BACTERIE GRAM POSITIF, PAROI CELLULAIRE ET STRUCTURE DE L’ENVELOPPE CELLULAIR

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Technique de synthèse des nanofils de silicium

La synthèse des nanofils de silicium peut être effectuée selon deux approches possibles : ascendante (bottom-up) ou descendante (top-down).

Synthèses par la méthode « Bottom-up »

L’approche ascendante ou la méthode « bottom-up », repose sur l’assemblage de blocs élémentaires (atomes ou molécules) pour constituer les nanofils. Plusieurs méthodes de synthèses utilisant cette approche existent, les plus connues sont : la méthode VLS (Vapeur Liquide Solide) et la méthode SLS (Solide Liquide Solide) dont la croissance des nanofils se fait à l’aide d’un catalyseur métallique (Or, cuivre, aluminium…).
Il existe des méthodes de croissance en solution et d’autres en phase vapeur [90]. Les méthodes en phase vapeur ont été largement utilisées pour l’élaboration des nanofils. Elles incluent les méthodes physiques telles que l’ablation laser [91] et l’évaporation thermique [92] et les méthodes chimiques telles que le dépôt chimique en phase vapeur CVD (Chemical Vapor Deposition). Les méthodes dites en solution incluent le dépôt électrochimique combiné à des Template (ou matrices)[93].
L’avantage de ces méthodes est la production à grande échelle et à bas coût. Les méthodes en phase vapeur permettent un meilleur contrôle de la morphologie des nanofils par rapport à celles en solution [94]. Aujourd’hui, ce sont ces méthodes qui dominent la croissance des nanofils et sont utilisées pour produire des composants semiconducteurs intégrables dans des composants électroniques. Même avec leurs coté avantageux, elles restent relativement coûteuses. Elles permettent de faire croître des nanofils de différents types de matériaux et offrent un contrôle de la croissance, fournissant la possibilité de réaliser des structures complexes avec les nanofils. Autant les méthodes de fabrication de nanofils sont multiples, autant les types de matériaux produisant des nanofils le sont aussi. Citons les nanofils de métaux, les nanofils de carbures, les nanofils d’oxydes et les nanofils de semi-conducteurs.

Méthode vapeur- liquide-solide (VLS)

La méthode VLS est un mécanisme de croissance interprété pour la première fois par Ellis et Wagner[85], et revu par la suite par Wanger, et Givargizov[85], [86].
Une fois la surface recouverte de métal- catalyseur, le point essentiel dans le mécanisme de croissance VLS est le fait que la goutte forme un alliage liquide à la température de croissance, généralement supérieure à celle de l’eutectique. Dans le cas de l’alliage Au/Si,tandis que la température de fusion de l’or est de 1063°C (figure 1), la température d’eutectique del’alliage égale à 363°C (avec une composition atomique en Si est de 18,6%) (Figure.22).
La croissance des nanofils passe par 3 étapes :
(i) L’incorporation sélective des espèces à faire croitre depuis la phase vapeur dans la goutte métallique
(ii) La diffusion de ces espèces à travers et sur la surface de la goutte
(iii) La cristallisation à l’interface entre la goutte et le substrat
La croissance des nanofils de silicium se fait le plus souvent par procédé CVD. Dans ce cas, le gaz précurseur (le plus souvent du silane) est injecté, et sous l’effet de la température, il va se décomposer d’après l’équation de réaction simplifiée suivante : 2 → +2 2 (1)
La croissance des nanofils de silicium se réalise à l’aide d’or comme catalyseur (le plus utilisé), présenté sur la figure 23. Les atomes de silicium avec les gouttes d’or vont s’associer pour créer un alliage Si-métal jusqu’à saturation en silicium des gouttes. L’injection continue du gaz silane permet la saturation en silicium de la goutte, les atomes de silicium vont s’accumuler à la base des nano-gouttes, puis s’auto-assembler pour former du silicium cristallin. Il se produit alors une croissance qui apparaît sous forme de nanofils dont le diamètre dépend de celui des nano gouttelettes de métal. Une croissance épitaxiale des nanofils est possible à partir d’un substrat de silicium monocristallin (sous certaines conditions de pression, de température de préparation de l’état de surface du substrat).
Figure 23: Figure 24 : Schéma représentatif du mécanisme VLS (a) Formation ou dépôt des gouttes catalytiques (or) sur le substrat, (b) chauffage du substrat et envoi du gaz précurseur (silane) (c) sursaturation de goutte, et cristallisation à l’interface goutte-s
La mise en œuvre de la croissance de nanofils par la méthode VLS est peu complexe. Il s’agit néanmoins d’un procédé assez peu reproductible. En effet la croissance des nanofils s’effectue le plus souvent aléatoirement et elle présente une dispersion dans le diamètre des nanofils. De plus, cette technique n’est pas compatible avec la technologie planaire CMOS classique, et une étape de report des nanofils est peut être nécessaire pour une intégration dans des dispositifs électroniques. Toutefois, la méthode VLS laisse entrevoir de réelles perspectives pour le développement d’une électronique 3D (pour la réalisation de transistors verticaux) [87].
De plus, la variation de la composition à l’intérieur du nanofils en contrôlant la composition de la phase vapeur est possible avec cette technique, permettant un dopage des nanofils en silicium lors de la croissance.
La figure 24 montre un cliché MEB de nanofils de silicium obtenus à 460°C par la méthode VLS utilisant l’or comme catalyseur et le silane comme gaz précurseur.
Figure 24: image MEB indiquant la surface des capteurs après la croissance des nanofils de silicium par la méthode VLS. Source IETR.

