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Fonctionnement des MEMS
Principes de fabrication
Afin dโallรฉger ce manuscrit, nous avons choisi de ne pas dรฉtailler le fonctionnement de chacune des machines utilisรฉes pour la fabrication et la caractรฉrisation des MEMS, prรฉfรฉrant laisser au lecteur le soin de se rรฉfรฉrer aux ouvrages classiques, par exemple [9] ou [10]. Nous dressons ici une liste des รฉtapes technologiques, qui sont trรจs similaires aux procรฉdรฉs utilisรฉs par la microรฉlectronique :
La lithographie : aprรจs avoir recouvert la plaque dโun polymรจre photosensible, celleci est insolรฉe ร travers un masque (de la longueur dโonde utilisรฉe et des techniques dโinsolation dรฉpendent la rรฉsolution et la dimension des motifs). Le dรฉveloppement permet dโรดter de la plaque la rรฉsine insolรฉe (dans le cas dโune rรฉsine positive), donnant ainsi accรจs ร des zones de la plaque et en protรฉgeant dโautres.
La gravure : elle sโeffectue gรฉnรฉralement aprรจs la photolithographie, la rรฉsine servant de masque lors du procรฉdรฉ. En effet, les zones protรฉgรฉes ne seront pas atteintes par la gravure, a contrario des zones ouvertes. La gravure peut รชtre humide ou sรจche, utilisant par exemple un plasma ou un bombardement ionique. Dans le cas des MEMS, le procรฉdรฉ qui permet de libรฉrer la structure mobile sโapparente ร un procรฉdรฉ de gravure. Le masque utilisรฉ lors de la gravure nโest pas obligatoirement en rรฉsine, mais il peut รชtre en mรฉtal ou en oxyde, comme cโest le cas pour certaines รฉtapes de nos empilements (voir Actionnement magnรฉtique ร lโรฉchelle nanomรฉtrique Chapitre 1 โ Nanosystรจmes et rupture technologique section 3.2.2 et 4.2.2.1). La gravure peut impliquer un procรฉdรฉ en partie mรฉcanique : on parle alors de polissage, ou de Chemical Mechanical Polishing (CMP).
Le stripping 4 : il sโagit du procรฉdรฉ qui permet dโรดter la rรฉsine de la plaque aprรจs la gravure. Si une couche de matรฉriau a รฉtรฉ dรฉposรฉe consรฉcutivement ร la lithographie, on parle alors plutรดt de liftoff . Sont รฉgalement inclus dans le stripping les procรฉdรฉs de nettoyage, qui permettent de dรฉcontaminer la face arriรจre des plaques et de pouvoir les traiter dans des รฉquipements sensibles ร divers contaminants (e.g. Au, Pt, Ru) car utilisรฉs รฉgalement pour la microรฉlectronique.
Le dรฉpรดt : les matรฉriaux sont gรฉnรฉralement dรฉposรฉs pleine plaque par plusieurs procรฉdรฉs : par exemple, on peut dรฉposer un matรฉriau que lโon a fait passer sous forme gazeuse en le chauffant thermiquement ou au moyen dโun faisceau ร รฉlectron. Dโautres procรฉdรฉs utilisent des plasmas ou sont rรฉalisรฉs en phase liquide, comme cโest le cas pour des dรฉpรดts รฉlectrolytiques. Quant ร lโoxyde thermique, il croรฎt ร partir du silicium du substrat lorsquโon applique un flux dโoxygรจne ร haute tempรฉrature.
Les รฉtapes de caractรฉrisation : plusieurs outils permettent de contrรดler la fabrication des plaques. Le profilomรจtre mesure la hauteur des marches aprรจs gravure, jusquโร environ 90 nm, avec une erreur de 2,5%. En dessous de 90 nm, la mesure reste possible, mais avec une incertitude de ยฑ 3 nm. Lโutilisation dโun Microscope ร Force Atomique (AFM) est donc conseillรฉe ร ces dimensions pour avoir des mesures plus fiables. Les structures fabriquรฉes peuvent รชtre รฉgalement observรฉes grรขce ร des microscopes ร balayage รฉlectronique (MEB) ou ร faisceau ionique (FIB).
