CAPACITE PLANAIRE MICRO-FLUIDIQUE POUR LA DETECTION SANS FIL DE LA TEMPERATURE

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CAPTEURS A TRANSDUCTION ELECTROMAGNETIQUE:

Les capteurs passifs ร  transduction EM transforment la variation de la quantitรฉ physique dรฉtectรฉe (comme la pression, la tempรฉrature, une contrainte ou le gazโ€ฆ) en une variation connue et spรฉcifique de la description de lโ€™onde รฉlectromagnรฉtique. Ce type de capteur ne nรฉcessite pas de circuit รฉlectronique de contrรดle contrairement aux capteurs RFID. Le transducteur EM permet de garder en principe la majeure partie des avantages des capteurs passifs ร  onde acoustique (autonomie illimitรฉe, tenue aux environnements sรฉvรจres, complexitรฉ reportรฉe au niveau du lecteur). Contrairement au capteur SAW, les dispositifs ร  transduction EM nโ€™utilisent pas de conversion onde รฉlectromagnรฉtique – onde acoustique. Par consรฉquence, cela permet dโ€™รฉviter les pertes dues ร  cette conversion et aide ร  augmenter la distance dโ€™interrogation du capteur. Un autre avantage des transducteurs รฉlectromagnรฉtique concerne la plus grande latitude quant aux choix des matรฉriaux qui doivent seulement prรฉsenter de faibles pertes diรฉlectriques. Enfin le type de structure peut รชtre beaucoup plus complexe (intรฉgrant des MEMS, des liquides, โ€ฆ) ouvrant ainsi la voie ร  des applications plus variรฉes.
Le premier capteur basรฉ sur la transduction EM a รฉtรฉ publiรฉ en 1998 par Yogi et al. [YOG-1998] et concerne un capteur dโ€™humiditรฉ. Depuis, plusieurs autres types de capteurs ont รฉtรฉ publiรฉs et on peut citer les premiรจres contributions ร  ces travaux : gaz [GRA-2004], contrainte [CHU-2005], pression [JAT-2007], tempรฉrature [MAH-2007], flux dโ€™air [ZHA-2008] et fissure [MAT-2009]. Concernant les capteurs de tempรฉrature, deux principes ont รฉtรฉ explorรฉs dans la littรฉrature.
Le premier principe utilise la dรฉformation de bilames pour modifier le couplage รฉlectromagnรฉtique dans une structure RF. En 2007, un capteur a รฉtรฉ rรฉalisรฉ ร  base de poutres Or/Silicium couplรฉs avec une cavitรฉ rรฉsonnante [MAH-2007]. Les performances obtenues montrent une variation de frรฉquence totale de 5,5% entre 11,34GHz et 12GHz pour une gamme totale de tempรฉrature de 66ยฐC entre 24ยฐC et 90ยฐC. En 2009, lโ€™Universitรฉ de Purdue prรฉsente un dispositif basรฉ sur le changement de la longueur รฉlectrique dโ€™une antenne ร  fentes par un rรฉseau de poutres Or/SiO2 [SCO-2009]. Le dispositif rรฉalisรฉ montre une variation de la frรฉquence de lโ€™antenne de 19,45GHz ร  19,30GHz pour un changement de la tempรฉrature entre 20ยฐC et 300ยฐ, soit une sensibilitรฉ de 27,5ppm/ยฐC. En 2010, le LAAS propose un dispositif formรฉ par deux anneaux rรฉsonnants SRRs (Split-Ring Resonators) chargรฉs par deux poutres bimorphes [THA-2010]. A la frรฉquence de 4GHz, les rรฉsultats de mesures montrent une sensibilitรฉ de 1,85MHz/ยฐC ce qui correspond ร  une sensibilitรฉ de 500ppm/ยฐC) [THA-2012]. En gรฉnรฉral, ce type de capteur prรฉsente de trรจs bonnes performances (sensibilitรฉ, gamme de tempรฉrature, rรฉsolutionโ€ฆ) mais la rรฉalisation technologique est assez complexe, notamment pour la fabrication des micro-poutres.