Méthode solide liquide solide (SLS)

La technique de croissance SLS a été réalisée pour la première fois par le Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces (LPCIM) de l’école Polytechnique. Elle permet la synthèse des nanofils à basse température (200-350°C) en utilisant l’indium comme catalyseur (température d’eutectique Si/In T=180°C). Les nanoparticules d’indium, sont obtenues par l’application d’un plasma PECVD (Plasma Enhanced-CVD) d’oxygène sur une couche d’ITO (Indium Tin Oxide) initialement déposée sur le substrat. Un dépôt de silicium amorphe est ensuite réalisé par voie PECVD sur le substrat. La synthèse d’un nanofil de silicium s’effectue par absorption du silicium amorphe par la nano-gouttelette d’indium qui se déplace sous l’effet d’un recuit pour former le nanofil (figure 25) [88]. La révélation de ces nanofils est obtenue par gravure plasma de la matrice de silicium amorphe n’ayant pas participé à la formation des nanofils. Deux types de nanofils différents selon la vitesse de déplacement des nano-gouttelettes d’indium sont obtenus [89]:
– Le type GG (Grounded-Growth) suivant lequel les nanofils restent en contact avec le substrat,
– Le type SG (Suspended-Growth) où les nanofils sont suspendus.
Au-delà de l’avantage d’être réalisé à basse température, ce procédé permet de contrôler la forme géométrique des nanofils. En effet, le rapport entre l’épaisseur de la couche de silicium amorphe et la taille des nano-gouttelettes d’indium influence la direction de croissance ainsi que la forme des nanofils. Ainsi, si ce rapport est inférieur à 1, l’allure des nanofils sera plutôt rectiligne[89].
Figure 25: Synthèse des nanofils par la méthode SLS : nanofil de type GG (Grounded Growth) (a), nanofil de type SG (b), images MEB de nanofils type GG (Suspended-Growth) [89].
Enfin, à la différence du procédé VLS, la méthode SLS permet une croissance bidimensionnelle (c’est-à-dire à la surface du substrat) et directionnelle des nanofils de silicium monocristallin à partir de motifs en silicium amorphe prédéfinis, laissant entrevoir la possibilité de réalisation de transistors de façon reproductible en technologie planaire classique (figure 26).
Figure 26: (a) transistor à effet de champ à base de nanofils de silicium obtenu par croissance SLS guidée dans une gouttière de silicium amorphe image MEB (b). (c) Image TEM d’un nanofil monocristallin[89].

