Actionnements couramment mis en jeu dans les MEMS
Actionnement รฉlectrostatiqueย
Lโactionnement รฉlectrostatique exploite le principe dโun condensateur variable. En appliquant un potentiel รฉlectrique entre 2 surfaces sรฉparรฉes par un isolant, des charges de signe opposรฉ sโaccumulent sur ces surfaces, et il apparaรฎt alors une force attractive entre ces 2 surfaces.
Les MEMS รฉlectrostatiques requiรจrent des champs รฉlectrostatiques (et donc des tensions) importants, ce qui est un inconvรฉnient, mais la consommation est faible : outre les courants de fuite, des courants apparaissent pour charger les capacitรฉs, mais, รฉtant donnรฉ les fortes valeurs de tensions, les intensitรฉs du courant sont gรฉnรฉralement trรจs faibles. Les tensions dโactionnement sont limitรฉes par le claquage (arc รฉlectrique) ; la tension de claquage dรฉpend de la pression multipliรฉe par lโespace entre รฉlectrodes, tel quโindiquรฉ par la courbe de Paschen [4]. Aussi, les MEMS รฉlectrostatiques sont souvent packagรฉs sous vide. Nรฉanmoins, la tension est principalement limitรฉe par les alimentations. Les MEMS รฉlectrostatiques prรฉsentent de plus lโinconvรฉnient dโattirer les poussiรจres. Par ailleurs, les densitรฉs de forces obtenues et donc les pressions de contact sont relativement faibles : pour une distance de sรฉparation de 2 ยตm entre les surfaces du condensateur et une tension de 100 V, on obtient une pression dโenviron 11000 Pa, soit 0.11 bar. Les forces sont donc relativement faibles et dรฉcroissent rapidement avec la distance ; on peut toutefois augmenter ces forces en augmentant les surfaces en regard par des configurations en peigne (ยซ comb-driveยป) [5] ou par le zipping (poutre courbรฉe en contact partiel avec le substrat) .
Enfin, รฉtant donnรฉ que la force nโapparaรฎt que lorsquโune tension est appliquรฉe et quโelle est toujours attractive, la bistabilitรฉ est difficile ร mettre en ลuvre. Il existe toutefois des solutions, lโune dโentre elle consistant ร utiliser une poutre prรฉcontrainte avec 2 positions stables en flambage. Lโactionnement รฉlectrostatique nโest alors utilisรฉe que pour faire passer la poutre dโun position mรฉcaniquement stable ร une autre. Toutefois, cette configuration prรฉsente des difficultรฉs liรฉes aux contraintes dans les matรฉriaux et ร des forces de commutation trรจs importantes.
Actionnement thermique
Lโactionnement thermique peut gรฉnรฉrer des forces importantes, mais ce mode dโactionnement est assez lent ร lโรฉchelle centimรฉtrique [7] (toutefois la rรฉduction des รฉchelles rรฉduit lโinertie thermique et permet des vitesses dโactionnement plus rapides). Etant donnรฉ les faibles valeurs de dilatation thermiques, il est le plus souvent utilisรฉ en bilame. On exploite alors la diffรฉrence de dรฉformation entre 2 matรฉriaux qui sont chauffรฉs par effet Joule ร des tempรฉratures diffรฉrentes et/ou ont des coefficients de dilatation thermique diffรฉrents.
Pour les mรชmes raisons que prรฉcรฉdemment, la bistabilitรฉ est difficile ร mettre en ลuvre. On peut toutefois, comme cela a รฉtรฉ dรฉjร mentionnรฉ, utiliser une structure avec une poutre enflambage. Ce principe de bistabilitรฉ convient particuliรจrement ร ce principe dโactionnement รฉtant donnรฉ les forces importantes gรฉnรฉrรฉes.
Un tel microswitch, dโune taille dโenviron 1 cm, a รฉtรฉ rรฉalisรฉ par Qiu au MIT [8]. Ce relais peut commuter en 1 ms et, dans lโรฉtat passant, prรฉsente une rรฉsistance de contact de 60 mโฆ pour 1 mN de force de contact et peut supporter jusquโร 3 A.
Actionnement piรฉzoรฉlectriqueย
Les matรฉriaux piรฉzoรฉlectriques sont des matรฉriaux qui se dรฉforment lorsquโon leur applique une tension. Ils sont capables de dรฉlivrer des forces importantes, ont des temps de rรฉponse rapide et consomment peu si les courants de fuite sont bien contrรดlรฉs, ce qui est le cas en quasi-statique. Toutefois ils prรฉsentent de petites dรฉformations (<0.2 % en couche) ; aussi, on les utilise couramment dans les MEMS selon le principe du bilame [7]. Ainsi, une faible dรฉformation longitudinale du piรฉzoรฉlectrique peut entraรฎner une dรฉflection transversale importante dโune poutre.