Principes dโactionnement
Nous prรฉsentons ici briรจvement les principaux5 principes dโactionnement des microsystรจmes. Pour plus de dรฉtails sur les principes abordรฉs dans cette section et dans la section suivante, nous recommandons au lecteur les ouvrages de rรฉfรฉrence [11] [12].
Lโactionnement le plus connu est sans conteste lโactionnement รฉlectrostatique car il est trรจs simple ร rรฉaliser technologiquement, et il sโintรจgre bien ร la filiรจre MรฉtalOxyde Semiconducteur (MOS). Les รฉnergies mises en jeu sont assez faibles car sa consommation est rรฉduite au courant de fuite. Lโinconvรฉnient de ce type dโactionnement est quโil exige des tensions dโalimentation รฉlevรฉes, et que le systรจme est susceptible dโรชtre dรฉgradรฉ par lโaccumulation de charges รฉlectriques dans les diรฉlectriques. La force รฉlectrostatique FES entre deux plaques en regard de surfaces S et sรฉparรฉes dโune distance g sโexprime par : F๏ ๏ ๏ ๏ฝ ๏ฅ0 SV 2ES 2g 2 (11) oรน ฮต0 est la permรฉabilitรฉ du vide et V la tension appliquรฉe aux bornes des deux plaques. Le phรฉnomรจne de pullin permet de rรฉduire la consommation รฉnergรฉtique du systรจme. Il apparaรฎt lorsque les deux plaques sont rapprochรฉes de telle maniรจre que la force รฉlectrostatique prend le pas sur la force de rappel รฉlastique de la plaque mobile. On trouve cette tension en รฉcrivant lโรฉquilibre des forces, FES = kz (oรน k est la constante de raideur de la partie mobile et z correspond au dรฉplacement) et en cherchant le point oรน la dรฉrivรฉe de lโexpression de la tension par rapport au dรฉplacement de la partie mobile sโannule. On trouve :
4 La traduction officielle franรงaise du mot stripping est ยซ dรฉcapage ยป. Cependant, lโusage du mot anglais รฉtant largement rรฉpandu en microรฉlectronique, nous lโutiliserons tel quel dans ce manuscrit, associรฉ au verbe nรฉologique ยซ stripper ยป.
5 Il existe dโautres principes dont nous ne parlerons pas ici, comme lโactionnement optique (photothermique direct et indirect, pression de radiationโฆ) ou lโactionnement par changement de phase.
Lโactionnement piรฉzoรฉlectrique est aussi beaucoup utilisรฉ : les tensions mises en jeu sont faibles mais les dรฉplacements sont รฉgalement trรจs faibles et doivent รชtre amplifiรฉs par des designs appropriรฉs, dont le plus connu est lโeffet bilame : un matรฉriau piรฉzoรฉlectrique (e.g. quartz, AlN, Pb((Zr,Ti)O3 (dit ยซ PZT ยป)) se dรฉforme sous lโaction dโun champ รฉlectrique [13] [14]. Si le matรฉriau est dรฉposรฉ sur une autre couche, sa dรฉformation engendre des contraintes qui dรฉforment ร leur tour la structure entiรจre. Dโautres designs, utilisรฉs notamment dans les capteurs Bulk Acoustic Microwave et Surface Acoustic Microwave, mettent ร profit ce type dโactionnement pour engendrer des dรฉformations en volume.
