Premier thรฉorรจme de Hohenberg et Kohn
ย ย ย Pour tout systรจme, le potentiel externe ????, et donc l’รฉnergie totale ?, est une fonction unique de la densitรฉ รฉlectronique n(?), cโest-ร -dire E = E[n(?)] [22,26]. Lโรฉtat fondamental dโun systรจme composรฉ dโun gaz dโรฉlectrons et sa densitรฉ de charge correspondante sont dรฉterminรฉs par le potentiel externe agissant sur ces รฉlectrons. Hohenberg et Kohn [11] ont dรฉjร dรฉmontrรฉ que toutes les grandeurs physiques relatives ร ce systรจme (ร lโinstar de lโรฉnergie totale du systรจme) sont des fonctionnelles du potentiel externe, en considรฉrant la correspondance biunivoque existant entre la densitรฉ รฉlectronique de lโรฉtat fondamental ?(?) et le potentiel externe ???? . En dโautres termes, en connaissant la densitรฉ de l’รฉtat fondamental, nous pouvons dรฉduire le potentiel externe, et une fois le potentiel externe connu, nous pouvons rรฉsoudre l’รฉquation de Schrรถdinger ร plusieurs รฉlectrons et en fin tout savoir sur le systรจme. Le but gรฉnรฉral de la thรฉorie de la fonctionnelle de la densitรฉ est dโexprimer lโรฉnergie du systรจme quantique comme une fonctionnelle de la densitรฉ รฉlectronique au lieu de la fonction dโonde multiรฉlectronique. Cโest-ร -dire, la base de la thรฉorie de DFT est que toutes les observables dโun systรจme multiรฉlectronique sont fonctionnelles uniques de la densitรฉ รฉlectronique. A titre dโexemple, le potentiel externe ร un corps ???? est le potentiel ???. Ceci signifie que le potentiel total ร un corps de ce systรจme reprรฉsente l’interaction dโun รฉlectron avec le rรฉseau cristallin
Implรฉmentations pratiques de la DFT
ย ย ย ย Dans le but dโappliquer la thรฉorie de la fonctionnelle de densitรฉ, selon lโapproximation de BornOppenheimer, il รฉtait nรฉcessaire dโutiliser une forme approximative de la fonctionnelle dโรฉchange-corrรฉlation. Lโapproximation fondamentale est celle du terme dโรฉchangecorrรฉlation, alors que les approximations supplรฉmentaires, introduites par le traitement numรฉrique, sont nรฉcessaires pour rรฉsoudre les รฉquations de Kohn et Sham (2.27), elles sont nรฉanmoins maรฎtrisรฉes par lโutilisation dโun code de calcul ab-initio. Dans la suite, une vue gรฉnรฉrale des principaux choix dโimplรฉmentation de la thรฉorie DFT sera donnรฉe, nous allons introduire aussi les deux approximations numรฉriques : lโรฉchantillonnage de la zone de Brillouin et lโรฉnergie de coupure et en fin, la mรฉthode de pseudopotentiel sera traitรฉe en dรฉtail.
Mรฉthode des pseudopotentiels
ย ย ย ย ย Lโidรฉe fondamentale d’un pseudopotentiel est le remplacement d’un potentiel avec un autre. L’application primaire en structure รฉlectronique est de remplacer le potentiel fort de coulomb du noyau et des effets des รฉlectrons รฉtroitement liรฉs au noyau (les รฉlectrons du cลurs) par un potentiel ionique efficace agissant sur les รฉlectrons de valence. Lโapproche pseudopotentielle (PP) utilise une description quantique pour les interactions รฉlectroniques dans le cadre de la DFT. Elle consiste en un couplage dโondes planes et de pseudopotentiel au moyen dโune technique de transformรฉe de Fourrier [22,26]. La famille des mรฉthodes fonctionnelles de densitรฉ de Kohn-Sham se diffรจrent par deux approches : dans la premiรจre on traite les รฉlectrons de cลur et de valence, appelรฉe approche de tous-รฉlectron (AE ; all-electron), alors que la deuxiรจme est appelรฉe lโapproximation de pseudopotentiels qui รฉlimine lโeffet des รฉlectrons du cลur. Toutes les deux approches sont intimement liรฉes. Les calculs d’AE (All-Electron) sont gรฉnรฉralement, en informatiques cher et excepte les systรจmes avec un petit nombre atomique, puisqu’un grand nombre de fonctions de base sont exigรฉes pour capturer le comportement oscillant de l’onde รฉlectronique fonctionnant prรจs des noyaux. Lorsque le nombre dโรฉlectrons ร traiter augmente, la rรฉsolution de lโรฉquation de Schrรถdinger devient difficile ร rรฉsoudre et les temps de calculs augmentent trรจs vite. Par ailleurs, les propriรฉtรฉs physico-chimiques les plus