 Structure du composant
2.1.5 Courbes d’´electro-absorption
2.1.5.1 Simulation de l’effet Stark
2.1.5.2 Courbes exp´erimentales
2.1.6 Insensibilit´e `a la polarisation
2.2 Amplificateur `a semiconducteur
2.2.1 Gain d’un SOA
2.2.2 Saturation du gain
2.2.3 Suppression de la cavit´e Fabry-P´erot
2.2.4 Facteur de bruit
2.2.5 Bande spectrale d’amplification
2.2.6 Insensibilit´e `a la polarisation
2.3 Int´egration EAM-SOA
2.4 EAM-SOA en r´eflexion pour utilisation dans les r´eseaux d’acc`es
2.4.1 Principe du fonctionnement en r´eflexion
2.4.2 D´efinition des performances attendues pour le composant
2.4.3 Choix technologiques et plate-forme d’int´egration
2.5 Synth`ese
3 Int´egration par ´epitaxie s´elective dans le syst`eme AlGaInAs
3.1 Techniques d’int´egration
3.2 Croissance s´elective aux organo-m´etalliques : principe et applications
3.2.1 G´en´eralit´es sur l’´epitaxie en phase vapeur aux organo-m´etalliques
3.2.2 Principe de la croissance s´elective
3.2.3 Applications de la croissance s´elective
3.2.3.1 Introduction `a la fabrication de composants par ´epitaxie s´elective
3.2.3.2 Int´egration actif-passif par SAG : exemple
3.2.3.3 Etat de l’art : int´egrations opto´electroniques par SAG
3.2.3.4 Autre application : la nano-SAG
3.3 Techniques de micro-caract´erisation
3.3.1 Micro-photoluminescence
3.3.2 Interf´erom´etrie optique
3.3.3 Observations au microscope ´electronique `a transmission
3.3.3.1 Pr´eparation des ´echantillons par faisceau d’ions focalis´es
3.3.3.2 Observation des ´echantillons au MET
3.3.4 Micro-diffraction X `a haute r´esolution
3.4 Etude exp´erimentale et simulation de la croissance s´elective en MOVPE dans le syst`eme AlGaInAs
3.4.1 Syst`eme AlGaInAs
3.4.2 Approche exp´erimentale
3.4.2.1 S´electivit´e et mat´eriau di´electrique
3.4.2.2 Ratios d’´epaisseur des alliages du syst`eme AlGaInAs
3.4.3 Mod`ele de diffusion en phase vapeur
3.4.3.1 Les ´equations
3.4.3.2 R´esolution num´erique
3.4.4 Compos´es binaires: extraction de la longueur de diffusion des pr´ecurseurs de Al, Ga et In
3.4.4.1 Extraction du param`etre D/ks
3.4.4.2 Longueurs de diffusion: comparaison avec la litt´erature
3.4.5 Th´eorie cin´etique des gaz: calcul de D et d´eduction empirique de ks
3.4.6 Compos´es ternaires et quaternaires
3.4.6.1 Ratios d’´epaisseur
3.4.6.2 Variations de composition et interf´erences entre masques
3.4.6.3 Calcul de la composition de r´ef´erence
3.4.6.4 Empilement de couches `a compositions variables
3.4.7 Application aux h´et´erostructures `a puits quantiques
3.4.8 Inclusion de la diffusion de surface
3.4.8.1 Loi de conservation
3.4.8.2 Retour `a la phase vapeur
3.4.8.3 Equations g´en´erales
3.4.8.4 Simplifications
3.4.8.5 R´esolution num´erique
3.4.8.6 Longueur de diffusion surfacique sur le cristal pour InP
3.5 Mod´elisation et conception de masques
3.5.1 D´emarche de mod´elisation
3.5.2 Impl´ementation de courbures dans les masques
3.5.3 Exemples d’int´egrations
3.5.3.1 Int´egration laser modulateur
3.5.3.2 Int´egration lasers pour applications CWDM
3.6 Synth`ese
4 R´ealisation et optimisation des structures pour le modulateur amplifi´e 
4.1 D´efinition de la structure du composant
4.1.1 Structure SIBH et bande passante
4.1.2 Dimensions du EAM-SOA
4.1.3 Structure identique EAM-SOA
4.2 D´efinition du milieu actif : cas du EAM
4.2.1 Rappels sur l’insensibilit´e `a la polarisation dans les puits quantiques
4.2.2 Ajustement de la contrainte et de l’´epaisseur du puits
4.2.3 Evaluation du coefficient d’absorption modal
4.2.4 Simulation de l’effet Stark
4.2.5 Choix de la structure
4.3 D´efinition du milieu actif : cas du SOA
4.3.1 D´ecalage EAM-SOA
4.3.2 Choix de la structure
4.4 R´ecapitulatif : milieu actif EAM-SOA
4.5 Impl´ementation d’un adaptateur de mode
4.6 Masques pour la croissance s´elective
4.6.1 Fenˆetre de calcul
4.6.2 Premier masque EAM-SOA1
4.6.3 Masque optimis´e EAM-SOA1
4.6.4 Masque EAM-SOA2
4.7 Epitaxie s´elective de la structure
4.7.1 Structure ´epitaxi´ee et conditions de croissance
4.7.2 Observation au microscope optique
4.7.3 Mesures d’´epaisseurs par interf´erom´etrie optique
4.7.4 Micro-caract´erisation du gap par Photo-luminescence
4.8 Synth`ese
5 Fabrication et ´evaluation des performances du composant
5.1 Fabrication du dispositif
5.1.1 D´efinition de la structure SIBH
5.1.2 D´efinition des sections EAM et SOA
5.1.3 Photographies du dispositif en fin de technologie
5.1.4 Montage sur embase
5.1.5 Technologies test´ees
5.2 Performances statiques du composant
5.2.1 Spectres en r´eflexion
5.2.2 Analyse de la d´ependance `a la polarisation
5.2.3 Caract´erisation de l’amplificateur
5.2.3.1 Analyse et interpretation des performances du SOA
5.2.3.2 Futures caract´erisations et optimisations des structures SOA
5.3 Performances dynamiques du composant
5.3.1 Mesure de la bande passante
5.3.2 Mesure du taux d’erreur `a 10 Gb/s
5.3.3 Budget de puissance pour les r´eseaux d’acc`es
5.4 Int´egration hybride REAM-SOA et guides silice pour modulation QPSK
5.5 Synth`ese
Conclusion
Bibliographie
A Calcul des ´etats de valence d’un puits quantique pour ~k⊥ 6= 0
B R´esolution num´erique des ´equations de propagation dans un guide d’onde
C R´esolution FFT de l’´equation de Laplace
C.1 Relation liant le flux `a la concentration
C.2 Prise en compte du mode “0”
C.3 Relaxation
C.4 Exemples de r´esolution
D Calcul du coefficient de diffusion par la th´eorie cin´etique des gaz
D.1 Th´eorie cin´etique des gaz
D.1.1 Notion de libre parcours moyen et frequence de collision
D.1.2 Probabilit´e de non collision
D.2 Coefficient de diffusion D par la th´eorie cin´etique des gaz
D.2.1 Coefficient de diffusion: une premi`ere analyse simplette
D.2.2 Coefficient de diffusion D et premi`ere loi de Fick
D.2.3 Vitesse moyenne relative < vr > entre deux particules
D.2.4 Calcul du coefficient de diffusion D
E Dimensions du masque SAG pour EAM-SOA

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