Les rรฉcents dรฉveloppements techniques dans les domaines de lโaรฉronautique, du spatial et de la propulsion entretiennent la demande en matรฉriaux avancรฉs de plus en plus performants en termes de rรฉsistance aux milieux sรฉvรจres. En effet, les matรฉriaux employรฉs pour de telles applications doivent รชtre capables de fonctionner, sous des pressions de lโordre de la centaine dโatmosphรจres, ร des tempรฉratures excรฉdant 2000ยฐC, et en prรฉsence dโenvironnements gazeux de grande vรฉlocitรฉ dont la composition chimique complexe peut inclure diffรฉrentes espรจces oxydantes ou corrosives telles que CO2(g), H2O(g) ou encore HCl(g). Les barriรจres thermiques et environnementales sont des revรชtements de surface ร base de cรฉramiques rรฉfractaires dont la fonction est prรฉcisรฉment dโassurer au matรฉriau une protection efficace face aux attaques physico-chimiques provoquรฉes par de tels milieux gazeux.
Corrosion active du carbure de siliciumย
Au contact dโespรจces oxydantes telles que le dioxygรจne, la vapeur dโeau, ou encore le dioxyde de carbone, le carbure de silicium peut, sous certaines conditions, subir une oxydation dite ยซ active ยป, c’est-ร -dire une oxydation qui nโimplique pas la formation dโune phase solide en surface. Ce mode dโoxydation, favorisรฉ aussi bien par les hautes tempรฉratures que par les faibles pressions partielles en espรจces oxydantes, se traduit par une attaque directe des espรจces oxydantes sur la surface du matรฉriau alors laissรฉe ร nu et sans protection, et une dรฉgradation rapide de ce dernier.
Les gaz contenant du chlore sont รฉgalement connus pour attaquer SiC ร haute tempรฉrature, en entraรฎnant la formation dโune couche de carbone et de chlorures de silicium gazeux SiClx .
Corrosion active du carbure de silicium par les gaz oxydants : O2, CO2, H2Oย
Gรฉnรฉralitรฉs
Lโoxydation active du carbure de silicium est favorisรฉe par les basses pressions partielles en espรจces oxydantes et les hautes tempรฉratures. Elle se traduit par la formation de monoxyde de silicium gazeux, ainsi que dโune espรจce carbonรฉe (CO(g), CO2(g) ou C(s)) dont la nature dรฉpend des paramรจtres de lโenvironnement [SIC93,NAR95]. Dans le cas de lโoxydation active par la vapeur dโeau, elle induit รฉgalement la formation de dihydrogรจne gazeux [KIM89].
Approche thรฉorique : Modรจle de Wagnerย
Wagner a dรฉveloppรฉ un modรจle permettant de dรฉcrire les cinรฉtiques dโoxydation active pour le silicium, et dโexprimer la constante de vitesse linรฉaire kact en fonction des paramรจtres physiques de lโenvironnement [WAG58]. Ce modรจle a ensuite รฉtรฉ adaptรฉ au cas de SiC [KIM89, NAR91]. Le modรจle de Wagner, suppose que la rรฉactivitรฉ propre de la rรฉaction chimique hรฉtรฉrogรจne est infiniment grande devant celle des phรฉnomรจnes de transfert de masse, et donc que la composition du gaz ร lโinterface gaz/solide peut รชtre assimilรฉe ร un รฉtat dโรฉquilibre thermodynamique hรฉtรฉrogรจne. La vitesse de la rรฉaction dโoxydation active est dans ce cas รฉquivalente, ร un facteur de masse et de stoechiomรฉtrie prรจs, aux flux de diffusion ร travers une couche limite des espรจces intervenant dans la rรฉaction.