Le second principe met en ล“uvre des matรฉriaux dont la permittivitรฉ varie avec la tempรฉrature afin de modifier directement lโ€™environnement รฉlectromagnรฉtique du dispositif RF. En 2008 Ren et al prรฉsentent un dispositif utilisant un rรฉsonateur spirale planaire sur un substrat spรฉcifique reliรฉ ร  une antenne [REN-2008]. Le concept de mesure de la quantitรฉ physique est basรฉ sur la variation de la frรฉquence du rรฉsonateur du fait de la modification de la permittivitรฉ diรฉlectrique de son substrat. Bien que non finalisรฉ comme capteur ce dispositif ouvre le chemin pour un nouveau type de capteur de tempรฉrature. En 2011, la mรชme รฉquipe propose un rรฉsonateur volumique ร  base de SiCN mรฉtallisรฉ couplรฉ avec une ligne coplanaire [REN-2011]. Bien quโ€™aucun rรฉsultats expรฉrimentaux en tempรฉrature soient montrรฉs, ce capteur est prรฉsentรฉ comme pouvant fonctionner jusquโ€™ร  1500ยฐC. En 2011 รฉgalement, une capacitรฉ inter-digitรฉe sur un matรฉriau en cรฉramique (BST) est utilisรฉe par Mandel et al. pour la mesure de la tempรฉrature entre 40ยฐC et 100ยฐC [MAN-2011]. Ce capteur montre une sensibilitรฉ deฮ”C/C= 2000ppm/ยฐC. Finalement, un capteur est prรฉsentรฉ par Cheng et al. en 2012 pour la mesure de la tempรฉrature jusquโ€™ร  1000ยฐC [CHE-2012]. Ce dispositif est constituรฉ dโ€™une cavitรฉ rรฉsonnante en Alumine couplรฉe ร  une antenne ร  fente. La frรฉquence de rรฉsonnance de la cellule varie de 0,4MHz/ยฐC entre 5,12GHz et 4,75GHz quand la tempรฉrature varie de 50ยฐC ร  1000ยฐC (sensibilitรฉ ฮ”f/f=80ppm/ยฐC). Gรฉnรฉralement, ce type de capteur a lโ€™avantage dโ€™รชtre simple ร  rรฉaliser et peut supporter des tempรฉratures extrรชmes. Cependant, la sensibilitรฉ de ces dispositifs est assez faible ce qui les rend surtout intรฉressant pour des applications avec de larges gammes de tempรฉrature.
Dans le cadre de cette thรจse, nous prรฉsentons un nouveau type de capteur de tempรฉrature basรฉ sur la dilatation thermique dโ€™un liquide dans un transducteur EM. Le couplage fluide / RF prรฉsente lโ€™avantage dโ€™รชtre particuliรจrement important ce qui devrait permettre dโ€™obtenir des capteurs avec une forte sensibilitรฉ. Ces travaux sont particuliรจrement originaux puisque cโ€™est la premiรจre fois que ce type de couplage est utilisรฉ pour rรฉaliser un capteur passif. Nous avons ainsi รฉtudiรฉ des dispositifs RF (autour de 30GHz) intรฉgrant une micro-structure fluidique. La variation de la tempรฉrature entraine la dilation du fluide contenu dans un rรฉservoir et gรฉnรจre ainsi le dรฉplacement du liquide dans un micro-canal.
Dans le chapitre II, un fluide diรฉlectrique est utilisรฉ pour modifier une capacitรฉ planaire constituรฉe par des รฉlectrodes en cuivre dรฉposรฉes sur un substrat en verre. Le fluide utilisรฉ est de lโ€™eau dรฉsionisรฉe qui peut circuler dans un micro-canal en SU8. La variation dโ€™impรฉdance, obtenue lors de la progression du front dโ€™eau dans le micro-canal, permet de modifier lโ€™impรฉdance de charge dโ€™une antenne et module ainsi le niveau de lโ€™รฉcho RADAR.
Dans le chapitre III, nous avons รฉtudiรฉ lโ€™utilisation dโ€™un fluide conducteur pour court-circuiter les deux brins dโ€™une antenne dipรดle lorsque le liquide se dilate. La structure utilisรฉe est constituรฉe dโ€™un rรฉseau dโ€™antennes dont les deux brins sont court-circuitรฉs progressivement pour des tempรฉratures diffรฉrentes. On obtient ainsi une modulation de lโ€™รฉcho RADAR.

