Soutenance mémoire
Le transistor : principe du composant de base de la microélectronique
Au cours des dernières décennies, l’industrie des semi-conducteurs a connu une augmentation spectaculaire de la performance des circuits intégrés ainsi qu’une forte croissance de la demande. L’amélioration des performances à moindre coût dans les circuits intégrés microélectroniques a été obtenue en augmentant la vitesse et la dimension des transistors, et en plaçant plus de transistors sur une seule puce. Cette tendance a d’abord été prévue par Gordon Moore, cofondateur d’Intel, qui, dans un article datant de 1965, a observé que le nombre de composants dans les circuits intégrés doublait chaque année depuis l’invention du circuit intégré en 1958 par Jack Kilby (prix Nobel en 2000). 1 G. Moore a prédit que cette tendance se poursuivrait durant au moins dix ans.2 Depuis le début de la production de masse, le nombre de transistors que l’industrie a pu placer sur une puce informatique a en fait doublé tous les deux ans (Figure 1.1). Cette prédiction, maintenant connue sous le nom de loi de Moore, est responsable de l’évolution de la technologie des «Complementary Metal Oxide Semiconductor » (CMOS). Cette observation s’est révélée exacte, en partie parce que la loi est maintenant utilisée dans l’industrie des semi-conducteurs pour orienter la planification à long terme et fixer des objectifs de recherche et de développement. Le transistor est devenu la pierre angulaire de presque tous les appareils électroniques après avoir été inventé par John Bardeen, Walter Brattain et indépendamment par William Schokley aux Bell Laboratories en 1947. Ils ont partagé un prix Nobel en 1956 pour leur découverte des transistors bipolaires.4 La caractéristique marquante des transistors qui alimentent la croissance rapide de l’industrie des technologies de l’information est l’augmentation incroyable de leur vitesse et la baisse du coût par composant à mesure que leur taille est réduite. En termes simples, un transistor peut être décrit comme un dispositif d’un substrat semiconducteur à trois bornes dans lequel le signal d’entrée contrôle le courant de sortie et qui remplit les fonctions de commutation et d’amplification. L’utilisation du transistor est étendue dans des domaines tels que l’amplification des signaux radio basse fréquence, la transformation analogique / numérique des signaux et inversement, les ordinateurs haute vitesse, etc. L’augmentation des performances du processeur résulte non seulement de l’augmentation de la densité des transistors mais aussi de l’architecture des puces. Le transistor peut être amélioré à la fois à travers l’utilisation de nouveaux matériaux mais aussi des changements d’architecture. Sur la base de la conception et du comportement en fonctionnement, les transistors sont principalement de deux types : le transistor à jonction bipolaire et le transistor à effet de champ (FET). Le transistor MOS (Metal/Oxide/Semi-conductor) est un des composants le plus répandu dans l’industrie de la microélectronique et il présente l’avantage d’une forte miniaturisation. Dans le composant MOS, le Métal désigne le matériau de la grille, l’Oxyde désigne l’oxyde de grille et le Semiconducteur désigne le silicium du substrat. Un transistor MOS est toujours composé de trois éléments : une Grille, une Source et un Drain. Le MOS joue le rôle d’un interrupteur.6 Le transistor MOS est un transistor à effet de champ car il utilise un champ électrique pour contrôler le passage des électrons dans un canal constitué par un matériau semi-conducteur, en contrôlant la densité des porteurs de charge. Le transport des charges s’effectue entre deux réservoirs, la Source et le Drain. La Source fournit des porteurs et le Drain les collecte sous forme de courant. La tension appliquée à la grille du transistor (Vg) va engendrer un champ électrique qui permet de moduler la densité des charges mobiles au sein du canal. La différence de potentiel appliquée entre la Source et le Drain (Vd−Vs) permet alors de mettre en mouvement les charges entre la source et le drain. Le transistor à effet de champ MOS fait appel à un seul type de porteurs de charges, on parle de transistor unipolaire. Les zones de Source et Drain sont des zones de substrat dopées afin de changer leur type de conduction. Il existe deux types de transistors MOS : le NMOS et le PMOS. Les Sources et Drains du NMOS sont dopés N. Au contraire, dans un PMOS ils sont dopés P. Dans le cas d’un NMOS, la conduction s’effectue par un canal d’électrons sous la Grille. Pour un PMOS, la conduction est assurée par un canal de trous.
