Antenne transparente et reconfigurable à base de matériau ferro- électrique 

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Oxydes transparents et conducteurs (OTC)

Les matériaux transparents et conducteurs les plus utilisés actuellement appar-tiennent à la famille des oxydes transparents et conducteurs (OTC). Ces matériaux ont la particularité d’allier conductivité électrique et transparence optique. K. Ba-deker publia le premier document relatif aux oxydes transparents et conducteurs en 1907 [4]. Afin d’être transparent dans le domaine du visible (400 – 800 nm), la largeur de bande interdite du matériau (band gap) doit rester supérieure à 3.2 eV pour éviter l’absorption des photons du visible. Pour ce faire, des oxydes dotés d’une large bande interdite sont rendus conducteurs par le dopage et par la création de lacunes d’oxygène [5]. L’OTC le plus connu est l’ITO (oxyde d’indium dopé étain, In2O3 :Sn).
De nombreuses problématiques sont apparues avec ces matériaux : environnemen-tales et géopolitiques à cause de l’utilisation de matériaux peu disponibles comme l’indium (résolues en partie avec l’utilisation d’un autre matériau alternatif tel que ZnO (oxyde de zinc) ou AZO (oxyde de zinc dopé aluminium)), mais aussi tech-niques du fait de leur relative faible conductivité électrique. En effet, comparative-ment à un matériau métallique classique tel que le cuivre (de conductivité électrique 5,9 × 107 S.m−1[3]), celle de l’ITO se situe à 1 × 105 S.m−1 pour des couches d’épais-seur 1 µm et de transparence optique égale à 80% [6]. Le facteur de mérite de ces couches est proche de 160 ce qui est plus important que celui des films métalliques ultraminces. Cependant les pertes ohmiques restent relativement importantes pour une utilisation de ces matériaux dans la conception d’antennes optiquement transpa-rentes et efficaces. La Figure 1.2 présente l’évolution de la résistivité des principaux OTC de 1970 à 2010 [7].
Un autre inconvénient des OTC est l’apparition de franges d’interférences qui rend la transparence optique non constante et colore la couche déposée. La Fi-gure 1.3 présente un exemple de courbe de transparence optique d’un OTC en fonction de la longueur d’onde [8].
Une antenne reflectarray transparente fonctionnant à 24 GHz a été conçue par C. Kocia et al. [9] (Figure 1.4) à partir d’une couche mince d’ITO d’épaisseur 1 µm déposée sur un substrat de quartz. Une résistance par carré de 8 Ω/sq a été obtenue. Un gain de 22 dBi est mesuré pour une antenne de diamètre 6,6λ. Le gain maximal que l’on pourrait obtenir théoriquement avec une antenne d’une telle surface (45,6 cm2) est de 26,3 dBi, ce qui démontre que l’utilisation de la couche mince d’ITO induit 4 dB de pertes.

Nanofils conducteurs

Il existe deux types de nanofils conducteurs : les nanofils métalliques et les na-notubes de carbone. Les nanofils métalliques (fils métalliques de diamètre nanomé-trique) préparés en solution (solvant organique) sont déposés sur un substrat par différentes techniques (“rod coating”, “spray”, “spin coating”, “drop coating”…). Le compromis transparence optique/résistance par carré est contrôlé par la densité de nanofils en solution. Ainsi, des transparences optiques de 85% et des résistances par carré de 13 Ω/sq ont été obtenues [20], soit un facteur de mérite égale à 171. Un facteur de mérite plus important (F oM = 1083) a été obtenu par Lagrange et al.[21] en optimisant les différents paramètres lors du dépôt de la couche mince de nanofils (température et vitesse de recuit, densité et dimension des nanofils). Une transpa-rence optique de 89% et une résistance par carré de 2,9 Ω/sq ont été mesurées. En plus de leur fort facteur de mérite et de leur simplicité de mise en forme, il est pos-sible d’utiliser ces matériaux pour des applications flexibles [22] comme représenté sur la Figure 1.9 avec la réalisation d’une antenne transparente fonctionnant à 2,3 GHz.
Concernant les nanotubes de carbone, une résistance par carré Rs = 160 Ω/sq et une transparence optique T = 87% ont été mesurées sur un film de 40 nm d’épais-seur déposé sur substrat de polyester [23, 24] soit un facteur de mérite F oM = 16, nettement inférieur à celui obtenu avec les nanofils d’argent.