CONCEPTION DU TRANSDUCTEUR MICRO-FLUIDIQUE:
PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT
Le principe du capteur est basรฉ sur la variation dโ€™une impรฉdance (capacitรฉ) en fonction de la dilatation dโ€™un fluide diรฉlectrique (Figure II-1). La structure du transducteur est constituรฉe d’une capacitรฉ et dโ€™un canal micro-fluidique. Un rรฉservoir rempli dโ€™eau, et dโ€™un volume relativement important, est reliรฉ au canal. Lors de lโ€™รฉlรฉvation de la tempรฉrature, le liquide seย  dilate et remplit progressivement le canal. Cette augmentation monotone du niveau du liquide ร  haute permittivitรฉ au voisinage des armatures de la capacitรฉ modifie la valeur de la capacitรฉ ainsi que les paramรจtres S de la structure.
Avant de procรฉder ร  la phase de conception du transducteur nous avons pris en compte les diffรฉrentes contraintes (RF, technologiques, caractรฉrisation, โ€ฆ) (Figure II-2) pour faire des choix qui sont prรฉsentรฉs dans ce qui suit.
La frรฉquence centrale dโ€™utilisation a รฉtรฉ fixรฉe ร  29.75GHz. Cette frรฉquence correspond ร  la frรฉquence centrale du RADAR qui est disponible au laboratoire pour rรฉaliser les mesures sans fil. Cette frรฉquence millimรฉtrique est bien adaptรฉe ร  la miniaturisation du transducteur et amรฉliore par ailleurs l’immunitรฉ du capteur ร  des objets se trouvant ร  proximitรฉ en augmentant la longueur รฉlectrique de sรฉparation entre eux.
Le type de capacitรฉ choisi est de type planaire et est constituรฉe par deux รฉlectrodes mรฉtalliques dรฉposรฉes sur un substrat isolant. La distance entre les deux รฉlectrodes ainsi que la longueur des รฉlectrodes fixe la valeur de la capacitรฉ. Ce type de capacitรฉ planaire est facilement intรฉgrable dans un canal microfluidique.
Le substrat choisi pour supporter les armatures de la capacitรฉ est du verre Schott AF 32. Celui-ci prรฉsente une permittivitรฉ relative assez faible (ฮตr=4,5) ce qui permet de maximiser lโ€™interaction avec le fluide diรฉlectrique. Les pertes diรฉlectriques sont รฉgalement assez faibles (tanฮด=0,0064 ร  20ยฐC et ร  3 GHz).
Les armatures de la capacitรฉ sont en cuivre qui prรฉsente une faible rรฉsistivitรฉ. Lโ€™รฉpaisseur est faible et a รฉtรฉ fixรฉe ร  100nm afin de ne pas trop perturber la rรฉalisation du canal microfluidique.
La structure microfluidique (rรฉservoir, canal) est rรฉalisรฉe avec une rรฉsine nรฉgative (SU8) qui est assez simple ร  mettre en ล“uvre. Cette rรฉsine est par ailleurs transparente, ce qui permet de visualiser la position du liquide ร  lโ€™intรฉrieur du canal. Dโ€™un point de vue รฉlectrique, la SU8 prรฉsente une faible permittivitรฉ รฉlectrique (ฮตr=2,85) ce qui limite sont interaction avec le champ รฉlectromagnรฉtique. Ses pertes diรฉlectrique sans รชtre nรฉgligeable sont acceptables (tanฮด=0,04 ร  la tempรฉrature ambiante pour des frรฉquences supรฉrieures ร  15GHz [GHA-2009]). Il conviendra toutefois de limiter la surface de SU8 ร  proximitรฉ ou en contact avec les conducteurs RF.
Le fluide diรฉlectrique choisi est de lโ€™eau dรฉsionisรฉe. Ce liquide prรฉsente une permittivitรฉ รฉlectrique รฉlevรฉe (ฮต r= 78,5) ce qui permettra dโ€™optimiser la sensibilitรฉ du transducteur et les pertes relativement รฉlevรฉes (tanฮด=0.157 ร  2.45 GHz [MIC-2011]). Le coefficient de dilatation thermique de lโ€™eau est รฉgalement important (257ppm/ยฐC ร  25ยฐC) ce qui permettra de limiter la gamme de tempรฉrature utilisรฉe tout en conservant une dilation du fluide suffisante. Enfin lโ€™eau est trรจs facile ร  mettre en ล“uvre et ne prรฉsente aucun problรจme de pollution ou de toxicitรฉ.