La sélectivité par activation de surface
Le dépôt sélectif par activation de surface repose sur un principe simple : le film est déposé sur une surface préalablement localement activée. Pour réaliser une activation de surface, Mackus et al. proposent de combiner le dépôt induit par faisceau électronique (EBID) et ALD pour obtenir un procédé sélectif ASD.26 L’EBID est une technique de lithographie permettant de définir des motifs sur un substrat en utilisant un faisceau d’électrons. Si un faisceau électronique scanne la surface d’un échantillon en présence d’un précurseur gazeux, un motif est défini directement sur une zone de l’échantillon. 27,28 L’EBID est principalement réalisé dans des microscopes électroniques, de sorte que l’inspection in situ de la structure fabriquée est facilitée. Etant donné que les faisceaux d’électrons peuvent être extrêmement focalisés avec des spots dont le diamètre varie de quelques micromètres au nanomètre, ce procédé d’écriture directe convient pour réaliser des structures nanométriques. Dans ce procédé ASD, l’EBID est donc utilisé pour décomposer les molécules adsorbées sur un substrat. Cette étape EBID permet donc de définir une zone sur un substrat avec un dépôt appelé « seed layer » ou couche de germination. Si le faisceau d’électrons provient d’un microscope électronique à balayage (MEB), des structures nanométriques peuvent être obtenues par EBID. L’approche EBID-ALD comporte deux étapes : (1) une couche de germination est déposée sur une zone prédéfinie et (2) le film est déposé par ALD sur cette couche active (Figure 1.6). Ici, le procédé ASD (EBID + ALD) est utilisé pour déposer du platine sur de l’alumine sélectivement sur une zone prédéfinie. Le procédé ALD consiste en un pulse de précurseur de platine, le Triméthyl (méthylcyclopentadiényl) de platine (MeCpPtMe3), et un pulse de dioxygène O2. Le procédé ALD est réalisé à 300°C et avec une pression en O2 de 0,02 Torr. Les échantillons sont des substrats de silicium (100) recouverts par 50 nm de Al2O3 (déposé par ALD). Le procédé EBID utilise le même précurseur que le procédé ALD, soit le MeCpPtMe3. Sur des structures faisant 5×5 μm2, 400 cycles ALD sont réalisés. Une couche mince de Pt est effectivement déposée sur des zones prédéfinies lorsque la « seed layer » a une épaisseur minimum est de 0,5 nm. Inversement, le platine n’est pas déposé sur Al2O3 après 400 cycles ALD. Ce procédé ASD par activation de surface fonctionne. Cependant, il est aussi dépendant du temps d’incubation existant pour le dépôt ALD de Pt sur Al2O3. En effet, après un nombre de cycles (ici supérieur à 400), le dépôt commencera également sur la zone qui n’a pas vu le prétraitement sous faisceau électronique. Aussi, il faut nécessaire de réaliser au préalable une modification de surface localisée, ce qui a donc un coût sur la durée du procédé.
Le développement de procédés à l’échelle atomique combinant ALD et ALE
Dans ce manuscrit, nous nous intéresseront particulièrement aux procédés qui contrôlent le dépôt et la gravure à l’échelle de l’atome. Ces procédés sont ceux présentés succintement précédemment et qui seront développés plus tard individuellement : l’ALD et l’ALE. Ensuite, nous allons chercher à combiner ALD et ALE (anisotrope et isotrope). Tout d’abord, nous étudions l’intérêt d’ajouter une étape ALE anisotrope après un procédé ALD pour un substrat présentant des motifs 3D. En effet, le schéma d’intégration de certains dispositifs peut être drastiquement simplifié en limitant le nombre d’étapes de lithographie grâce à l’utilisation d’un procédé ALD suivi d’une gravure anisotrope ALE. La Figure 1.9 présente deux exemples d’intégration simplifiée. Un premier exemple d’architecture consiste en des nanofils ou piliers verticaux (a). Pour permettre le revêtement des nanofils/piliers, une étape de dépôt par ALD est réalisée. La couche est déposée de façon conforme sur toutes surfaces exposées au cours du procédé. Ensuite, afin d’obtenir une couche localisée uniquement autour des nanofils/piliers, une gravure ALE anisotrope est effectuée. Cette étape ALE anisotrope grave la couche déposée sur les surfaces qui sont parallèles au plan du substrat. Ainsi, ne sont uniquement retirées que les couches présentes sur le substrat et au sommet des nanofils/piliers. L’utilisation combinée d’un procédé ALD + ALE anisotrope permet ainsi le recouvrement cylindrique des surfaces des nanofils/piliers. Dans le second exemple, le même procédé est utilisé pour recouvrir les parois latérales de tranchées (b). Le procédé ALD permet en premier de déposer une couche sur toutes les surfaces. Ensuite, l’ALE anisotrope ne grave que les couches en bas et en haut des tranchées. À la fin, le film est structuré et localisé uniquement sur la paroi latérale des tranchées. Ainsi, nous voyons avec ces deux exemples, que combiner ALD et ALE anisotrope est intéressant pour simplifier les intégrations en réduisant le nombre d’étapes de lithographie et donc le coût des dispositifs.
