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Memoire Complet♣ Contenu du memoire
Introduction générale
Chapitre I: Notions et principes fondamentaux
I.1.Introduction
I.2.La technique E.B.I.C
I.2.1.Introduction
I.2.2.Historique
I.2.3. Principe et montages expérimentaux
I.2.3.1. Le M.E.B
I.2.3.1.1. Principe
I.2.3.1.2. Fonctionnement
I.2.3.2. Description de la technique E.B.I.C
I.2.3.3. Différentes géométries de la technique E.B.I.C
I.2.3.3.1. Excitation parallèle
I.2.3.3.2. Excitation en biseau
I.2.3.3.3. Excitation perpendiculaire
I.2.4. Applications de la technique EBIC
I.2.4.1. Application qualitative
I.2.4.2. Application quantitative
I.2.4.2.1. Introduction
I.1.4.2.2. Détermination de la longueur de diffusion
I.2.5. Conclusion
I.3. L’interaction électron-matière (SC)
I.3.1. Introduction
I.3.2. Historique
I.3.3. Mécanismes physiques de l’interaction électron-matière
I.3.3.1. Les diffusions élastiques
I.3.3.2. Les diffusions inélastiques
I.3.4. Dissipation de l’énergie des électrons dans le matériau
I.3.4.1. Collision électron-noyau
I.3.4.2. Collision électron-électron
I.3.4.3. Fonction de dissipation d’énergie Φ(u)
I.3.4.3.1.Fonction Φ(u) d’Everhart –Hoff
I.3.4.3.2.Fonction Φ(u) de Wittry-Kyser
I.3.5. Parcours électronique
I.3.6. Volume de génération
I.3.7. Phénomène de génération de porteurs dans les SC
I.3.7.1. Energie de formation d’une paire électron-trou
I.3.7.2. Taux de génération total
I.3.7.3. Fonction de génération
I.3.8. Phénomène de recombinaison
I.3.8.1. Les processus de recombinaison
I.3.8.1.1. La recombinaison radiative
I.3.8.1.2. La recombinaison non- radiative
I.3.8.1.3. La recombinaison excitonique
I.3.9. Collecte de porteurs
I.3.9.1. Observation en régime permanent
I.3.9.2. Détermination du niveau d’injection
I.4. Le silicium (Si) : sa physique, et sa technologie
I.4.1. Introduction
I.4.2. La physique du silicium
I.4.2.1. Les propriétés du silicium
I.4.2.1.1. Propriétés structurales
I.4.2.1.2. Propriétés électroniques
I.4. 2.1.3. Propriétés optiques
I.4.2.2. Contact métal/semiconducteur (M/S)
I.4.3. La technologie du silicium
I.4.3.1. Importance technologique du silicium
I.4.3.2. Préparation du silicium de qualité semiconducteur
I.4.3.3. Application de l’EBIC sur des échantillons de Si
I.5. La méthode Monté Carlo
I.5.1. Introduction
I.5.2. Historique
I.5.3. Efficacité de la méthode Monte Carlo
I.5.4. Nombres aléatoires
I.5.4.1. Nombres aléatoires et pseudo-aléatoires
I.5.4.2. Génération de nombres aléatoires
I.5.4.2.1. Méthodes indirectes
a- méthode de congruence
b- méthodes de congruence mélangées
c- Algorithmes de registre à décalage
d- Générateurs traînés de Fibonacci
e- Génération gaussienne
I.5.4.2.2.Les différents essais pour la qualité de ces générateurs
I.5.4.2.3. Méthodes directes
a. Distribution non rectangulaire
b. Méthode du rejet de Von Neumann
I.5.5. Application de la méthode Monte Carlo
I.5.5.1. Simulation de trajectoires avec collisions
I.5.5.2. Calculs d’intégrales
I.5.5.3. La marche aléatoire (Random Walks)
I.5.6. Autres méthodes de simulation (dynamique moléculaire)
I.5.6.1. Les méthodes d’intégration
I.5.6.2. D’autres ensembles
I.5.6.3. Méthodes hybrides
I.5.6.4. Dynamique moléculaire Ab initio
I.5.6.5. Dynamique de rotation Quasi- Classique
I.6. Conclusion
Chapitre II: Modélisation
II.1. Introduction
II.2. Générateur de nombres aléatoires
II.2.1. La fonction ran
II.2.1.1. La définition de la fonction Ran
II.2.1.2. La syntaxe de la fonction Ran
II.2.2. Test pour la fonction Ran
II.2.2.1. Le premier test – test de stationnement –
II.2.2.2. Le deuxième test – calcul de π
II.3. Détails du modèle
II.3.1. les bases physiques
II.3.2. les étapes de calcul
II.3.2.1. Trajectoire des électrons
II.3.2.2. profondeur de pénétration
II.3.2.3. Profil de distribution
II.3.2.4.Signal EBIC
II.4. Organigramme
II.5. Conclusion
Chapitre III: Résultats et discussion
III.1. Introduction
III.2. La profondeur de pénétration
III.3. Les trajectoires des électrons
III.4. La concentration des paires (é -h) crées
III.5. Le courant collecté Icc
III.6. Conclusion
Conclusion généraleRéférences
Annexes
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