Grillage métallique

Cette technologie est très utilisée pour imprimer des antennes à la surface des panneaux solaires [25]. L’objectif est d’avoir une antenne efficace (résistance par carré faible) et globalement transparente c’est à dire qui laisse passer la majorité des ondes lumineuses pour éclairer la surface du panneau solaire. Le faible impact visuel n’est donc pas ici le critère le plus important. Ces antennes grillagées sont plutôt présentées comme des “see-through antennas” que des “transparent antennas”. Ainsi un grillage métallique (argent, cuivre …) de forte épaisseur est utilisé afin d’allier l’excellente conductivité du métal avec la transparence optique globale du grillage. Les principales applications sont satellitaires [26, 27], ce qui permet de minimiser la consommation énergétique grâce aux faibles pertes métalliques (Rs < 0.05 Ω/sq) tout en associant une excellente transparence optique (T > 95%). Un facteur de mérite de 145 000 est obtenu. Cependant, le grillage est visible à l’oeil nu (Figure 1.10) en raison de la largeur des rubans métalliques utilisés (quelques millimètres) comme il est possible de l’observer sur la Figure 1.10 [28].

Matériau à maillage métallique à pas micrométrique

La finalité de ce matériau spécifiquement développé à l’IETR est de reprendre le principe du grillage métallique en le rendant invisible à l’œil nu [29]. Pour ce faire, la largeur des lignes s ainsi que le pas du maillage p sont réduits (maillage à pas micrométrique) afin que l’œil humain ne puisse plus distinguer le maillage (Figure 1.11). Les performances de l’œil humain sont utilisées afin de définir les valeurs maximales des paramètres du maillage métallique. Si l’angle sous lequel sont observés deux points est inférieur à θmin = 4,9×10−4 rad [30], l’œil n’est plus capable de discriminer ces deux points (Figure 1.12). Ainsi, la distance p séparant deux points doit rester inférieure à : pmin = d × tan θmin ≈ d × θmin (1.9) avec d la distance d’observation entre l’œil et les deux points. Cette distance mini-male dépend donc directement de l’application industrielle visée. Pour des antennes de stations de base par exemple, la distance est très importante (plusieurs dizaines de mètres). Pour des antennes qui seraient imprimées sur des écrans de smartphones ou sur des vitrages de bâtiments ou de véhicules, cette distance est nettement plus faible. Dans ce dernier cas, on utilisera comme distance minimale la valeur du punc-tum proximum, c’est à dire la distance minimale de vision distincte. Cette distance est égale à 25 cm pour l’œil humain. On obtient ainsi un pas de maillage minimal de 120 µm.

Substrats

Dans cette partie sont présentés les différents substrats utilisables pour la réali-sation d’antennes optiquement transparentes. Les principales caractéristiques prises en considération sont la transparence optique qui doit être élevée dans le domaine du visible, la permittivité diélectrique ǫr – faible pour des antennes efficaces ou éle-vée pour des antennes miniatures – et la tangente de l’angle de pertes tan δ (lié aux pertes diélectriques) qui doit être la plus faible possible (typiquement inférieur à 10−2 à la fréquence de travail).

Verre sodocalcique

Le verre sodocalcique ou verre de vitre est un verre standard, bas coût et ac-cessible rapidement dans une large gamme de dimensions et d’épaisseurs. La trans-parence optique reste élevée et constante dans le domaine du visible (92% [40]). L’obtention d’une valeur diiférente de 100% provient de la réflexion de la lumière aux interfaces air/verre. En effet, l’indice du verre (nverre ≈ 1,5) étant différent de celui de l’air (nair = 1), une partie de la lumière est réfléchie sur chaque interface. Il est possible de déterminer le coefficient de réflexion à une interface : (nair + nverre)2 R = (nair − nverre)2 (1.13) ainsi que le coefficient de transmission total (ou transparence optique) : T =(1−R)2 (1.14)
Le coefficient de réflexion peut néanmoins être réduit en déposant une couche anti-reflet sur chaque face du verre. D’un point de vue hyperfréquence, la permittivité diélectrique est voisine de 7. Cependant, cette caractéristique est variable d’un lot à un autre, ce qui est un inconvénient majeur pour les applications hyperfréquences. De plus, la tangente de pertes est assez élevée (tan δ ≈ 3×10−2 à ~ 10 GHz), ce qui induira des pertes diélectriques importantes surtout en hautes fréquences faisant chuter drastiquement l’efficacité des antennes imprimées sur ce type de substrat.