Système plasma de l’équipement
Le réacteur plasma présent sur cet équipement est de type capacitif. Le plasma se trouve directement dans la chambre de réaction. La « showerhead » est polarisée, tandis que le porte substrat est relié à la masse, ceci afin de limiter l’énergie des ions bombardant la surface des échantillons et donc limiter ka création de défauts dans les couches déposées. Les deux générateurs plasmas disponibles sont un générateur Basse Fréquence BF (400 kHz) et un générateur Radiofréquence RF (13,56 MHz). L’intérêt d’avoir deux générateurs est de pouvoir comparer directement la variation des fréquences d’excitations de dissociation des espèces en phase gazeuse au cours d’un procédé de dépôt. Cependant dans ce travail de thèse, seul le générateur RF a été utilisé.
Composition du plasma et impact sur le substrat de Silicium
Le plasma utilisé dans nos dépôts doit être oxydant pour permettre la croissance des oxydes souhaités. Dans notre équipement, nous n’avons qu’un seul gaz réactif qui peut jouer le rôle d’oxydant, c’est le dioxygène O2. Plusieurs paramètres sont à prendre en compte dans un plasma. La puissance RF du générateur, la pression de la chambre, le(s) gaz utilisé(s) et éventuellement leur ratio si on utilise un mélange de gaz. La combinaison optimale de tous ces paramètres permet d’obtenir un plasma à la fois stable et uniforme. Dans notre cas, le plasma utilisé est un mélange de gaz O2/Ar de 250sccm/2500sccm (ratio 1/10), à une pression de 2 Torr. La puissance RF du générateur plasma est fixée à la plus basse valeur posible pour allumer le plasma, soit 75W. En effet, notre réacteur plasma étant de type capacitif, directement au contact du substrat dans la chambre, la puissance doit être la plus faible possible pour limiter les défauts induits par ce dernier, notamment le bombardement ionique à la surface du substrat. Avec ces conditions d’utilisation, le plasma est stable et suffisamment oxydant. L’impact des ions est limité par le fait que la gaine plasma soit collisionnelle. Il faut noter que nous utilisons une croissance par assistance plasma pour plusieurs raisons. Premièrement, car il est difficile de croitre du TiO2 et/ou Ta2O5 avec O2 comme gaz réactif en ALD thermique, O2 étant très stable aux températures de dépôts par ALD du TiO2 et du Ta2O5 (températures inférieures à 350°C). 12,14 Ensuite, dans le cas du Ta2O5, le plasma va permettre de rompre la double liaison Ta=N présente dans le précurseur de tantale (voir plus loin TBTDET, Fig 3.17). Enfin, l’utilisation d’un plasma peut augmenter le rendement du procédé (diminuer le temps total d’un cycle ALD) en utilisant le gaz O2 comme gaz de purge car ce dernier ne réagit pas en phase gazeuse avec le précurseur métallique. Le plasma O2/Ar étant oxydant, il va avoir tendance à oxyder l’interface entre le substrat de silicium et le film déposé. L’impact de la durée de ce plasma sur la croissance d’oxyde de silicium à l’interface a été étudié. Pour cela, un plasma est allumé avec cinq temps t différents (t = 0, 5, 30, 100 et 300 secondes) sur cinq substrats de silicium avec oxyde natif. Les mesures d’épaisseur du SiO2 formé après exposition au plasma sont réalisées avec un ellipsomètre automatique qui nous permet également d’extraire l’uniformité 1σ du SiO2 (1σ correspond à l’écart type calculé pour les 49 points de mesure faits sur le substrat). A noter que le temps plasma indiqué dans ce chapitre représente le temps une fois le plasma stabilisé. Le temps de stabilisation du plasma dans l’AltaCVD300 est de 2 secondes. La Figure 3.4, qui présente l’épaisseur de SiO2 en fonction du temps d’exposition au plasma, montre que le plasma a bien un impact sur l’épaisseur de SiO2 présent à la surface du silicium. Cet impact est très important au départ, avec un oxyde natif passant de 10 Å au départ à plus de 20 Å après 30 secondes. Au-delà de 100 secondes de plasma, l’épaisseur a tendance à se stabiliser. En effet, de 27 Å à 100 secondes, elle ne croît que de 7 Å en 200 secondes. Aussi, on note que le plasma est homogène sur l’ensemble du substrat car nous n’observons pas de variation significative du 1σ avec le temps d’exposition. Le 1σ est constant à une valeur d’environ 3%.