Matrices poreuses

Cette méthode de synthèse des nanofils à l’aide d’une matrice se réalise en remplissant de matière un réseau poreux constituant la matrice (le plus souvent en alumine). Dans ce cas,une matrice 3D généralement en alumine composée de nanopores est fabriquée sur un substrat de silicium [90]. Ces nanopores sont ensuite recouverts par un matériau semi-conducteur (généralement silicium). Le remplissage se réalise par différentes voies : électrochimique (anodisation), injection à haute pression, ou par évaporation. Néanmoins, c’est la voie électrochimique qui semble être la mieux adaptée. L’étape finale consiste à enlever la matrice poreuse par dissolution, il en résulte un réseau de nanofils verticaux particulièrement longs et continus comme indiqué sur la figure 27: Figure 27: (a) matrice servant à la synthèse des nanofils ; (b) image MEB indiquant des nanofils réalisés grâce à une matrice nano-poreuse.[90]

Synthèses par la méthode « top-down »

Dans le domaine de l’industrie microélectronique, la technique « top-down » est l’approche la plus utilisée [91], pour la réalisation d’objets à l’échelle nanométrique car les étapes qui y interviennent sont semblables à celles généralement utilisées dans la fabrication des composants en électronique. Cette approche permet de réduire les dimensions d’un matériau jusqu’à ce que cette réduction d’échelle conduise à la réalisation de motifs. L’approche « top down » regroupe les différentes étapes issues de la microélectronique (dépôt, lithographie, gravure, …) pour l’obtention d’objets à l’échelle nanométrique (dont les nanofils). L’inconvénient de cette approche est principalement dû aux problèmes liés aux limites de résolution des procédés de photolithographie (permettant la réalisation en masse des composants microélectroniques). Ces procédés, extrêmement performants pour la fabrication de structures dont les dimensions se situent en deçà d’une centaine de nanomètres, doivent faire face à des problèmes technologiques quasi insolubles pour accroître leur résolution. Nous parlons aujourd’hui de lithographie UV et RX. L’approche « top down » regroupe les différentes étapes issues de la microélectronique (dépôt, lithographie, gravure, …) pour l’obtention d’objets à l’échelle nanométrique (dont les nanofils).
L’inconvénient de cette approche est principalement dû aux problèmes liés aux limites de résolution des procédés de photolithographie (permettant la réalisation en masse des composants microélectroniques). Ces procédés, extrêmement performants pour la fabrication de structures dont les dimensions se situent en deçà d’une centaine de nanomètres, doivent faire face à des problèmes technologiques quasi insolubles pour accroître leur résolution. Nous parlons aujourd’hui de lithographie UV et RX (<10 nm) afin d’aller largement en bas du seuil des 100 nm, seuil critique pour la fabrication de nano-objets. Leurs coûts très élevés ne laissent pas une chance pour une mise en œuvre rapide de ces nouvelles technologies. La lithographie par faisceau d’électrons est actuellement la seule capable de graver des nanostructures de quelquesnanomètres. Malheureusement, cette technique est incompatible avec une production industrielle en masse du fait du caractère séquentiel de l’écriture des motifs.
Les technologies associées qui se déclinent sous plusieurs variantes sont présentées dans la suite:
• La lithographie électronique
• La méthode des espaceurs
• La nano impression.

La lithographie électronique

La lithographie électronique (ou lithographie e-beam) est un processus permettant de réaliser des motifs par bombardement électronique dans un matériau choisi. Cette méthode permet d’atteindre des limites de résolution impossibles à atteindre avec la photolithographie optique classique. La lithographie e-beam a trouvé diverses formes d’applications dans la recherche et l’industrie du semi-conducteur et dans ce qu’il est convenu d’appeler les nanotechnologies.
La photolithographie électronique dans la pratique est le plus souvent utilisée pour la création des motifs sur une résine sensible aux électrons par modification chimique (polymérisation). Les étapes de cette photolithographie appliquée pour la réalisation de nanofils de silicium sont présentées sur l’illustration 28.
Figure 28 : illustration des étapes technologiques de fabrication de nanofils de silicium utilisant la lithographie par faisceau d’électrons comme procédé de masquage (a), image MEB de transistor MOS dont le canal est un nanofil de silicium (diamètre 15 nm) fabriqué par procédé de masquage défini par lithographie électronique (b) [92].