Verres électroniques

Les verres électroniques tels que le verre Corning ou bien la silice (ou quartz amorphe) présentent des propriétés optiques (transparence optique …) similaires à celles du verre sodocalcique. Cependant leurs caractéristiques diélectriques sont maîtrisées. La permittivité peut varier de 3,8 à 7 à 10 GHz suivant la référence, et les tangentes de pertes peuvent atteindre 1×10−3 [41], voir 10−4 pour la silice. Cependant, toutes les dimensions ne sont pas disponibles, le choix de l’épaisseur est limité et leur coût est nettement plus important comparativement à celui du verre sodocalcique. Il est à noter que pour des dispositifs actifs, la création de trous métallisés (vias) dans ces matériaux peut être complexe du fait de leur fragilité. De même, les couches déposées nécessitent souvent une couche d’accrochage (titane, chrome …) afin d’assurer leur adhérence à la surface du substrat.

Substrats monocristallins

Les substrats monocristallins tels que le Saphir (Al2O3) ou l’oxyde de magnésium MgO présentent des caractéristiques optiques et hyperfréquences performantes. Ils sont constitués d’un monocristal, à la différence des matériaux polycristallins consti-tués d’une multitude de grains orientés aléatoirement ou des matériaux amorphes n’ayant aucune structure cristalline (cas des verres présentés précédemment). Ces matériaux sont souvent utilisés comme substrat pour la croissance de couches minces aux caractéristiques spécifiques [42] (croissance épitaxiée, croissance de matériaux ferroélectriques, OTC …). L’absence de joint de grain permet notamment d’atteindre des pertes diélectriques très faibles (tan δ = 1,6×10−5 pour MgO à 10 GHz [43] avec ǫr = 10). Ces substrats ont cependant quelques inconvénients. Tout d’abord, leur coût est plus important que celui des verres précédemment cités. Ensuite, du fait de l’arrangement spécifique des atomes, certains substrats tels que le saphir peuvent présenter une anisotropie, c’est à dire que leurs caractéristiques, notamment diélec-triques, diffèrent suivant la direction de l’espace : ǫ⊥ = 9,4 ; ǫ = 11,6 et tan δ = 10−5 à 10 GHz.

Substrats organiques

Les substrats organiques sont des substrats dont l’un des composants constitutifs est le carbone. Les principaux substrats organiques transparents pour les applica-tions hyperfréquences sont : le PMMA (polyméthacrylate de méthyle plus connu sous le nom commercial de Plexyglass), les PET (polytéréphtalate d’éthylène), les polycarbonates et le TPX (polymethylpentène, transparent pour une épaisseur de ~ 100 µm). Ces matériaux possèdent des transparences optiques similaires à celles des verres présentés. En outre, ils sont non cassants et peuvent être utilisés comme substrats souples. De plus, leur mise en forme et la création de vias est simple. Ces substrats peuvent être dotés de pertes diélectriques faibles (tan δ = 8×10−4 à 10 GHz pour le TPX [44]). Cependant, ces substrats sont sensibles aux UV, ce qui dégrade leurs caracté-ristiques optiques dans le temps (absorption d’une partie du spectre du visible leur donnant un aspect jaunâtre). De plus, ils sont sensibles à la température et à l’hu-midité, ce qui est un inconvénient lors du dépôt des couches minces nécessitant une montée en température.

Bilan sur les substrats

Dans ce travail, les principaux substrats utilisés seront les verres électroniques (verre Corning et silice pour les applications à plus haute fréquence) du fait de leur faible permittivité et pertes diélectriques (reproductibilité dans leurs valeurs), leur faible coût, et leur compatibilité avec la technique de dépôt utilisée à l’IETR, site de Saint-Brieuc (détaillée dans le Partie 2.1.1). Le saphir monocristallin sera utilisé afin de déposer un matériau ferroélectrique en couche mince doté de caractéristiques ferroélectriques élevées (voir Chapitre 4).

Antennes actives

L’objectif de cette thèse concerne l’étude, la conception, la fabrication et la ca-ractérisation d’antennes actives optiquement transparentes pour obtenir notamment des fonctionnalités de reconfigurabilité des dispositifs antennaires réalisés. Dans cette partie bibliographique sont maintenant présentés différents moyens pour rendre ac-tives les antennes tout en conservant un haut niveau de transparence optique. Les antennes présentées ici ne sont pas transparentes étant donné l’absence d’études existantes sur les antennes transparentes actives, à notre connaissance. Cependant, les moyens utilisés sont transposables en partie ou en totalité au développement d’antennes transparentes actives.