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Table des matières
Introduction générale
Chapitre 1 – Les dépôts sélectifs, un nouveau défi pour l’industrie de la micro et nano technologie
I. Les dépôts sélectifs, une solution pour simplifier les schémas d’intégration
I.1. Le transistor : principe du composant de base de la microélectronique
I.2. La réduction des nœuds technologiques de plus en plus complexe et coûteux demande le développement de procédés à l’échelle atomique
I.3. Une solution à bas coût : développer des procédés de dépôts sélectifs
II. Les dépôts sélectifs, une construction de type « Bottom-up »
II.1. La sélectivité inhérente
II.2. La sélectivité par activation de surface
II.3. La sélectivité par passivation de surface
II.4. Une solution alternative de sélectivité par utilisation d’un procédé de type ABC
III. Une nouvelle approche de dépôt sélectif combinant ALD et ALE
III.1. Le développement de procédés à l’échelle atomique combinant ALD et ALE
III.2. Le développement d’un procédé de dépôt sélectif combinant ALD et ALE
III.3. Avantages de la gravure ALE isotrope vs. anisotrope sur des structures 3D
IV. Développement d’un nouveau procédé de dépôt sélectif pour une application aux mémoires résistives
IV.1. Des mémoires Flashs vers les ReRAMs
IV.2. L’OxRAM, une mémoire résistive
IV.3. Un procédé de dépôt sélectif permettant une intégration mémoire Vertical RAM
V. Objectifs de la thèse
VI. Références bibliographiques du chapitre 1
Chapitre 2 – Equipements de dépôt et de caractérisation
I. Introduction
II. Les techniques de dépôt
II.1. Dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques MOCVD
II.1.1. Principe
II.1.2. Avantages, limites et contraintes
II.2. Dépôt de couches minces atomiques ALD
II.2.1. Principe
II.2.2. Avantages, limites et contraintes
III. Le plasma
III.1. Généralités
III.2. Caractéristiques d’un plasma
III.3. Les réacteurs plasmas
IV. Description de l’équipement de dépôt AltaCVD300
IV.1. Réacteurs de dépôts
IV.2. Système d’injection des précurseurs liquides
IV.3. Système plasma de l’équipement
V. Equipements de caractérisation
V.1. Réflectivité des Rayons-X XRR
V.1.1. Description
V.1.2. Avantages, limites et contraintes
V.2. Diffraction des Rayons-X DRX
V.2.1. Description
V.2.2. Avantages, limites et contraintes
V.3. Ellipsométrie
V.3.1. Description
V.3.2. Avantages, limites et contraintes
V.4. Microscopie par Force Atomique AFM
V.4.1. Description
V.4.2. Avantages, limites et contraintes
V.5. Microscopie électronique à balayage MEB
V.5.1. Description
V.5.2. Avantages, limites et contraintes
V.6. Mesures électriques
V.6.1. Description
V.6.2. Avantages, limites et contraintes
V.7. Spectroscopie des Photoélectrons-X XPS
V.7.1. Principe
V.7.2. Analyse standard
V.7.3. Analyse angulaire (PARXPS)
V.7.4. Avantages, limites et contraintes
V.8. Transfert sous vide par valise « Pfeiffer »
V.8.1. Description
V.8.2. Avantages, limites et contraintes
VI. Références bibliographiques du chapitre 2
Chapitre 3 – Développement de dépôts d’oxydes par ALD – Compréhension des paramètres et des mécanismes de croissance
I. Introduction
II. Dépôt de l’oxyde de titane TiO2 par voie chimique MOCVD pour l’étude de l’influence des paramètres du système d’injection
II.1. Contexte / Méthodologie
II.2. Précurseur de titane TDEAT
II.3. Température du substrat et détermination de la fenêtre CVD du dépôt de TiO2
II.4. Etude et influence des paramètres de claquage des injecteurs sur le procédé MOCVD