DIMENSIONNEMENT DE LA CAPACITE

Le but de cette partie est dโ€™effectuer un prรฉ-dimensionnement de la capacitรฉ pour obtenir une variation dโ€™impรฉdance (en fonction du remplissage du canal) qui est adaptรฉe au fonctionnement du capteur et prรฉsenter ainsi une bonne sensibilitรฉ. Lorsque le canal est vide, lโ€™impรฉdance devra รชtre suffisamment รฉlevรฉe pour รชtre assimilรฉe ร  un circuit ouvert (typiquement une capacitรฉ de quelques fF). Lorsque le canal est complรจtement rempli, lโ€™impรฉdance devra รชtre proche de 50ฮฉ (typiquement une capacitรฉ dโ€™une centaine de fF).
Les simulations ont รฉtรฉ effectuรฉes ร  lโ€™aide du logiciel de simulation รฉlectromagnรฉtique HFSS (version 14) de la sociรฉtรฉ ANSOFT. La structure du canal et du rรฉservoir micro-fluidique nโ€™ont pas รฉtรฉ introduite pour ne pas alourdir le temps de calcul. La prรฉsence locale dโ€™eau (ฮตr= 78,5) entre les armatures de la capacitรฉ a รฉtรฉ modรฉlisรฉe par une couche de 100ยตm dโ€™รฉpaisseur et dont la largeur excรจde la distance entre les รฉlectrodes de 80ยตm. Le substrat en verre est du Schott AF 32 de 525ยตm dโ€™รฉpaisseur (ฮตr=4,5, tanฮด=0,0064). Les armatures de la capacitรฉ sont constituรฉes par une couche de cuivre (ฯƒ=59,6 106 S/m) de 100nm dโ€™รฉpaisseur.
La gรฉomรฉtrie de la capacitรฉ gap planaire est prรฉsentรฉe dans la Figure II-4. Les caractรฉristiques gรฉomรฉtriques choisies sont les suivantes :
– Lignes d’accรจs coplanaires prรฉsentant une impรฉdance caractรฉristique de 50ฮฉ : conducteur central de largeur Wlig de 110ฮผm et espacement entre la ligne centrale et le plan de masse S de 20ฮผm.
– Largeur W des armatures de 90ยตm afin dโ€™assurer un bon couplage entre les armatures de la capacitรฉ planaire.
– Distance G entre les armatures de 90ยตm pour obtenir un large gap (canal rempli de liquide) tout en gardant une valeur de capacitรฉ mesurable.
– Distance d entre les armatures de la capacitรฉ et le plan de masse du cรดtรฉ des accรจs coplanaires de 90ยตm minimisant ainsi la discontinuitรฉ de la transition CPW-capacitรฉ planaire.
– Distance D entre les armatures de la capacitรฉ et le plan de masse comprise entre 90ยตm et 690ยตm. Cette distance doit รชtre assez grande pour minimiser les capacitรฉs parasites tout en en gardant une structure compacte.
– Longueur L des armatures comprise entre 400ยตm et 800ยตm. Cette longueur doit รชtre assez grande pour avoir une bonne prรฉcision sur lโ€™avancement du liquide mais suffisamment faible pour minimiser les rรฉsonances parasites.
La Figure II-5 montre les variations maximales du coefficient de rรฉflexion S11 en fonction de la longueur des armatures de la capacitรฉ pour une distance D de 400ยตm. Cette variation de S11 correspond ร  la rรฉponse pleine รฉchelle du transducteur entre ces deux รฉtats extrรชmes (pas dโ€™eau / rempli dโ€™eau entre les armatures) et doit รชtre la plus รฉlevรฉe possible pour obtenir une bonne sensibilitรฉ. On peut noter que la rรฉponse diminue lorsque la longueur des รฉlectrodes augmente. Par la suite la longueur L des รฉlectrodes sera donc fixรฉe ร  400ยตm.