Composants actifs

Une première solution simple pour rendre actives des antennes est leur associa-tion à des composants actifs. Ces composants doivent être soit transparents, soit de faibles dimensions (sub-millimétriques) pour ne pas dégrader la transparence optique globale de l’antenne.

Diodes Beam Lead et transistors non packagés

Une solution envisageable est l’utilisation des diodes Beam Lead et de transistors non packagés. L’avantage de ces composants est leurs faibles dimensions (quelques centaines de micromètres). De plus, les capacités et inductances parasites associées sont faibles du fait de l’absence de boîtier, ce qui permet de les utiliser en hautes fré-quences (bande X et au delà, par exemple). Différents types de composants discrets sont envisageables : les diodes PIN (Positive Instrinsic Negative)[45] pour la réali-sation de commutateurs, les diodes Schottky [46] pour la réalisation de détecteurs, les transistors FET (Field Effect Transistor )[47] pour concevoir des amplificateurs …

Composants transparents

Il est aussi possible d’utiliser des composants transparents comme les TFT (Thin Film Transistors). Ces transistors en couches minces ont la particularité d’être constitués de couches très minces (quelques dizaines de nanomètres) et donc trans-parentes. Leur faible épaisseur permet notamment d’associer ces composants à des dispositifs souples. La principale limite de ces composants est leur fréquence d’utili-sation maximale relativement faible pour les applications radiofréquences (100 MHz au maximum actuellement [48]).
La Figure 1.19 présente un exemple de transistor TFT à base de IGZO (oxyde d’indium dopé étain et gallium d’épaisseur 15 nm) comme semiconducteur. Les contacts sont réalisés à l’aide de couches ultraminces de titane ou de chrome pour la grille (35 nm d’épaisseur) et de bicouche chrome/or ou titane/or pour les contacts de source et de drain (70 nm d’épaisseur). Cette structure fonctionne jusqu’à 100 MHz.

MEMS et NEMS

Les MEMS (MicroElectroMechanical System) et les NEMS (NanoElectroMecha-nical System) sont des composants de tailles micrométriques ou nanométriques constitués d’une (ou plusieurs) partie(s) mécanique(s) actionnées électriquement. Ces composants peuvent assurer diverses fonctions : commutateurs [49], capacités variables, filtres [50]…
La Figure 1.20 présente un commutateur RF MEMS. Des pertes d’insertion de 0,1 dB et une isolation de 20 dB sont obtenues avec cette technologie. Les commu-tateurs en technologie MEMS ont l’avantage d’avoir de très faibles pertes d’inser-tion grâce à leur contact métal/métal en position fermée. Le principal inconvénient est leur temps de commutation limitée (> 10 µs). Les NEMS, grâce à leurs dimen-sions nanométriques, présentent des temps de commutation plus rapides (< 50 ns). On peut par exemple citer une antenne patch reconfigurable (0,8 GHz ; 2,4 GHz et 4,9 GHz) [51]

Matériaux actifs

La fonction active peut aussi être assurée directement à partir de matériaux ac-tifs. Ces matériaux peuvent être déposés en couche mince participant à la transpa-rence optique des dispositifs, s’ils sont eux aussi optiquement transparents. On peut les classer en différentes catégories en fonction des caractéristiques du matériau qui sont contrôlées par un actuateur externe.

Matériaux piézoélectriques

Les matériaux piézoélectriques sont une sous-classe des matériaux non centrosy-métriques, c’est à dire possédant une structure cristalline sans centre de symétrie. Ils ont la particularité de se polariser électriquement sous l’action d’une contrainte mé-canique. Inversement, sous l’application d’un champ électrique, ils subissent une dé-formation mécanique. Les plus utilisés appartiennent à la famille des PZT (Titanate-Zirconate de Plomb Pb(Zr,Ti)O3) [52] et du quartz monocristallin [53]. Ces maté-riaux sont optiquement transparents. Les principales applications sont les capteurs, ainsi que les dispositifs MEMS et NEMS.