Tout comme lโactionnement piรฉzoรฉlectrique, lโactionnement thermique utilise la dรฉformation de la matiรจre, cette fois sous lโeffet de la chaleur. En effet, la maille cristalline dโun matรฉriau se dilate lorsquโon augmente sa tempรฉrature. En associant plusieurs matรฉriaux avec diffรฉrents coefficients dโexpansion thermique, un effet bilame rรฉsulte des dรฉformations diffรฉrentes quโils subissent. Le dรฉsavantage de ce type dโactionnement est sa consommation importante en รฉnergie.
Lโactionnement magnรฉtique peut quant ร lui se diviser en plusieurs sousfamilles :
o Lโactionnement par la force de Laplace, qui apparaรฎt sur un conducteur de longueur L parcouru par un courant I plongรฉ dans une induction B (voir la section 2.3.2 pour une explication physique approfondie). La force de Laplace FL se calcule par : FL๏ ๏ฝLI๏ ๏B (12)
o Lโactionnement par la force รฉlectromagnรฉtique utilise les forces entre deux aimants ou entre un aimant et une bobine รฉlectromagnรฉtique. La force รฉlectromagnรฉtique FEM sโรฉcrit : FEM๏ ๏ ๏ฝ๏ ๏จM .grad๏ ๏ฉB (13) oรน M est le moment magnรฉtique [A.m2] et B est lโinduction [T].
o Enfin, un autre principe dโactionnement magnรฉtique utilise lโalignement du moment magnรฉtique. La Figure 1.21 illustre ce principe : la poutre, en matรฉriau ferromagnรฉtique doux (e.g. permalloy Ni80Fe20), est placรฉe sous une moitiรฉ de bobine planaire. Un aimant permanent, dont le champ est perpendiculaire au substrat, est placรฉ sous la bobine. La bobine planaire gรฉnรจre un champ magnรฉtique dont la direction au niveau du cantilever est parallรจle au substrat et dont le sens dรฉpend du sens du courant la parcourant. Ce champ entraรฎne lโaimantation horizontale de la poutre, qui se maintient lorsque le champ de la bobine est coupรฉ grรขce ร la projection du champ magnรฉtique de lโaimant permanent (Figure 1.22 โ A). La commutation inverse se fait en inversant le courant dans la bobine, de faรงon ร ce que le champ gรฉnรฉrรฉ par celleci entraรฎne un r enversement de lโaimantation de la partie mobile. Un moment mรฉcanique de sens opposรฉ apparaรฎt, qui renverse la structure pour lโaligner ร nouveau dans le mรชme sens que le champ de lโaimant permanent (Figure 1.22 โ B). Ce principe dโactionnement permet ร la poutre de prรฉsenter deux positions intrinsรจquement stables.
Rรฉduction des dimensions : des MEMS aux NEMS
Enjeux des nanosystรจmes
Lโintรฉrรชt pour les NEMS date de la fin des annรฉes 90 [22] mais reste un domaine de recherche jeune et en pleine expansion. Comme nous lโavons vu dans la section 1.1.1, le marchรฉ des MEMS est maintenant dynamisรฉ par les applications grand public. Ces applications ne sont possibles que grรขce ร la rรฉduction du coรปt des capteurs. Cette baisse des coรปts peut passer par une amรฉlioration des procรฉdรฉs, augmentant ainsi le rendement de production. Sachant que le packaging est estimรฉ compter pour 80% du prix des MEMS, un travail sur lโintรฉgration des capteurs dans des boรฎtiers ร bas coรปt peut participer ร la diminution des coรปts. Les NEMS offrent une autre solution car leurs surfaces รฉtant 100 ร 500 fois infรฉrieures ร celle des MEMS, plus de capteurs peuvent รชtre fabriquรฉs sur un mรชme substrat, surtout sโils sont mis en rรฉseau, ce qui diminue lโencombrement dรป aux plots de contact.