II.5. Influence de la température du système d’injection sur le dépôt CVD de TiO2
II.6. Conclusion
III. Dépôts de l’oxyde de titane TiO2 en mode ALD avec assistance plasma
III.1. Contexte / Méthodologie
III.2. Composition du plasma et impact sur le substrat de Silicium
III.3. Energie d’activation du dépôt / Fenêtre PEALD
III.4. Composition chimique du film déposé par XPS
III.5. Propriétés optiques du film de TiO2 déposé
III.6. Structure cristalline
III.7. Impact d’un flux continu en O2 sur la qualité des films obtenus
III.8. Conclusion
IV. Etude XPS quasi in-situ de la croissance de TiO2 sur substrat de silicium en mode PEALD
IV.1. Contexte /Méthodologie
IV.2. Décomposition de la croissance de TiO2 sur substrat de silicium pour les 3 premiers cycles PEALD par analyses XPS quasi in situ
IV.3. Etude XPS quasi in situ de la croissance du TiO2 pour les 10 premiers cycles PEALD
IV.4. Impact de l’étape d’activation plasma sur les ligands présents dans la molécule de précurseur titane TDEAT
IV.5. Proposition d’un mécanisme de dépôt
IV.6. Conclusion
V. Dépôts de l’oxyde de tantale Ta2O5 en mode ALD avec assistance plasma
V.1. Contexte / Méthodologie
V.2. Précurseur de Tantale TBTDET
V.3. Energie d’activation du dépôt / Fenêtre PEALD
V.4. Influence du temps d’exposition précurseur
V.5. Influence de la puissance plasma
V.6. Composition chimique
V.7. Caractérisations électriques
V.8. Conclusion
VI. Conclusions du chapitre 3
VII. Références bibliographiques du chapitre 3
Chapitre 4 – Développement d’un procédé de gravure contrôlé à l’échelle atomique pour les oxydes de TiO2 et Ta2O5
I. Introduction
II. Principe de la gravure sèche
II.1. Introduction
II.2. Intérêts de la gravure sèche
II.3. Les quatre types de gravure sèche
II.4. Les paramètres de la gravure sèche
II.5. Conclusion
III. Etude de la gravure chimique par assistance plasma avec l’utilisation du gaz fluoré NF3
III.1. Contexte / Méthodologie
III.2. Paramètres de gravure
III.3. Vitesse de gravure d’un substrat de SiO2 thermique en fonction de la constitution du mélange de gaz de gravure
III.4. Compréhension des mécanismes mis en jeu au cours de la gravure plasma à base d’un mélange de gaz NF3/O2/Ar
III.4.1. Contexte
III.4.2. Dissociation des espèces dans le plasma
III.4.3. Impact de l’oxygène sur l’émission de fluor atomique dans le plasma
III.4.4. Rôle de l’oxygène sur la densité électronique du plasma
III.4.5. Effet de la pression de la chambre et de la puissance de la décharge plasma sur la vitesse de gravure
III.4.6. Discussion générale sur le rôle de O2 dans le plasma de gravure à base de NF3
III.5. Conclusion
IV. Etude de la gravure des oxydes TiO2 et Ta2O5 et son impact sur les substrats
IV.1. Contexte / Méthodologie
IV.2. Etude de la gravure du TiO2
IV.3. Etude de la gravure du Ta2O5
IV.4. Conclusion
V. Conclusions du chapitre 4
VI. Références bibliographiques du chapitre 4
Chapitre 5 – Développement d’un procédé de dépôt sélectif par ajout d’une étape de gravure plasma dans un procédé PEALD – Application de ce procédé pour les oxydes de TiO2 et de Ta2O5
I. Introduction
II. Principe du procédé de dépôt sélectif
III. Développement du procédé de dépôt sélectif de l’oxyde de titane TiO2
III.1. Contexte / Méthodologie
III.2. Croissance de TiO2 sur des substrats de natures chimiques différentes – Etude du délai de nucléation sur différents matériaux