Matériaux pyroélectriques

Les matériaux pyroélectriques appartiennent à une sous classe des matériaux piézoélectriques. Ils possèdent de plus la particularité de subir un changement de polarisation électrique suivant leur température de fonctionnement. Ils sont utili-sés dans certains capteurs infrarouges passifs [55]. Le plus utilisé est le titanate de barium (BaTiO3). Ce matériau présente cependant des pertes radiofréquences conséquentes (tan δ ≈ 0.15 à 1 MHz [56]).

Matériaux ferroélectriques

Les matériaux ferroélectriques sont encore une sous-catégorie des matériaux py-roélectriques. Ces matériaux peuvent posséder une polarisation électrique rémanente sans être soumis à une tension bias externe. Cette polarisation peut être modifiée à l’aide du champ électrique externe appliqué en suivant un cycle d’hystérésis. Cela a pour conséquence de contrôler la permittivité relative du matériau. Cependant, le matériau étant aussi pyroélectrique, la valeur de la permittivité est aussi affectée par sa température de fonctionnement. Les familles de matériaux les plus utilisés sont (i) le titanate-zirconate de plomb (Pb(ZrxTi1−x)O3) ou PZT) mais la toxicité du plomb interdit son utilisation dans les dispositifs électroniques (directive européenne RoHS 2002/95/CE) et (ii) BaxSr1−xTiO3 (ou BST) afin de réaliser notamment des capacités variables [58].
Les avantages de ces matériaux sont leur commande simple (application d’un champ bias externe via une différence de potentiel) et leur temps de réponse ex-trêmement rapide (<1 ns). De plus, leur permittivité élevée (ǫr ≈1000) permet de miniaturiser les dispositifs. Les pertes diélectriques faibles (tan δ ≈ 0.02 à 7,7 GHz pour le BST [59]) contribuent à l’efficacité importante des dispositifs réalisés.
La Figure 1.23 présente une antenne agile basée sur un matériau ferroélectrique (BST) en couche mince. Le BST est utilisé ici dans la fabrication de capacités va-riables afin de contrôler la fréquence de fonctionnement de l’antenne : 2,2 GHz à 2,6 GHz pour un gain de 3 dBi [60].

Matériaux photoconducteurs

Ces matériaux ont la particularité de voir leur conductivité électrique évoluer sous l’application d’un rayonnement électromagnétique appartenant au spectre lu-mineux. Cette caractéristique est très présente dans les semiconducteurs résistifs et peut servir à l’élaboration de commutateurs optiques. Le principal inconvénient est l’absorption lumineuse de ces matériaux qui les rend opaques dans le domaine du visible. Les principaux matériaux utilisés sont le silicium haute résistivité HR-Si [61] et l’arséniure de gallium AsGa [62].

Matériaux à changement et à transition de phase

Deux catégories sont distinguées : les matériaux à changement de phase (PCM) et les matériaux à transition de phase (PTM). Les matériaux PCM ont la possibilité de basculer de façon réversible entre une phase amorphe à haute résistivité et une phase cristalline à faible résistivité. L’avantage de ces matériaux est la conservation de la phase créée en l’absence de commande externe. Cela permet dans des dispositifs tels que les commutateurs de n’apporter aucune énergie afin de laisser le commutateur en position ouverte ou fermée. Seul le changement d’état consomme de l’énergie. On peut citer différents matériaux tels que GeTe [63] ou Ge2Sb2Te5 (GST) [64]. Ces matériaux sont actuellement très utilisés dans la fabrication des mémoires flash. Dans son état cristallin (conductivité = 2,5×105 S/m pour GeTe), une élévation de température au delà de la température de fusion (~ 700◦ C pour GeTe [65]) puis une descente en température rapide permet de passer dans l’état amorphe (conducti-vité = 1,1 S/m pour GeTe). Dans cet état, un recuit au delà de sa température de cristallisation (~ 200◦ C pour GeTe [65]) permet de conserver l’état cristallin comme le montre la Figure 1.25. Ce contrôle peut être réalisé via un actuateur électrique en faisant circuler un courant dans le matériau afin d’élever sa température ou bien un actuateur optique en focalisant un faisceau laser à sa surface. Citons par exemple un commutateur RF basé sur ce matériau [66] (Figure 1.26). Ce dispositif présente des pertes d’insertion de 3 dB et une isolation de 22 dB à 24 GHz, avec un temps de commutation de 3 µs.