Mais davantage quโune rรฉduction des coรปts, la rรฉduction des tailles des capteurs a deux effets : tout dโabord lโaugmentation de la frรฉquence de rรฉsonance pour les capteurs dynamiques (celleci augmente en raison inversement proportion nelle au facteur de rรฉduction6), ce qui ouvre la voie aux capteurs ultrasensibles (capteur de masse ou capteur chimique ; voir la section 1.4.2.1). Ensuite la consommation รฉlectrique rรฉduite permet des applications ร trรจs faible niveau de puissance, utiles pour toutes les technologies nomades comme la tรฉlรฉphonie mobile.
Outre lโapplication des NEMS dans les technologies capteurs, la rรฉduction des dimension permet une convergence avec la microรฉlectronique : le capteur peut รชtre fabriquรฉ en mรชme temps que le circuit รฉlectronique par des procรฉdรฉs de co intรฉgration [23]. De plus, les nanosystรจmes peuvent trouver des applications circuits spรฉcifiques : mรฉmoire haute densitรฉ durcie contre les radiations (par exemple en utilisant des nanocommu tateurs bistables), rรฉfรฉrence de temps, filtre, traitement des signaux RadioFrรฉquence (RF). De plu s, la taille des NEMS permet une mise en rรฉseau des capteurs, ce qui peut augmenter leur performance ou les fonctionnalitรฉs de la puce.
Sur un plan purement scientifique, les NEMS reprรฉsentent une porte dโaccรจs vers le nano monde : on peut y observer une quantification de la conductivitรฉ thermique [24] ou encore sโen servir pour mesurer le torque mรฉcanique produit par une inversion du spin des รฉlectrons ร travers une interface [25]. Les NEMS permettent รฉgalement lโรฉtude des forces de proximitรฉs comme la force de Casimir (voir section 2.4.2).
6 Par exemple, la frรฉquence de rรฉsonance dโune poutre de platine de 1 m de long, de 0,25 m de large e t de 50 nm dโรฉpaisseur est de 135 MHz tandis quโelle est de 1,35 MHz pour une poutre 100 fois plus grande (voir le calcul de la frรฉquence de rรฉsonance ร la section 2.3.3.3).
Au niveau scientifique, la diminution des dimensions ne se rรฉduit pas ร un simple facteur dโรฉchelle. Le rapport de la surface sur le volume augmentant, les effets dus ร cette surface deviennent prรฉpondรฉrants. Des forces qui jusque lร รฉtaient nรฉgligeables doivent รชtre prises en considรฉration dans la conception des systรจmes : effets de bord et forces capillaires tout dโabord, puis les forces de proximitรฉ comme la force de Casimir ou celles de van der Waals, ainsi que les effets de charges. La problรฉmatique de la dรฉtection est essentielle car le rapport signal ร bruit dรฉcroรฎt avec la taille. Les mouvements ร dรฉtecter sont trรจs faibles, alors que les sources de bruit ร prendre en compte sont plus nombreuses (bruit thermomรฉcanique, bruit en 1/f, bruit de Johnson, bruits liรฉs ร la surface comme les phรฉnomรจnes dโadsorption et de dรฉsorption des molรฉcules de gazโฆ) [23].
Au niveau technologique, la reproductibilitรฉ des systรจmes est essentielle dans une optique de production de masse. Par exemple, un dรฉpรดt de nickel sur une plaque de 200 mm prรฉsente une inuniformitรฉ de ยฑ 6 %. Les marges de fonctionnement du dispositif doivent donc รชtre dโautant plus importantes7. La lithographie induit รฉgalement une dispersion de la taille des motifs : sur une mรชme plaque, la dispersion de la taille des motifs peut atteindre 27 % de la taille nominale (voir le Tableau A6 1 p. 175 pour la comparaison entre les dimensions nominales prรฉvues par le design et les dimensions effectivement atteintes). Cette dispersion est par la suite aggravรฉe par les inhomogรฉnรฉitรฉs dues ร la gravure. En vue dโune intรฉgration horizontale, il faut en outre choisir des techniques de fabrication compatibles avec les procรฉdรฉs MOS. Comme la surface joue un rรดle prรฉpondรฉrant, les procรฉdรฉs qui jusque lร รฉtaient suffisants pour les MEMS doivent รชtre optimisรฉs. Des mรฉthodes de validation dimensionnelle et dโobservation non destructive nรฉcessitent รฉgalement dโรชtre mises en place.
