Les progrรจs dans le domaine de l’รฉlectronique de puissance sont depuis longtemps liรฉs aux applications, telles que l’informatique, les tรฉlรฉcommunications, l’automobile, la distribution et la conversion d’รฉnergie รฉlectrique. L’รฉvolution des composants de puissance au cours des vingt derniรจres annรฉes est รฉtroitement liรฉe aux progrรจs des technologies microรฉlectroniques rรฉalisรฉs dans le domaine des circuits intรฉgrรฉs. En effet, l’essor important des circuits intรฉgrรฉs du traitement du signal et de l’information s’est accompagnรฉ d’un effort de recherche qui a conduit au dรฉveloppement de nouveaux procรฉdรฉs technologiques et ร la rรฉduction des dimensions. C’est ce qui se produit actuellement dans le secteur automobile.
L’รฉlectronique a รฉtรฉ introduite dans l’automobile par vagues successives. La premiรจre a รฉtรฉ initiรฉe en 1974 par des lรฉgislations sur l’environnement qui ont conduit ร l’introduction de commandes de contrรดle du moteur. La deuxiรจme a รฉtรฉ dรฉclenchรฉe par l’introduction sur le marchรฉ de nouveaux dispositifs de sรฉcuritรฉ comme l’ABS et l’airbag qui sont apparus respectivement en 1978 et 1982. La troisiรจme vague provient de la large introduction de systรจmes รฉlectroniques destinรฉs au confort qui a dรฉbutรฉ en 1990. La quatriรจme vague reprรฉsente l’introduction des systรจmes de transport intelligent (Intelligent Transport System) qui sont entrรฉs sur le marchรฉ en 1998. La cinquiรจme vague, dont les premiers systรจmes sont apparus en 2000, consiste ร remplacer les systรจmes mรฉcaniques et hydrauliques par des systรจmes รฉlectroniques.
L’arrivรฉe de la cinquiรจme vague a entraรฎnรฉ l’introduction de nouveaux systรจmes รฉlectroniques dont les besoins en puissance dรฉpassent les 6kW au lieu des 1 ou 2kW utilisรฉs actuellement. L’introduction de tous ces nouveaux systรจmes รฉlectroniques engendre une forte augmentation de la puissance nรฉcessaire dans les voitures. Diffรฉrentes รฉtudes ont รฉtรฉ rรฉalisรฉes afin de dรฉfinir la tension nominale optimale permettant de rรฉpondre aux futurs besoins dans l’automobile. La tension nominale de 42 Volts a รฉtรฉ choisie en considรฉrant les aspects sรฉcuritaires et รฉconomiques. Cette nouvelle tension nominale impose d’augmenter la tenue en tension des composants de puissance utilisรฉs dans ces systรจmes รฉlectroniques.
ARRIVEE DES BATTERIES 42V DANS LE SECTEUR AUTOMOBILE ET SON IMPACT SUR LES COMPOSANTS MOS BASSE TENSION
DEFINITIONS DU NOUVEAU RESEAU DE PUISSANCE 42V
De nos jours, le rรฉseau de puissance de 14V, utilisant des batteries de 12V, nโest pas dรฉfini de maniรจre trรจs prรฉcise. En effet, la gamme de variation dรฉfinie comme acceptable est trรจs large, ce qui permet des applications trรจs diversifiรฉes. Cependant les composants microรฉlectroniques doivent afficher une gamme de fonctionnement trรจs importante, ce qui implique de forts investissements tant sur les protections que sur les technologies utilisรฉes. lorsque le moteur est en rรฉgime de marche : la plage de fonctionnement est dรฉfinie entre 6V et 18V pour les batteries de 12V (fonctionnant ร 13V). Toutefois, les composants semi conducteurs doivent rรฉpondre ร des surtensions dynamiques de 40V, soit trois fois plus que leur tension nominale et supporter des tensions nรฉgatives jusquโร -13V, en inversion de polaritรฉ [GRA1].
La prise en compte de ces extrema implique des coรปts de rรฉalisation technologique importants. Afin de remรฉdier ร un de ces extrema, nรฉgatif par exemple, lโutilisation de dรฉtrompeurs ร chaque borne de batterie supprimerait les systรจmes de protection sur chaque composant, diminuant ainsi le surcoรปt de production.
Nous avons notรฉ prรฉcรฉdemment la prรฉsence grandissante des composants รฉlectroniques dans les applications automobiles. Afin de rรฉduire le prix des composants, il devient donc nรฉcessaire de diminuer leurs dimensions et de limiter les surcoรปts de production. Cependant le passage aux batteries 42V ne sera pas instantanรฉ : on assistera ร une pรฉriode de transition pendant laquelle on utilisera des batteries mixtes de 14 et 42 Volts. Lors de consortiums pour la dรฉfinition du rรฉseau 42V, une modification des caractรฉristiques du rรฉseau 14V a รฉgalement รฉtรฉ apportรฉe. elle passera de 6V-24V ร 9V-16V, la surtension dynamique sera rรฉduite de moitiรฉ et lโinversion de polaritรฉ ne sera plus autorisรฉe [KAS].