Elaboration par la méthode des espaceurs en lithographie optique

La méthode des espaceurs fait appel à une technologie compatible avec la technologie MOS conventionnelle, et ne nécessite pas d’outils lithographiques spécifiques. Elle met en œuvre des techniques de dépôt CVD en couches minces, la photolithographie UV classique et la gravure par voie plasma. Les espaceurs ainsi réalisés par cette méthode peuvent être utilisés comme nanofils. La fabrication d’espaceurs est couramment utilisée en technologie CMOS submicronique pour l’isolation des parties actives des composants. Avec un avantage majeur d’être assez simple à mettre en œuvre et se déroule comme le montre la figure 29. Dans un premier temps le matériau est déposé (par exemple de l’oxyde de silicium) puis gravé par voie sèche pour la réalisation d’une marche. Les conditions opératoires de cette première étape de gravure sont optimisées afin d’assurer une bonne verticalité des flancs de la marche servant de support à la formation des espaceurs-nanofils.
En second lieu un dépôt d’une couche de silicium amorphe (ou polycristallin) par procédé LPCVD (Low Pressure CVD) est réalisé. Cette couche est ensuite gravée par voie sèche. Le but de cette seconde gravure (anisotrope) est d’obtenir un résidu situé sur les flancs de la marche, grâce à l’épaisseur de la couche de silicium plus importante sur ces flancs. Ces résidus de taille nanométrique le long de la marche constituent les nanofils en silicium (amorphe ou polycristallin [93].
La technique des espaceurs présente un avantage important en permettant la réalisation de réseaux de nanofils parallèles sur des grandes surfaces en technologies planaire. De plus, elle est compatible avec les procédés de fabrication des circuits dans l’industrie microélectronique[94].

La nano impression

La nano-impression est une méthode basée sur la création de motifs nanométriques à partir d’un moule. Pour sa réalisation, un premier dépôt de polymère (ou résine) sur substrat est effectué, suivi d’une impression par transfert des motifs du moule vers le polymère (principe du tampon encreur). Puis une gravure sèche est réalisée afin d’éliminer les traces indésirables de résine et obtenir des motifs bien définis. Le moule utilisé est constitué d’un verre ou d’une résine suffisamment dure dont les motifs nanométriques ont été réalisés généralement par procédé e-beam. Les deux types de nano-impression les plus couramment utilisées sont la nano-impression thermique et la nano-impression assistée par UV.
La nano-impression thermique se réalise avec le transfert des motifs du masque vers une résine spéciale (PMMA). Elle s’effectue grâce au chauffage de la résine à 200°C, puis une compression (13 x 106 Pa) du moule sur la résine (figure 30)[95]
La nano-impression assistée par UV est semblable à la nano-impression thermique à la différence qu’elle associe une résine liquide qui durcit après exposition aux rayons UV [95]Cette méthode s’adapte bien aux autres procédés traditionnels de la microélectronique. Elle présente l’avantage d’atteindre les résolutions voisines de la lithographie e-beam tout en étant moins coûteuse.
Les images MEB de la figure 31 montrent un exemple de réalisation de nanofils de silicium par nano-impression. Une bonne résolution du moule, ainsi qu’un choix adéquat du type de résine, de la température et/ou de la pression favorisent une bonne définition des motifs.
Figure 31: Image MEB de nanofils réalisés par la nano-impression sur substrat SOI[96]

Dispositif à base de nanofils de silicium

Pour des différents domaines (électronique intégrée, bioélectronique), de nombreuses études se sont focalisées sur l’étude et la réalisation des composants basés sur des nanofils de silicium. A ce jour, les résultats obtenus ont démontré la faisabilité d’un large choix des dispositifs à base des nanofils, comme par exemple des résistances, transistors à effet de champ, inverseur CMOS, cellules solaires, capteurs…….
Cependant, les performances électriques des dispositifs sont fortement corrélées à la méthode de synthèse des nanofils. Des efforts en termes d’optimisation puis de reproductibilité font l’objet de nombreuses études. La suite de ce chapitre est dédiée à la présentation de quelques dispositifs basés sur les nanofils de silicium.

Les transistors à base de nanofils

Pour remplacer les MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) classiques, les transistors à effet de champ à base de nanofils de silicium présentent une excellente alternative, dû au fait que leur la réalisation permet une réduction des dimensions actuelles et donc l’augmentation du taux d’intégration. L’intégration des nanofils dans le transistor ouvre aussi la voie pour l’exploration d’autres applications comme les capteurs (bio) chimiques du fait que ces nanofils possèdent un rapport surface sur volume important permettant une grande sensibilité aux espèces chimiques et biologiques.
Dans cette partie les différents types de transistors à effet de champ réalisés avec des nanofils de silicium comme zone de canal seront présentés.
Dans la technologie des transistors à effet de champ classique, la partie supérieure (au niveau de l’isolant de grille) de la couche active participe à la conduction. Les SGNWFET (Surround-Gated Nanowire Field Effect Transistor) sont des nouvelles architectures de transistors en plein développement en utilisant tout le volume du nanofils comme canal de conduction (figure 32). Les nanofils dans ce cas sont englobés de façon homogène par la grille.