III.3. Etude de l’impact du plasma O2/Ar sur la surface du substrat de TiN par XPS quasi in-situ
III.3.1. Contexte / Méthodologie
III.3.2. Caractérisation par mesures angulaires XPS d’un substrat de TiN soumis à différents temps plasma O2/Ar – Impact du plasma O2/Ar dans l’épaisseur du substrat de TiN
III.3.3. Conclusion
III.4. Croissance de TiO2 sur des substrats fluorés de natures différentes – Etude de la passivation par le traitement fluoré des surfaces
III.5. Etude XPS quasi in-situ de la croissance de TiO2 sur substrat de silicium fluoré en mode PEALD
III.5.1. Contexte / Méthodologie
III.5.2. Etude de l’adsorption du précurseur de Titane TDEAT sur un substrat de silicium fluoré – Comparaison avec un substrat de silicium avec oxyde natif
III.5.3. Etude de la croissance de TiO2 en mode PEALD pour les 10 premiers cycles – Comparaison avec la croissance entre surfaces fluorées et non fluorées
III.5.4. Impact du nombre de pulses du précurseur TDEAT sur les liaisons Si-F en surface du substrat
III.5.5. Impact du nombre d’étapes de plasma O2/Ar sur les liaisons Si-F en surface du substrat
III.5.6. Discussion sur le mécanisme de recroissance PEALD de TiO2 sur substrat silicium après passivation de surface par du fluor
III.6. Mise en place du procédé de dépôt sélectif de TiO2
III.6.1. Contexte / Méthodologie
III.6.2. Mise en place du procédé – Constitution des super-cycles
III.6.3. Réalisation du procédé de dépôt sélectif de TiO2 – Résultats XRR et XPS
III.7. Conclusion
IV. Développement du procédé de dépôt sélectif de l’oxyde de tantale Ta2O5
IV.1. Contexte / Méthodologie
IV.2. Croissance de Ta2O5 sur des substrats de natures différentes – Etude de l’existence de délais de nucléation en fonction du substrat utilisé
IV.3. Croissance de Ta2O5 sur des substrats fluorés de natures différentes – Etude de la passivation éventuelle par le traitement fluoré de la surface des substrats
IV.4. Mise en place du procédé de dépôt sélectif de Ta2O5
IV.4.1. Contexte / Méthodologie
IV.4.2. Mise en place du procédé – Constitution des super-cycles
IV.4.3. Réalisation du procédé de dépôt sélectif de Ta2O5 – Résultats XRR et XPS
IV.5. Conclusion
V. Comparaisons des propriétés des oxydes de titane TiO2 et de tantale Ta2O5 en fonction de la méthode de dépôt utilisées – PEALD vs. dépôt sélectif
V.1. Contexte / Méthodologie
V.2. Comparaison des propriétés de l’oxyde de titane TiO2 déposé en mode PEALD et par procédé sélectif
V.2.1. Contexte / Méthodologie
V.2.2. Caractérisations structurales des films de TiO2 déposés en fonction du mode de dépôt utilisé
V.2.3. Compositions chimiques des films de TiO2 déposés en fonction du mode de dépôt utilisé
V.2.4. Propriétés électriques des films de TiO2 déposés en fonction du mode de dépôt utilisé – Application aux mémoires résistives
V.2.5. Conclusion
V.3. Comparaison des propriétés de l’oxyde de tantale Ta2O5 déposé en mode PEALD et par procédé sélectif
V.3.1. Contexte / Méthodologie
V.3.2. Caractérisations structurales des films de Ta2O5 déposés en fonction du mode de dépôt utilisé
V.3.3. Compositions chimiques des films de Ta2O5 déposés en fonction du mode de dépôt utilisé
V.3.4. Propriétés électriques des films de Ta2O5 déposés en fonction du mode dépôt utilisé – Application aux mémoires résistives
V.3.5. Conclusion
VI. Conclusions du chapitre 5
VII. Références bibliographiques du chapitre 5
Chapitre 6 – Conclusion générale et perspectives
Contributions
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