Dรฉgradation du carbure de silicium en milieu mixte dโoxydation/chloruration
Le comportement du carbure de silicium en prรฉsence de mรฉlange gazeux type Ar/Cl2/O2 a รฉtรฉ รฉtudiรฉ par diffรฉrents auteurs entre 900 et 1200ยฐC [MNA86, MAR88, IP92]. Ces รฉtudes ont montrรฉ que tant quโil nโy avait pas assez de dioxygรจne dans la phase gazeuse pour permettre la formation dโune couche de silice, le carbure de silicium รฉtait majoritairement consommรฉ pour former SiCl4 (g) et des oxydes de carbone gazeux, mais pas du monoxyde de silicium gazeux. Ces observations sont en bon accord avec lโรฉtude thermodynamique de McNallan [MNA86] qui prรฉvoit รฉgalement une augmentation avec la tempรฉrature des pressions partielles en SiCl3 (g) et SiO(g) ร lโinterface gaz/solide.
Les vitesses de corrosion dรฉcroissent brutalement dรจs lors que la silice condensรฉe se forme. Cette derniรจre est en effet peu sensible ร lโattaque des espรจces chlorรฉes [MAR88].
Corrosion passive du carbure de silicium
Formation dโoxyde condensรฉ et passivation du carbure de siliciumย
Gรฉnรฉralitรฉs
Lorsque la tempรฉrature diminue, ou que les pressions partielles en espรจces oxydantes augmentent, le carbure de silicium est susceptible dโรชtre oxydรฉ selon un mode dโoxydation dit mode dโoxydation ยซ passif ยป. Ce mode se traduit par la formation ร la surface du matรฉriau dโune couche condensรฉe de dioxyde de silicium ร travers laquelle doivent diffuser les espรจces oxydantes avant de pouvoir attaquer la surface de SiC. La prรฉsence de cette couche de SiO2 permet ainsi, dans la plupart des cas, de freiner la dรฉgradation du matรฉriau et de lui assurer une relative protection ร la corrosion [DEA65].
Approche thรฉorique : modรจle de Deal & Grove
Modรจle de Deal & Groveย
En 1965, B.E. Deal et A.S Grove ont dรฉveloppรฉ un modรจle dรฉcrivant dโun point de vue cinรฉtique lโoxydation ยซ passive ยป du silicium sous oxygรจne et sous vapeur dโeau [DEA65]. Ce modรจle a ensuite รฉtรฉ extrapolรฉ au cas du carbure de silicium [ZHE90-2].
Selon ce modรจle, le mรฉcanisme de croissance de la couche de silice se dรฉcompose en cinq รฉtapes principales :
– Lโadsorption des espรจces oxydantes ร la surface externe de SiO2
– La diffusion de lโoxygรจne ร travers la couche de SiO2
– La rรฉaction ร lโinterface SiC/ SiO2
– La diffusion des produits gazeux de lโinterface SiC/SiO2 vers lโextรฉrieur au travers de la couche dโoxyde.
– La dรฉsorption des produits gazeux ร la surface externe de SiO2.
Limites du modรจle de Deal & Grove et autres modรจlesย
Il a รฉtรฉ montrรฉ que le modรจle de Deal & Grove sous-estime la vitesse de croissance des couches dโoxyde dans le domaine des รฉpaisseurs dโoxyde infรฉrieure ร 25 nm [YAM08]. Plusieurs modรจles alternatifs ont รฉtรฉ proposรฉs afin dโexpliquer ces observations. Lโun dโentre eux suppose que la cinรฉtique de croissance de lโoxyde nโest jamais limitรฉe par la rรฉaction chimique, et que le rรฉgime linรฉaire initial correspond ร une cinรฉtique limitรฉe par la diffusion des espรจces au sein dโune couche dโรฉpaisseur constante (de lโordre de la dizaine de nanomรจtres) situรฉe ร proximitรฉ lโinterface SiC/SiO2 et dans laquelle le coefficient de diffusion de lโoxygรจne est trรจs faible [JAC93]. Un autre modรจle considรจre que la rรฉaction chimique nโest pas limitรฉe ร lโinterface SiC/SiO2 mais ร toute une zone de rรฉaction dโune รฉpaisseur proche de 12nm. [JIM03]. Certains auteurs ont mis en รฉvidence la formation dโun milieu oxycarbure Si-O-C ร proximitรฉ de lโinterface SiC/SiO2 [RAD02]. Les oxycarbures de silicium sont cependant connus pour se dรฉcomposer au-delร de 1500ยฐC [SOR99]. Il existe รฉgalement un modรจle reposant sur la formation, la diffusion et lโoxydation de SIO(g) pour former SiO2(c) au sein de la couche de silice [TAK97].