Influence de la rรฉduction des dimensions sur les paramรจtres matรฉriaux
Afin de modรฉliser correctement les NEMS, il faut tenir compte de la modification des paramรจtres matรฉriaux due ร la rรฉduction des dimensions. Par exemple, le coefficient piรฉzoรฉlectrique de lโAlN diminue fortement avec lโรฉpaisseur de la couche, comme lโindique la thรจse, et les rรฉsultats sont prรฉsentรฉs ร la section 3.3.3.4. La rรฉsistivitรฉ dโune couche dโor de 30 nm vaut presque 5.108 .m, soit plus du double de la rรฉsistivitรฉ massive monocristalline de 2,3.108.m. La rรฉduction des dimensions affecte รฉgalement les paramรจtres mรฉcaniques, avec notamment une diminution du module dโYoung du matรฉriau. Nous avons mesurรฉ expรฉrimentalement le module dโYoung dโune couche de platine de 100 nm, dont la valeur est de 145 GPa alors que celle du matรฉriau massif est de 177 GPa (voir section 2.2.3.1). Il est important de tenir compte de lโรฉvolution de ce paramรจtre lors de la modรฉlisation car cela peut faire varier la frรฉquence de rรฉsonance de plusieurs MHz8. Laisser de telles incertitudes rend la caractรฉrisation du dรฉplacement du NEMS hasardeuse, notamment lorsquโil sโagit dโactionner le NEMS ร sa frรฉquence de rรฉsonance afin dโamplifier son mouvement.
Principes dโactionnement et de dรฉtection
Les premiers NEMS ont รฉtรฉ fabriquรฉs ร la fin des annรฉes 90, notamment par le groupe de M. Roukes du California Institute of Technology, et sont basรฉs sur des poutres de silicium encastrรฉes encastrรฉes [45][46]. Ces NEMS sont magnรฉtiques : lโactionnement utilise la force de Laplace et la dรฉtection la tension induite. Leur longueur est de lโordre de 10 m, pour des largeurs et des รฉpaisseurs submicroniques, ce qui donne une frรฉquence de rรฉsonance maximale de 71 MHz pour un facteur de qualitรฉ dโenviron 20 000. Cependant, les mesures de ces dispositifs sont effectuรฉes sous vide, ร 4,2 K, au moyen dโun champ magnรฉtique de 8 T gรฉnรฉrรฉ par des bobines supraconductrices. Par la suite, toujours utilisant les mรชmes techniques dโactionnement et de dรฉtection, ce groupe a utilisรฉ dโautres matรฉriaux, comme du Si dopรฉ, du GaAs dopรฉ, et surtout du SiC, ce qui a permis dโaugmenter la frรฉquence de rรฉsonance ร presque 200 MHz, pour un facteur de qualitรฉ de 1000. Les semiconducteurs dopรฉs ont permis dโobtenir de trรจs bons facteurs de qualitรฉ, jusquโร 22 000 [47]. Lโutilisation du SiC a conduit aux premiรจres mesures de masse dโatomes dโor. La sensibilitรฉ massique de ce NEMS, une poutre encastrรฉeencastrรฉe de dimension 14,2 x 0,67 x 0,259 m 3 ( L x w x t) est de 2,5 ag [48]. La rรฉsolution massique a รฉtรฉ par la suite encore amรฉliorรฉe et a atteint 7 zg avec une poutre de SiC de 2,3 m de long [49]. Le SiC, de module dโYoung plus รฉlevรฉ et plus contraint en tension que le silicium monocristallin, permet รฉgalement dโatteindre des frรฉquences de lโordre du GHz [43].