La Figure II-6 prรฉcise lโ€™influence de la distance D entre les รฉlectrodes et le plan de masse pour une longueur dโ€™รฉlectrode de L de 400ยตm. On remarque que plus la distance D augmente et plus la variation de S11 est grande ce qui peut รชtre attribuรฉ ร  la diminution des capacitรฉs parasites. Une distance D de 400ยตm a รฉtรฉ choisie pour minimiser lโ€™encombrement car au-delร  lโ€™augmentation de S11 est faible.
La Figure II-7 montre la distribution surfacique de la densitรฉ de champ รฉlectrique dans la capacitรฉ planaire avec et sans eau pour une longueur L de 400ยตm et une distance D de 400ยตm. La prรฉsence du liquide en contact avec les armatures de la capacitรฉ favorise la transmission de la puissance entre les deux ports dโ€™entrรฉe de la structure. La figure II-17 prรฉcise la distribution du champ รฉlectrique entre les armatures de la capacitรฉ. Dans le cas du canal entiรจrement rempli dโ€™eau, on constate que le champ รฉlectrique est trรจs faible au-delร  de la couche dโ€™eau de 100ยตm dโ€™รฉpaisseur. Il nโ€™est donc pas nรฉcessaire de rรฉaliser un canal de plus de 100ยตm de hauteur.
DIMENSIONNEMENT DE LA STRUCTURE MICROFLUIDIQUE
La variation de la position du front dโ€™eau (โˆ†Lc) dans le canal ร  la tempรฉrature T est donnรฉ par : โˆ†Lc (T ) = ฮฑ Vo (T โˆ’To ) (Equation II-1)
Oรน Vo est le volume total du liquide ร  la tempรฉrature To, Sc est la section du canal et ฮฑ est le coefficient de dilatation thermique volumique de lโ€™eau (Figure II-8).
Plus la section du canal sera faible et plus la sensibilitรฉ sera รฉlevรฉe. La largeur du canal a รฉtรฉ fixรฉe ร  170ยตm afin dโ€™รชtre lรฉgรจrement supรฉrieure ร  la distance entre les deux รฉlectrodes de la capacitรฉ (90ยตm). La profondeur du canal, de 100ยตm, est un compromis entre une forte sensibilitรฉ (profondeur importante pour interaction forte entre eau et champ EM) et des limitations technologiques.
Le volume total Vo du liquide ร  tempรฉrature ambiante (โ‰… 2.109 ยตm3) a รฉtรฉ choisi afin dโ€™avoir une valeur de โˆ†Lc รฉgale ร  400ยตm (longueur des รฉlectrodes) pour une variation de tempรฉrature dโ€™une dizaine de degrรฉs (Figure II-9). Cette faible variation de tempรฉrature permettra de limiter lโ€™รฉvaporation de lโ€™eau tout en restant suffisamment grande pour รชtre mesurable avec une bonne prรฉcision.
SIMULATION EM DE LA STRUCTURE COMPLETE
Une structure complรจte du transducteur micro-fluidique avec les micro-canaux en SU8 a รฉtรฉ simulรฉe avec le logiciel HFSS pour sโ€™assurer du bon fonctionnement de celle-ci (Figure II-10). Les murs de SU8 qui servent ร  la rรฉalisation du canal ont une largeur de 100ยตm. Cette valeur a รฉtรฉ choisie afin de perturber le moins possible le signal รฉlectromagnรฉtique tout en assurant une fabrication robuste.
La Figure II-11 prรฉsente les rรฉsultats obtenus pour les paramรจtres S entre 20GHz et 40GHz et pour diffรฉrents niveaux de remplissage du canal en eau (ฮตr=78.5 et tanฮด=0.157) entre les armatures de la capacitรฉ. La Figure II-12 prรฉcise la variation de S11 ร  29.75GHz. Une variation totale dโ€™environ 10 dB est obtenue avec un comportement linรฉaire (en dB) en premiรจre approximation.