Table des matières

INTRODUCTION GENERALE
CHAPITRE 1 PRESENTATION DE LA BACTERIE E-COLI ET ETAT DE L’ART DES METHODES DE DETECTION
I. INTRODUCTION
II. BACTERIES GRAM NEGATIF, ET GRAM POSITIF
II.1. BACTERIE GRAM NEGATIF, PAROI CELLULAIRE ET STRUCTURE DE L’ENVELOPPE CELLULAIRE
II.2. BACTERIE GRAM POSITIF, PAROI CELLULAIRE ET STRUCTURE DE L’ENVELOPPE CELLULAIR
III. LES BACTERIES UTILISEES
III.1. E. COLI ET ANTI-LPS E. COLI
III.2 STAPHYLOCOCCUS AUREUS
IV. LES BIOCAPTEURS
IV.1 HISTORIQUE
IV.2 DEFINITION DU BIOCAPTEUR
IV.3 DESCRIPTION DU BIOCAPTEUR
IV.2.1 Le biorécepteur
a) Différentes techniques d’immobilisation des biomolécules
b) Immobilisation par greffage covalent
IV.2.2 Le transducteur
V. METHODES CONVENTIONNELLES POUR LA DETECTION DES AGENTS PATHOGENES
V.1 METHODES STANDARD POUR LE DIAGNOSTIC IN VITRO
V.2 BIOCAPTEUR OPTIQUE
V.3 BIOCAPTEURS ELECTROCHIMIQUES
V.3.1 Biocapteurs ampérométriques
V.3.2 Biocapteurs potentiométriques
V.3.3 Détection par spectroscopie d’impédance électrochimique (EIS)
V.4 BIOCAPTEUR PIEZOELECTRIQUE
VI. NANOMATERIAUX ET NANO-OBJETS POUR LA DETECTION DES E. COLI
VI.1 BIOCAPTEURS ELECTROCHIMIQUES A BASE DE NANOPARTICULES
VI.2 BIOCAPTEURS OPTIQUES A BASE DE NANOPARTICULES
VI.3 BIOCAPTEURS MAGNETIQUES A BASE DE NANOPARTICULES
VI.4 BIOCAPTEURS GRAVIMETRIQUES A BASE DE NANOPARTICULES
VI.5 BIOCAPTEURS A BASE DE NANOTUBES DE CARBONE
VI.6 BIOCAPTEURS A BASE DE GRAPHENE
VI.7 BIOCAPTEURS A BASE DE NANOFILS DE SILICIUM
VII. RESUME DES DIFFERENTES TECHNIQUES POUR LA DETECTION D’E. COLI
VIII. CONCLUSION
CHAPITRE 2 SYNTHESE ET FABRICATION DE DISPOSITIFS A BASE DE NANOFILS DE SILICIUM
I. INTRODUCTION
II. TECHNIQUE DE SYNTHESE DES NANOFILS DE SILICIUM
II.1 SYNTHESES PAR LA METHODE « BOTTOM-UP »
II.1.1 Méthode vapeur- liquide-solide (VLS)
II.1.2 Méthode solide liquide solide (SLS)
II.1.3 Matrices poreuses
II.2 SYNTHESES PAR LA METHODE « TOP-DOWN »
II.2.1 La lithographie électronique
II.2.2 Elaboration par la méthode des espaceurs en lithographie optique
II.2.3 La nano impression
III. DISPOSITIF A BASE DE NANOFILS DE SILICIUM
III.1 LES TRANSISTORS A BASE DE NANOFILS
III.1.1 Les transistors verticaux
III.2 CAPACITE A HAUTE DENSITE D’INTEGRATION
III.3 LES CELLULES SOLAIRES
III.4 ELECTRONIQUE NUMERIQUE : INVERSEUR CMOS
III.5 LES CAPTEURS CHIMIQUES ET BIOLOGIQUES A BASE DE NANOFILS DE SILICIUM
III.5.1 Les capteurs de pH
III.5.2 Capteur de gaz
III.5.3 Biocapteur à base de nanofils de silicium
IV. CONCLUSION
CHAPITRE 3 : FABRICATION DES BIOCAPTEURS A BASE DE NANOFILS DE SILICIUM.
I. INTRODUCTION
II. METHODES EXPERIMENTALES
II.1 DEVELOPPEMENT DES NOUVEAUX MASQUES