Des gรฉomรฉtries alternatives ร la classique poutre encastrรฉeencastrรฉe ont รฉtรฉ utilisรฉes, comme des poutres libreslibres, ce qui permet dโaugmente r le facteur de qualitรฉ grรขce ร la diminution des pertes aux encastrements [43], ou des nanofils de silicium, dont la sensibilitรฉ en mesure de masse est de lโordre de 10 zg [50]. Ce type dโactionnement/dรฉtection magnรฉtique peut potentiellement รชtre utilisรฉ en rรฉgime nonlinรฉaire, dans lequel la poutre prรฉsente un comportement hystรฉrรฉtique, susceptible dโรชtre utilisรฉ comme une mรฉmoire bistable trรจs fortement intรฉgrรฉe [51].
Si le magnรฉtisme semble รชtre largement utilisรฉ pour les NEMS (avec les contraintes en tempรฉrature et en pression que lโon a dรฉcrites), dโautres systรจmes, utilisant un actionnement รฉlectrostatique, ont รฉtรฉ dรฉveloppรฉs. Le premier date de 2000, mais les frรฉquences de rรฉsonance sont relativement faibles (0,485 MHz) pour une plaque de 14 x 4 m suspendues par des bras de 0,15 ร 0,2 m de large [52]. La dรฉtection est basรฉe sur un procรฉdรฉ optique externe. Un autre NEMS ร actionnement รฉlectrostatique, et cette fois ร dรฉtection capacitive intรฉgrรฉe est dรฉcrit dans [53] : la poutre (en Si, encastrรฉelibre) prรฉsente une frรฉquence de rรฉsonance de 1,5 MHz. Ce qui est notable dans ce systรจme est que le NEMS a รฉtรฉ construit avec un procรฉdรฉ postCMOS, permettant ainsi de lโintรฉgrer avec son รฉlectronique de lecture.
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Table des matiรจres
Remerciements
Acronymes
Rรฉsumรฉ
Abstract
Chapitre 1. Nanosystรจmes et rupture technologique
Prรฉsentation du chapitre
1.1. Enjeux de la thรจse
1.1.1. Les MEMS : un marchรฉ actif
1.1.2. Cadre de la thรจse
1.2. Fonctionnement des MEMS
1.2.1. Principes de fabrication
1.2.2. Principes dโactionnement
1.2.3. Principes de dรฉtection
1.3. Rรฉduction des dimensions : des MEMS aux NEMS
1.3.1. Enjeux des nanosystรจmes
1.3.2. Influence de la rรฉduction des dimensions sur les paramรจtres matรฉriaux
1.3.3. Influence de la rรฉduction des dimensions sur lโactionnement
1.4. รtat de lโart des NEMS
1.4.1. Les nano-commutateurs
1.4.1.1. Domaines dโapplication dโun nano-commutateur
1.4.1.2. Principes dโactionnement et de dรฉtection
1.4.2. Les nano-rรฉsonateurs
1.4.2.1. Domaines dโapplications dโun nano-rรฉsonateur
1.4.2.2. Principes dโactionnement et de dรฉtection
1.5. Empilements magnรฉtiques : une rupture technologique
1.5.1. Quelques rappels de magnรฉtisme
1.5.2. Mรฉmoires magnรฉtiques ร accรจs alรฉatoire
1.5.3. Les MRAM ร commutation assistรฉe thermiquement
1.6. Problรฉmatiques de la thรจse
Chapitre 2. Modรฉlisation de lโactionnement magnรฉtique
Prรฉsentation du chapitre
2.1. Simulation magnรฉtique
2.1.1. Champ magnรฉtique gรฉnรฉrรฉ par un aimant
2.1.1.1. Modรฉlisation par approche coulombienne
2.1.1.2. รvaluation du calcul analytique par rapport au calcul numรฉrique