Table des matières

Introduction générale
1 État de l’art : antennes optiquement transparentes et antennes actives 
1.1 Matériaux transparents et conducteurs
1.1.1 Film ultramince métallique
1.1.2 Oxydes transparents et conducteurs (OTC)
1.1.3 Matériaux multicouches OTC/Métal/OTC
1.1.4 Graphène
1.1.5 Nanofils conducteurs
1.1.6 Grillage métallique
1.1.7 Matériau à maillage métallique à pas micrométrique
1.1.8 Micromaillage métallique
1.1.9 Bilan sur les matériaux transparents et conducteurs
1.2 Substrats
1.2.1 Verre sodocalcique
1.2.2 Verres électroniques
1.2.3 Substrats monocristallins
1.2.4 Substrats organiques
1.2.5 Bilan sur les substrats
1.3 Antennes actives
1.3.1 Composants actifs
1.3.1.1 Diodes Beam Lead et transistors non packagés
1.3.1.2 Composants transparents
1.3.1.3 MEMS et NEMS
1.3.2 Matériaux actifs
1.3.2.1 Matériaux piézoélectriques
1.3.2.2 Matériaux pyroélectriques
1.3.2.3 Matériaux ferroélectriques
1.3.2.4 Matériaux photoconducteurs
1.3.2.5 Matériaux à changement et à transition de phase
1.3.3 Bilan sur la partie active
1.4 Bilan de l’état de l’art
Bibliographie
2 Antennes transparentes actives à base de composants localisés discrets 
2.1 Technologies de fabrication et dispositifs de mesures
2.1.1 Fabrication des couches minces transparentes et conductrices
2.1.1.1 Dépôt de couches minces par pulvérisation cathodique radiofréquence
2.1.1.2 Photolithographie et gravure chimique par voie humide
2.1.1.3 Polissage mécanique
2.1.2 Moyens de mesure des dispositifs
2.1.2.1 Résistance par carré
2.1.2.2 Épaisseur de dépôt
2.1.2.3 Transparence optique
2.1.2.4 Observation par microscopie optique
2.1.2.5 Mesure des paramètres S
2.1.2.6 Mesure des diagrammes de rayonnement
2.2 Antenne de réception FM transparente miniature
2.2.1 Principe et simulations
2.2.2 Fabrication et mesures
2.3 Antenne agile en fréquence en bande X
2.3.1 Design de l’antenne et modélisation analytique
2.3.1.1 Design de l’antenne
2.3.1.2 Modélisation analytique globale
2.3.1.3 Modélisation d’une ligne de transmission
2.3.1.4 Modélisation de la diode varicap
2.3.1.5 Modélisation d’une ligne coplanaire
2.3.1.6 Modélisation d’une ligne à fente
2.3.2 Simulations
2.3.2.1 Simulation du modèle analytique
2.3.2.2 Simulation électromagnétique 3D
2.3.3 Fabrication des antennes et mesures
Bibliographie
3  Influence du matériau transparent conducteur maillé à plus hautefréquence 
3.1 Antenne agile en fréquence en technologie coplanaire
3.1.1 Maillages étudiés
3.1.2 Mesures
3.1.3 Conclusion
3.2 Antennes passives à 60 GHz en technologie microruban
3.2.1 Patch simple
3.2.1.1 Designs et simulations
3.2.1.2 Réalisation et mesures
3.2.2 Réseau de 4 x 2 patchs
3.2.2.1 Design et simulations
3.2.2.2 Réalisation et mesures
3.2.3 Conclusion
Bibliographie
4 Antenne transparente et reconfigurable à base de matériau ferro- électrique 
4.1 Matériau ferroélectrique : KTN
4.1.1 Choix du substrat et dépôt des couches minces de KTN
4.1.2 Caractérisation des couches minces de KTN
4.2 Antenne agile à base de matériau ferroélectrique
4.2.1 Design et simulations
4.2.2 Mesures
4.3 Conclusion
Bibliographie
5 Antenne transparente à commande optique 
5.1 Principe d’une antenne alimentée optiquement
5.1.1 Description de la partie laser
5.1.1.1 Principe de fonctionnement d’un laser monomode
5.1.1.2 Présentation du laser bi-modes
5.1.2 Antenne transparente active
5.2 Réalisations et mesures
5.2.1 Réalisation des antennes et mesures de l’antenne passive
5.2.2 Liaison opto-hyperfréquence avec l’antenne active
5.3 Conclusion et perspectives
Bibliographie

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