รฉtudiรฉes dans les systรจmes molรฉculaires ne font intervenir que les รฉlectrons de valence [22,26]. Dans un atome, seuls les รฉlectrons de pรฉriphรฉriques (en petit nombre) contribuent ร la formation des liaisons chimiques, tandis que les รฉlectrons du cลur (en grand nombre) sont eux fortement lies au noyau atomique et donc peu sensible ร l’environnement proche de lโatome. Cette approximation, dite ‘frozen core approximation’, provient du fait que les รฉlectrons proches du noyau restent relativement inertes lorsque l’on change l’environnement chimique de lโatome (Ils ne changent pas d’รฉtat). L’avantage de cette approximation est que le nombre d’รฉlectron apparaissant dโune maniรจre explicite dans les calculs soit rรฉduit, donc le nombre d’รฉquation ร rรฉsoudre s’en trouve fortement rรฉduit c’est ร dire seuls les รฉlectrons de valence sont pris en compte [22,26]. Les fonctions dโonde relativement oscillantes dans la rรฉgion de cลur (Fig. II.2), rรฉsultant de la contrainte dโorthogonalitรฉ avec les รฉtats de cลur (principe de rรฉpulsion de Pauli) et qui seraient relativement difficiles ร dรฉcrire ร partir dโune base dโondes planes (nombre de vecteurs G trรจs รฉlevรฉ), sont remplacรฉes par des pseudo-fonctions dโonde qui sont dรฉpourvues de nลuds dans la rรฉgion du cลur (Fig. II.2). Le pseudopotentiel est de ce fait construit de maniรจre ร ce que les caractรฉristiques de dรฉphasage quโil produit sur les pseudo-fonctions dโonde soient identiques ร celles rรฉsultant de lโaction du cลur ionique sur les vraies fonctions dโonde de valence, tout en gรฉnรฉrant des pseudo-fonctions dโonde dรฉpourvues dโoscillations (et par consรฉquent de nลuds) dans la rรฉgion du cลur ionique. Au-delร de cette rรฉgion du cลur ionique, dรฉlimitรฉe par ?? (dite Rayon de coupure) (Fig. II.2), les pseudo-fonctions dโonde doivent รชtre identiques aux fonctions dโonde de valence vraies, qui sont รฉgalement appelรฉes, par rรฉfรฉrence ร ce modรจle de pseudopotentiel, fonctions dโonde de valence ยซ tous รฉlectrons ยป [22,26].
Conclusion gรฉnรฉrale
ย ย ย ย Les propriรฉtรฉs structurales et รฉlastiques des pรฉrovskites cubiques LaAlO3, PbTiO3, SrTiO3, BaTiO3, LaTiO3 et LaCrO3 ont รฉtรฉ calculรฉes par la thรฉorie de la fonctionnelle de la densitรฉ (Density Functional Theory ou DFT) et les pseudopotentiels, en traitant lโรฉnergie dโรฉchange et de corrรฉlation par lโapproximation du gradient gรฉnรฉralisรฉ (Generalized Gradient Approximation ou GGA). Nous avons รฉgalement utilisรฉ lโapproximation de Green et du potentiel รฉcrantรฉ (Green and Screened Potential ou simplement GW) pour รฉtudier les propriรฉtรฉs รฉlectroniques de ces pรฉrovskites. Notre manuscrit contient une revue aussi complรจte que possible des travaux thรฉoriques sur la thรฉorie des perturbations ร N-corps et lโapproximation GW. En effet, nous avons dรฉveloppรฉ des algorithmes et des programmes en C/C++ pour rรฉduire le nombre des diagrammes de Feynman qui sont trรจs utilisรฉs pour simplifier et calculer la Self-รฉnergie pendant lโexรฉcution de la procรฉdure de lโapproximation GW. Ces diagrammes peuvent รชtre illustrรฉs par notre code crรฉรฉ par le langage Mathematica. Nous avons ร cet effet proposรฉ un algorithme pour calculer les intรฉgrales curvilignes en utilisant les arbres couvrant ร la place du calcul traditionnel de ces intรฉgrales. Cette mรฉthode rรฉduit le temps d’exรฉcution de l’approximation GW de ?! vers 4?โ1. Les propriรฉtรฉs structurales et รฉlastiques des pรฉrovskites ont รฉtรฉ รฉtudiรฉes dans ce travail, tels que le paramรจtre de maille ร lโรฉquilibre (?), le module de compression ร lโรฉquilibre (?), et le facteur dโanisotropie รฉlastique (?). Le calcul de ces paramรจtres est en bon accord avec ceux qui sont obtenus expรฉrimentalement. La mรฉthode utilisรฉe dans cette รฉtude est trรจs importante et efficace puisquโelle permette de trouver les paramรจtres des propriรฉtรฉs structurales et รฉlastiques des pรฉrovskites dans le cas oรน aucun rรฉsultat expรฉrimental de ces propriรฉtรฉs (exemple : LaTiO3 et LaCrO3). Notons que le facteur dโanisotropie รฉlastique (?) obtenu augmente progressivement dans les composรฉs : SrTiO3, PbTiO3, LaAlO3, BaTiO3, LaCrO3, LaTiO3 respectivement.