2.1.2. Champ magnรฉtique gรฉnรฉrรฉ par un courant
2.1.2.1. Modรฉlisation analytique
2.1.2.2. Comparaison avec le thรฉorรจme dโAmpรจre
2.1.2.3. Dimensionnement de la ligne de courant pour le nano-commutateur
2.1.3. Pertinence de lโutilisation des couches AF/FM
2.1.3.1. Comparaison matiรจre aimantรฉe et courant
2.1.3.2. Magnรฉtisme en couches minces : effet de forme et tendances gรฉnรฉrales
Lise Bilhaut โ Manuscrit de thรจse 2
2.2. Actionnement par force magnรฉtique dipolaire
2.2.1. Introduction
2.2.2. Configurations possibles
2.2.3. Simulation mรฉcanique statique
2.2.3.1. Dรฉtermination du module dโYoung du platine
2.2.3.2. Dรฉtermination des paramรจtres gรฉomรฉtriques
2.2.3.3. Dรฉtermination du pas de rรฉsolution de la simulation
2.2.3.4. Rรฉsolution de lโรฉquation dโEuler
2.2.4. Modรฉlisation thermique du systรจme de chauffage
2.2.5. Dรฉtermination de lโรฉtat du commutateur
2.2.6. Dimensionnement du nano-commutateur
2.3. Actionnement par la force de Laplace
2.3.1. Introduction
2.3.2. La force de Laplace
2.3.3. Dรฉtermination des paramรจtres mรฉcaniques liรฉs ร la dynamique
2.3.3.1. รquation de la dynamique et dรฉcomposition de Galerkin
2.3.3.2. รquation du mode fondamental
2.3.3.3. Frรฉquence de rรฉsonance et constante de raideur
2.3.3.4. Dรฉtermination de la masse efficace
2.3.4. Calcul de la dรฉflexion du nano-rรฉsonateur
2.3.4.1. Calcul de la force de Laplace
2.3.4.2. Modรฉlisation mรฉcanique : force distribuรฉe uniformรฉment sur un segment
2.3.5. Dimensionnement du nano-rรฉsonateur
2.4. Conclusion sur la modรฉlisation de lโactionnement magnรฉtique
2.4.1. Synthรจse du Chapitre 2
2.4.2. Amรฉliorations et perspectives
Chapitre 3. Nano-commutateur magnรฉtique
Prรฉsentation du chapitre
3.1. Cahier des charges du nano-commutateur
3.2. Process de fabrication du nano-commutateur
3.2.1. Contraintes technologiques
3.2.1.1. Influence sur le dimensionnement
3.2.1.2. Influence dans le choix des procรฉdรฉs technologiques
3.2.2. Empilement retenu
3.2.3. Tests รฉlectriques paramรฉtriques
3.2.4. Rรฉsultats
3.2.4.1. Rรฉsultats des premiers tests รฉlectriques paramรฉtriques
3.2.4.2. Brique de base : Dรฉpรดt dโAlCu dans des caissons dโoxyde
3.2.4.3. Rรฉsultats des deuxiรจmes tests รฉlectriques paramรฉtriques
3.3. Problรฉmatique du contact
3.3.1. Introduction
3.3.2. Thรฉorie du contact รฉlectrique
3.3.2.1. Rรฉgime balistique et rรฉgime diffusif
3.3.2.2. Contact รฉlectrique dans les MEMS
3.3.3. Rรฉsistance de constriction
3.3.3.1. รtablissement du modรจle
3.3.3.2. Protocole expรฉrimental
3.3.3.3. Rรฉsultats expรฉrimentaux et comparaison avec le modรจle
3.3.3.4. Rรฉsistivitรฉ des matรฉriaux en couche mince
3.3.4. รvaluation de la rรฉsistance de contact pour le nano-commutateur
3.3.5. Conclusion sur les rรฉsistances de contact
3.4. Conclusion sur le nano-commutateur
3.4.1. Synthรจse du Chapitre 3
Lise Bilhaut โ Manuscrit de th
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