Structuration du canal micro-fluidique :
Une couche de promoteur d’adhรฉrence AP300 est tout dโ€™abord dรฉposรฉe par centrifugation sur le substrat en verre afin dโ€™activer la surface de celui-ci et dโ€™amรฉliorer lโ€™adhรฉrence de la SU8. Puis la SU-8 a รฉtรฉ dรฉposรฉe par centrifugation ร  une vitesse de 1450 rpm pendant 30 secondes pour obtenir une couche de rรฉsine d’une รฉpaisseur d’environ 100ยฑ5ยตm. Une premiรจre phase de recuit est exรฉcutรฉe sur plaque chauffante ร  65ยฐC pendant 1 minute. La tempรฉrature est ensuite montรฉe ร  95ยฐC avec une rampe de 10ยฐC/min puis est stabilisรฉe pendant 44 minutes. La tempรฉrature est finalement descendue ร  tempรฉrature ambiante avec une rampe de 5ยฐC/min. Un dรฉtourage, consistant ร  รฉliminer la rรฉsine sur les bords du substrat, doit alors รชtre effectuรฉ. La plaquette est alors prรชte pour l’รฉtape de photolithographie. La rรฉsine est ensuite insolรฉe sous une puissance de 20mW/cmยฒ de lโ€™onde UV (ฮป=365nm) pendant 24 secondes. Elle est rรฉticulรฉe lors dโ€™un second recuit dit Post-Exposure-Bake (PEB) qui consiste en une premiรจre phase de 1 minute ร  65ยฐC suivi dโ€™une rampe ร  10ยฐC/min jusquโ€™ร  95ยฐC et un palier ร  cette tempรฉrature de 3 minutes. La rรฉticulation va alors se propager sur lโ€™ensemble des zones de la rรฉsine ayant subi lโ€™insolation sous UV. La tempรฉrature est ensuite redescendue ร  lโ€™ambiante suivant une rampe de 5ยฐC/min. La plaquette est enfin passรฉe ร  lโ€™รฉtape de la rรฉvรฉlation qui consiste ร  plonger la rรฉsine dans un bain de dรฉveloppeur (PGMEA) pendant 15ยฑ2 minutes puis rincรฉe par lโ€™Isopropanol et sรฉchรฉe.
Un exemple de SU-8, structurรฉe par la mรฉthode dรฉcrite prรฉcรฉdemment, est montrรฉ sur la figure II- 19. Les flancs des micro-canaux sont bien dรฉfinis et prรฉsentent un profil vertical.
Capotage du canal micro-fluidique
Afin de pouvoir faire circuler des liquides dans les structures fluidiques, il est nรฉcessaire de fermer la structure par un capot qui soit le plus รฉtanche possible. De ce point de vue, le meilleur procรฉdรฉ consiste ร  mettre en contact la structure ouverte avec un film en SU-8 non entiรจrement rรฉticulรฉ.
La premiรจre รฉtape du procรฉdรฉ consiste ร  laminer un scotch adhรฉsif double face de 50ฮผm dโ€™รฉpaisseur (Adhesives Research AR Clear 8932) sur un substrat de silicium. Puis un film de 150ยตm de PET, avec son film de protection positionnรฉ vers le haut, est laminรฉ sur le silicium. Ce film de protection transparent, appelรฉ ยซ Liner ยป prรฉsente une รฉpaisseur de 50 ฮผm. Sa face intรฉrieure a subi un traitement anti-adhรฉrence qui permettra de peler la structure finale avant de transfรฉrer le capot en SU8 sur le canal microfluidique.
La deuxiรจme รฉtape consiste ร  dรฉposer (ร  une vitesse de 3200 rpm pendant 30 secondes) une couche de SU-8 de 50ยตm dโ€™รฉpaisseur au dessus du liner. Les phases du recuit dรฉcrites prรฉcรฉdemment sont utilisรฉes en changeant seulement la durรฉe du palier ร  95ยฐC (27 minutes). Un traitement au plasma dโ€™oxygรจne (puissance du plasma 200W, durรฉe 30s) est ensuite appliquรฉ pour amรฉliorer lโ€™adhรฉrence entre les deux couches de SU-8 (canal et capot).