Le rรฉseau de puissance 42 Volts a รฉtรฉ dรฉfini sur le mรชme principe que le futur 14 Volts [GRA1] [KAS], en interdisant lโinversion de polarisation. Le fonctionnement normal doit รชtre assurรฉ pour des tensions allant de 30 ร 48 Volts . Une surtension dynamique de 58 Volts, pendant au maximum 400ms, et une surtension statique, allant jusquโร 50 Volts, seront permises. Une nouvelle nuance a รฉtรฉ ajoutรฉe pour les tensions minimales : elle fait apparaรฎtre une hiรฉrarchisation dans lโimportance des charges. Toutes les charges doivent pouvoir fonctionner normalement pour une tension de 30 Volts. Le dรฉmarrage de la voiture pourra รชtre effectuรฉ pour une tension minimale de 21 Volts. Entre 21 et 30 Volts, les diffรฉrentes applications seront opรฉrationnelles suivant leur importance, les systรจmes vitaux (freinageโฆ) seront alimentรฉs avant les applications de confort. La tension minimale de batterie est maintenant fixรฉe ร 18 Volts.
En ce qui concerne les contraintes en tension pour les composants semi-conducteurs, elles sont directement liรฉes aux contraintes du rรฉseau de puissance 42 Volts. Lโinversion de polaritรฉ รฉtant interdite, la tension minimale de fonctionnement est fixรฉe ร 18 Volts , et certaines protections seront donc supprimรฉes [GRA1] [KAS]. Le fonctionnement nominal sera assurรฉ pour des tensions de 30 ร 58 Volts et de nouveaux systรจmes devront รชtre mis au point afin de hiรฉrarchiser les diffรฉrentes applications entre 18 et 30 Volts. Une marge de 2 Volts a รฉtรฉ dรฉcidรฉe pour la tension maximale, ce qui repousse la tension maximale de fonctionnement ร 60 Volts. Les composants de la microรฉlectronique doivent prรฉsenter une tension de claquage minimale de 75 Volts ร une tempรฉrature de -40ยฐC, soit 80 Volts ร tempรฉrature ambiante.
La dรฉfinition du rรฉseau de puissance 42 Volts ne se limite pas ร la dรฉfinition des tensions de fonctionnement, un paragraphe concernant les รฉmissions a รฉtรฉ ajoutรฉ [HAR] [WOR]. Comme le standard ne contient pas dโautre spรฉcification sur lโรฉmission que la dรฉcharge de charges, il apparaรฎt que le standard ne peut pas garantir les limites en tensions spรฉcifiรฉes. Par exemple, il est possible quโun systรจme ou un composant รฉmette une impulsion parasite (comme il a รฉtรฉ dรฉcrit dans la norme) de 58 Volts pendant 400ms [WOR]. Si maintenant plusieurs systรจmes ou composants se mettent ร รฉmettre et/ou si les intervalles entre chaque impulsion sont suffisamment courts, la surtension dynamique se transforme alors en une surtension statique de 58 Volts. Il รฉtait donc nรฉcessaire de trouver une รฉchappatoire ร ce problรจme qui a รฉtรฉ de limiter les pics de surtension ร une tension strictement infรฉrieure ร 58 Volts.
LES APPLICATIONS 42 VOLTS
Le passage du rรฉseau 14 Volts ร un rรฉseau 42 Volts ouvre de grandes perspectives pour les applications futures. Les constructeurs automobiles cherchent ร trouver des solutions pour gรฉnรฉrer, stocker et distribuer la puissance รฉlectrique ร une tension nominale de 42 Volts, en vue dโintroduire de nouvelles applications [GRA2] [CHE1]. La Figure 5 regroupe les grandes applications susceptibles dโรชtre dรฉveloppรฉes puis intรฉgrรฉes dans les futures vรฉhicules, comme la direction รฉlectrique, le freinage รฉlectrique, la suspension รฉlectrique active, la pompe ร eau รฉlectriqueโฆ
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Table des matiรจres
INTRODUCTION GENERALE
1 INTRODUCTION
2 ARRIVEE DES BATTERIES 42V DANS LE SECTEUR AUTOMOBILE ET SON IMPACT SUR LES COMPOSANTS MOS BASSE TENSION
2.1 DEFINITIONS DU NOUVEAU RESEAU DE PUISSANCE 42V
2.2 LES APPLICATIONS 42 VOLTS
3 LES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE BASSE TENSION EN MICROELECTRONIQUE
3.1 PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR MOS DE PUISSANCE
3.2 LES TRANSISTORS MOS DISCRETS
3.2.1 Le transistor VMOS
3.2.2 Les transistors DMOS conventionnels
3.2.2.1 Le transistor VDMOS (HDTMOSโข de Freescale)
3.2.2.2 Le transistor MOS ร tranchรฉes
3.3 LES TRANSISTORS MOS INTรGRรS
3.3.1 Le transistor VDMOS up-drain
3.3.2 Le transistor LDMOS et ses variantes
3.4 LES NOUVEAUX CONCEPTS DE COMPOSANTS MOS DE PUISSANCE
3.4.1 Les transistors MOS ร Superjonctions
3.4.2 Les transistors MOS ร Semi-Superjonctions
3.4.3 Les transistors FLIMOS
3.4.3.1 Historique du FLIMOS
3.5 LES LIMITES CONVENTIONNELLES DU SILICIUM
3.5.1 Limite conventionnelle des composants MOS verticaux classique
3.5.2 Limite conventionnelle du silicium pour les composants FLYMOSโข
3.5.3 Comparaison des limites de performances statiques des transistors conventionnels, FLIMOS et ร Superjonction
3.6 LES MATรRIAUX SEMICONDUCTEURS AVANCรS
4 CONCLUSION
CONCLUSION GENERALE