II.2 FABRICATION DES NANOCAPTEURS EN SALLE BLANCHE
II.2.1 Préparation des substrats
a) Dépôt de la couche d’oxyde de Silicium par « oxydation sèche »
II.2.2 Création des peignes interdigités
a) Dépôt d’or pour la croissance des nanofils
II.2.3 Croissance des nanofils de silicium par la méthode « Vapeur liquide solide »
II.2.4 Caractérisation électrique des structures interdigitées
III. MODELE ELECTRIQUE
III.1 AVANT DEPOT DE BACTERIES
III.2 APRES DEPOT DE BACTERIES
IV. FONCTIONNALISATION PAR APTES/GLUTARALDEHYDE
IV.1 FONCTIONNALISATION DES SURFACES DE SIO2
IV.2 CARACTERISATION DES SURFACES DE SIO2 APRES FONCTIONNALISATION PAR L’APTES ET LE GLUTARALDEHYDE.
IV.2.1 Caractérisation XPS
a) Résultats XPS
b) Résultats MEB
V. MATERIELS ET METHODES BIOLOGIQUES POUR LA DETECTION D’E. COLI
V.1 SOUCHES BACTERIENNES UTILISEES
V.2 ANTICORPS UTILISES
VI. METHODES DE DETECTIONS DES BACTERIES
VI.1 METHODE DE DETECTION PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE MEB
VI.2 METHODE DE DETECTION DES BACTERIES PAR FLUORESCENCE
VI.3 PROTOCOLES DE DETECTION PAR LA METHODE « ENZYME LINKED IMMUNOSORBENT ASSAY » (ELISA)
VI.4 MESURES ELECTRIQUES
VII. CONCLUSION
CHAPITRE 4 RESULTATS ET ETUDES DE LA DETECTION ELECTRIQUE DES BACTERIES
I. INTRODUCTION :
II. RESULTATS ELECTRIQUES EXPLORATOIRES PREALABLES A CES TRAVAUX
III. VALIDATION DU PROTOCOLE DE FONCTIONNALISATION ET DE DETECTION PAR MEB ET PAR FLUORESCENCE.
III.1 ETUDE DE FLUORESCENCE EN FONCTION APRES LA FONCTIONNALISATION DE LA SURFACE ET EN FONCTION DE LA PRESENCE D’ANTICORPS.
III.2 ETUDE DE LA FLUORESCENCE EN FONCTION DE DIFFERENTES CONCENTRATIONS BACTERIENNES.
IV. CARACTERISATIONS ELECTRIQUES
IV.1 CARACTERISATION ELECTRIQUE APRES LA CROISSANCE DES NANOFILS
IV.2 CARACTERISATION ELECTRIQUE APRES LE GREFFAGE DES ANTICORPS ANTI LPS E. COLI SUR LES NANOFILS
V. DETECTION ELECTRIQUE DE LA BACTERIE E. COLI
V.1 INFLUENCE DE LA PRESENCE DES ANTICORPS ANTI-E. COLI LPS SUR LA DETECTION ELECTRIQUE DES E. COLI
V.2 ETUDE DE LA VARIATION DE COURANT EN FONCTION DE LA CONCENTRATION BACTERIENNE DEPOSEE.
V.3 ETUDE DE LA SENSIBILITE DU BIOCAPTEUR AUX BACTERIES E-COLI.
VI. DETECTION DE LA BACTERIE STAPHYLOCOCCUS AUREUS
VI.1 DETECTION ELECTRIQUE DE S. AUREUS
VI.2 VALIDATION DU PROTOCOLE DE FONCTIONNALISATION ET DE DETECTION PAR FLUORESCENCE
VI.3 CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES EN FONCTION DE LA CONCENTRATION BACTERIENNE DE S. AUREUS
VI.4 ETUDE DE LA SPECIFICITE DE LA DETECTION EN UTILISATION DES ANTICORPS ANTI LPS E. COLI AVEC DES BACTERIES S. AUREUS
VII. DISCUSSION
VIII. CONCLUSION
CONCLUSION GENERALE ET PERSPECTIVES

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