La troisiรจme รฉtape consiste ร  rapporter la couche de SU-8 de 50 ยตm non-rรฉticulรฉe sur la structure ouverte des canaux par lamination. La couche de SU8 est prรฉalablement pelรฉe du support en silicium grรขce au PET ayant subi un traitement anti-adhรฉsif. Ceci permet dโ€™obtenir un film de SU8 de 50ยตm dโ€™รฉpaisseur sur le liner de 50 ยตm dโ€™รฉpaisseur. La figure II.20 montre un schรฉma reprรฉsentatif de cette รฉtape de laminage. Le contrรดle des paramรจtres de pression exercรฉe par les rouleaux, de tempรฉrature des rouleaux et de vitesse de laminage permet dโ€™assurer lโ€™รฉtanchรฉitรฉ de ces canalisations. Dans notre cas, le laminage se fait ร  la tempรฉrature de 65ยฐC pour une pression de 2 Bar et une vitesse de 1m/min.

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Table des matiรจres

CHAPITRE I : INTRODUCTION ET PROBLEMATIQUE
I. INTRODUCTION
II. CAPTEURS SANS FIL ACTIFS/PASSIFS
III.LES CAPTEURS RFID
III.1. Les Capteurs RFID ร  couplage inductif
III.2. Les Capteurs RFID UHF et Micro-ondes
IV. LES CAPTEURS PASSIFS A ONDE ACOUSTIQUE
V. LES CAPTEURS A TRANSDUCTION ELECTROMAGNETIQUE
VI. REFERENCE
CHAPITRE II : CAPACITE PLANAIRE MICRO-FLUIDIQUE POUR LA DETECTION SANS FIL DE LA TEMPERATURE
I. INTRODUCTION
II. CONCEPTION DU TRANSDUCTEUR MICRO-FLUIDIQUE
II.1. Principe de fonctionnement
II.2. Dimensionnement de la capacitรฉ
II.3. Dimensionnement de la structure microfluidique
II.4. Simulation EM de la structure complรจte.
III.FABRICATION DU TRANSDUCTEUR MICRO-FLUIDIQUE
III.1. Rรฉalisation des masques
III.2. Description du procรฉdรฉ de fabrication
III.3. Structuration des รฉlectrodes de la capacitรฉ
III.4. Fabrication du canal micro-fluidique
III.4.1. Prรฉsentation de la SU-8
III.4.2. Structuration du canal micro-fluidique
III.4.3. Capotage du canal micro-fluidique
III.5. Remplissage de lโ€™eau dans le canal
IV. CARACTERISATION DES DISPOSITIFS
IV.1. Mesures de dilatation thermique de lโ€™eau dans les canaux
IV.1.1. Description du banc de test
IV.1.2. Rรฉsultats expรฉrimentaux
IV.2. Caractรฉrisation de lโ€™impรฉdance
IV.2.1. Mesure des paramรจtres S
IV.2.2. Extraction de la capacitรฉ
V. INTEGRATION DU TRANSDUCTEUR
V.1.Mesure de lโ€™รฉcho radar
V.2. Intรฉgration dans une antenne dipรดle
VI. CONCLUSION
VII. REFERENCES
CHAPITRE III: RESEAU DE DIPOLES RECONFIGURABLES MICRO-FLUIDIQUE9
I. INTRODUCTION
II. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT ET CHOIX TECHNIQUES
III. RESEAU DE DIPOLES PLANAIRES ยซIDEALยป
III.1. Conception et Simulation EM
III.2. Fabrication des structures
III.3. Caractรฉrisation
IV. RESEAU DE DIPOLES PLANAIRES ยซREELยป
IV.1. Conception et Simulation
IV.1.1. Description de la structure
IV.1.2. Dimensionnement de la structure
IV.1.3. Simulations de la structure
IV.2. Fabrication de la Structureโ€ฆ..
IV.2.1. Procรฉdรฉ Technologique de Fabrication
IV.2.2. Galinstan
IV.2.3. Remplissage des structures micro-fluidiques
IV.3. Rรฉsultats de mesure radar
V. AMELIORATION DES PERFORMANCES DU CAPTEUR
V.1. Interrogation ร  deux frรฉquences
V.2. Interrogation du second mode ร  30 GHz
VI. CONCLUSION
VII. REFERENCES
CONCLUSION GENERALE
RESUME
LISTE DES PUBLICATIONS

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