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Table des matiรจres
INTRODUCTION
CHAPITRE I : ETAT DE LโART SUR LA CORROSION DU CARBURE DE SILICIUM A HAUTE TEMPERATURE
Introduction
I) Corrosion active du carbure de silicium
1.1) Corrosion active du carbure de silicium par les gaz oxydants O2, CO2, H2O
1.2) Corrosion active du carbure de silicium par les gaz chlorรฉs Cl2, HCl
II) Corrosion passive du carbure de silicium
2.1) Formation dโoxyde condensรฉ et passivation du carbure de silicium
2.2) Formation et volatilisation subsรฉquente de lโoxyde
III) Transition active/passive dans lโoxydation du carbure de silicium
3.1) Observations expรฉrimentales
3.2) Le modรจle de Heuer et Lou et ses dรฉrivรฉs
3.3) Le modรจle de Wagner et ses dรฉrivรฉs
Conclusion
CHAPITRE II : NOUVEAUX MOYENS EXPERIMENTAUX POUR L ETUDE DE LA CORROSION DE SiC A TRES HAUTE TEMPERATURE
Introduction
I) Four de corrosion ร effet Joule
1.1) Description du dispositif expรฉrimental
1.2) Analyse in-situ de la dรฉgradation de lโรฉchantillon par lโรฉtude de lโรฉvolution des grandeurs รฉlectriques
1.3) Analyse in-situ de la vitesse de croissance dโoxyde par une mรฉthode dโinterfรฉromรฉtrie bichromatique
1.4) Bilan et limites du four de corrosion ร effet Joule
II) Four de corrosion ร images dโarcs
2.1) Description du dispositif expรฉrimental
2.2) Mesure de le tempรฉrature au sein du four de corrosion ร images dโarcs
2.3) Bilan et limites du four de corrosion ร images dโarcs
Conclusion
CHAPITRE III : MODELISATION DE LA CORROSION DE SiC PAR LES MELANGES GAZEUX A TRES HAUTE TEMPERATURE
Introduction
I) Notion de cinรฉtique et de thermodynamique hรฉtรฉrogรจnes
1.1) Notions de cinรฉtique hรฉtรฉrogรจne
1.2) Notions de thermodynamique hรฉtรฉrogรจne
II) Description du modรจle
2.1) Objectifs et stratรฉgie de simulation
2.2) Description physico-chimique du problรจme considรฉrรฉ
2.3) Traitement du modรจle, simulation sous FLUENT
III) Validation de la description thรฉorique des รฉchanges thermiques
3.1) Rรฉsultats thรฉoriques
3.2) Rรฉsultats expรฉrimentaux et discussion
IV) Etude thรฉorique du comportement en corrosion de SiC par les mรฉlanges gazeux rรฉactifs et exemples de rรฉsulats
4.1) Etude de lโoxydation active de SiC ร 1800ยฐC sous Ar/O2 ร pression atmosphรฉrique
4.2) Etude de la transition active/passive de SiC sous Ar/O2 selon une approche type Wagner
4.3) Etude de la volatilisation de SiO2 ร 1800ยฐC sous Ar/O2 ร pression atmosphรฉrique
Conclusion
CHAPITRE IV : CORROSION ACTIVE DE SiC PAR LES MELANGES GAZEUX REACTIFS A TRES HAUTES TEMPERATURES
Introduction
I) Corrosion active de SiC par les mรฉlanges Ar/O2, Ar/CO2 et Ar/H2O
1.1) Corrosion active de SiC sous Ar/O2
1.2) Corrosion active de SiC sous Ar/H2O et sous Ar/CO2
II) Corrosion active de SiC par les mรฉlanges Ar/O2/CO2 et Ar/O2/H2O
2.1) Corrosion de SiC ร 1800ยฐC par des mรฉlanges Ar/O2/CO2 ร P= 1 atm
2.2) Corrosion de SiC ร 1800ยฐC par des mรฉlanges Ar/O2/H2O ร P= 1 atm
2.3) Bilan
Conclusion
CONCLUSION