ย En ce qui concerne lโรฉtude des propriรฉtรฉs รฉlectroniques, nous avons calculรฉ la bande dโรฉnergie de ces pรฉrovskites par lโapproximation GW. Un dรฉsaccord GW avec lโapproximation GGA et LDA apparait dans nos rรฉsultats. Lesquels rรฉsultats sont en bon accord avec ceux de lโexpรฉrience qui varient entre 1.01 et 1.23, et aussi avec le calcul thรฉorique hybride B3LYB, HSE et GW+U. Il est ร noter quโil nโy a pas suffisamment de rรฉsultats expรฉrimentaux concernant le calcul de lโรฉnergie de gap pour pouvoir faire une bonne comparaison avec nos rรฉsultats. Les effets relativistes sur les orbitales atomiques et leurs consรฉquences sur la structure รฉlectronique sont nรฉgligรฉs dans cette รฉtude et ceci influe sur nos rรฉsultats. Nous trouvons au final que notre algorithme de calcul des intรฉgrales curvilignes dans lโapproximation GW rรฉduit le temps dโexรฉcution et que les valeurs obtenues de lโรฉnergie de gap sont en bon accord avec les rรฉsultats expรฉrimentaux disponibles. La mรฉthode de GGA avec pseudopotentiel est donc performante pour lโรฉtude des propriรฉtรฉs structurales et รฉlastiques alors que lโapproximation GW lโest pour lโรฉtude des propriรฉtรฉs รฉlectroniques. Notons que lโapproximation GW nรฉcessite un temps dโexรฉcution trรจs long. Pour diminuer ce temps, nous proposons un algorithme basรฉ sur les arbres couvrants ร la place des intรฉgrales curvilignes. Ces derniรจres reprรฉsentent une partie importante de lโapproximation GW.
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Table des matiรจres
Introduction gรฉnรฉrale
Chapitre I. Gรฉnรฉralitรฉs sur la structure des pรฉrovskites
I.1. Introduction
I.2. Description de la structure
I.3. Facteur de tolรฉrance de Goldschmidt
I.4. Applications
I.5. Rรฉfรฉrences
Chapitre II. Thรฉorie de la fonctionnelle de la densitรฉ (DFT)
II.1. Introduction
II.2. Equation de Schrรถdinger et problรจme ร plusieurs corps
II.2.1. Approximation de Born-Oppenheimer
II.2.2. Densitรฉ รฉlectronique
II.2.3. Modรจle de Thomas-Fermi
II.3. Premier thรฉorรจme de Hohenberg et Kohn
II.4. Deuxiรจme thรฉorรจme de Hohenberg et Kohn
II.5. Equations de Kohn-Sham
II.6. Fonctionnelles dโรฉchange-corrรฉlation
II.6.1. Approximation de la densitรฉ locale (LDA)
II.6.2. Approximation du gradient gรฉnรฉralisรฉ (GGA)
II.6.3. Au-delร de lโapproximation du gradient gรฉnรฉralisรฉ, l’รฉchelle de Jacob
II.7. Implรฉmentations pratiques de la DFT
II.7.1. Panorama des principaux choix dโimplรฉmentation
II.7.2. Thรฉorรจme de Bloch et bases dโondes planes
II.7.3. Mรฉthode des pseudopotentiels
II.8. Rรฉfรฉrence
Chapitre III. Thรฉorie des perturbations ร N-corps (MBPT)
III.1. Introduction
III.2. Seconde quantification
III.3. Thรฉorie de perturbation
III.3.1. Thรฉorรจme de Wick
III.3.2. Reprรฉsentation de Hugenholtz
III.3.3. Mรฉthode de Gaudin
III.3.4. Diagrammes connectรฉs et dรฉconnectรฉs
III.3.5. Potentiel grand canonique
III.3.6. Diagrammes essentiellement distincts
III.4. Algorithme pour les diagrammes de Hugenholtz
III.4.1. Cycles
III.4.2. Etapes de lโalgorithme
III.4.3. Description du programme
III.4.4. Rรฉsultats
III.5. Diagrammes rรฉductibles et irrรฉductibles
III.6. Equation de Dyson
III.7. Reprรฉsentation de Lehmann
III.8. Equations de Hedin
III.9. Lโapproximation GW
III.10. Mรฉthode de calcul du gap dans lโapproximation GW
III.10.1. Gรฉnรฉration de la structure รฉlectronique Kohn Sham
III.10.2. Gรฉnรฉration de la matrice diรฉlectrique
III.10.3. Calcul de Gap
III.11. Mรฉthode dโintรฉgration
III.12. Algorithme pour รฉvaluer les diagrammes
III.13. Dรฉtails techniques
III.14. Rรฉfรฉrences
Chapitre VI. Rรฉsultats et discussions
VI.1. Introduction
VI.2. Mรฉthode de calcul
VI.3. Propriรฉtรฉs structurales et รฉlastiques
VI.4. Propriรฉtรฉs รฉlectroniques
VI.4.1. Mรฉthode et paramรจtres de calcul
VI.5. Rรฉfรฉrences
Conclusion gรฉnรฉrale
Annexes
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