Les actionneurs piรฉzoรฉlectriques ont รฉtรฉ utilisรฉs par exemple pour des micropompes [9], des applications mรฉdicales [10] ou pour des tรชtes dโimprimante [7]. Etant donnรฉ quโil nโy a pas de force gรฉnรฉrรฉe en lโabsence de tension appliquรฉe, la bistabilitรฉ est difficile ร mettre en ลuvre. Toutefois, le principe de poutre prรฉcontrainte peut รชtre utilisรฉ, avec les difficultรฉs dรฉjร soulignรฉes.
Actionnement magnรฉtostrictifย
Les matรฉriaux magnรฉtostrictifs sont des matรฉriaux qui se dรฉforment en prรฉsence dโun champ magnรฉtique. Le principe est le mรชme que pour les matรฉriaux piรฉzoรฉlectriques, ร la diffรฉrence que cโest un champ magnรฉtique et non plus un champ รฉlectrique qui provoque une dรฉformation. Lโavantage, par rapport ร lโactionnement piรฉzoรฉlectrique, est quโil nโy a pas besoin de liaisons รฉlectriques. Les matรฉriaux couramment utilisรฉs sont des alliages de terres rares et de mรฉtaux de transition tel le Terfenol-D (TbDyFe). Ils prรฉsentent des dรฉformations trรจs faibles (exemple : 0.03 % pour un film de TbFe rapportรฉ par Tiercelin [11]). Lโactionnement magnรฉtostrictif utilise lui aussi couramment le principe du bilame. Il permet de faire des actionneurs comme des micro-pompes [12] ou des capteurs de champs magnรฉtiques. Osiander [13] a fabriquรฉ un magnรฉtomรจtre grรขce ร une poutre en Si recouverte de Terfenol-D. Son dispositif permet de mesurer un champ magnรฉtique soit en mesurant la dรฉflexion statique de la poutre, soit en mesurant la frรฉquence de rรฉsonance sous un champ magnรฉtique alternatif. La prรฉcision de ce magnรฉtomรจtre est de 1ยตT.
Alliages ร mรฉmoire de forme (AMF)ย
Les alliages ร mรฉmoire de forme sont des matรฉriaux dont la dรฉformation irrรฉversible se fait par changement de phase cristallographique. Ils possรจdent une phase dite martensitique et une phase dite austรฉnitique, cette derniรจre possรฉdant une symรฉtrie plus importante. En chauffant un AMF aprรจs dรฉformation, on induit un changement de phase vers la phase de dรฉpart, ce qui permet au matรฉriau de retrouver sa forme avant dรฉformation. Les AMF peuvent produire des forces trรจs importantes et ont une vitesse dโactionnement lente [7]. Un alliage trรจs couramment utilisรฉ pour ce type de propriรฉtรฉ est le TiNi. Un des problรจmes majeurs pour utiliser ces matรฉriaux dans des MEMS est quโil faut coupler lโAMF avec un actionnement supplรฉmentaire pour, au dรฉpart, induire la dรฉformation dans lโAMF.
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Table des matiรจres
Introduction
I Actionnements couramment mis en jeu dans les MEMS
I.1 Actionnement รฉlectrostatique
I.2 Actionnement thermique
I.3 Actionnement piรฉzoรฉlectrique
I.4 Actionnement magnรฉtostrictif
I.5 Alliages ร mรฉmoire de forme (AMF)
II Actionnement magnรฉtique
Lois dโรฉchelle
Conclusion
III Les MEMS RAIMI
III.1 RAIMI 1
III.2 Tests du micro-relais RAIMI2
IV Objectifs de la thรจse
Bibliographie
Chapitre 1 : Dimensionnement de nouveaux microsystรจmes magnรฉtiques
I Outils de simulation
I.1 Flux2D
I.2 Dipole3D
II Premiรจres pistes
II.1 Systรจmes ร aimantation dans le plan
II.2 Systรจmes ร aimantation hors du plan
Conclusion prรฉliminaire
III Dimensionnement
III.1 Dimensionnement des micro-relais Nanomag
III.2 Pour aller plus loin
IV Simulations dynamiques
Conclusion
Bibliographie
Chapitre 2 : Dรฉpรดt et รฉtude de couches magnรฉtiques dures
Introduction
I Matรฉriaux magnรฉtiques durs
I.1 Composรฉ Nd2Fe14B
I.2 Composรฉs SmCo
I.3 Composรฉ FePt
I.4 Aimants massifs, propriรฉtรฉs extrinsรจques
II Dรฉpรดts de matรฉriaux magnรฉtiques durs en couches โ Etat de lโart
II.1 Techniques de dรฉpรดt
II.2 Etat de lโart : couche de NdFeB
II.3 Etat de lโart : couches de SmCo
Conclusion
III Techniques de dรฉpรดt et de caractรฉrisation
IV Films de NdFeB
IV.1 Gรฉnรฉralitรฉs
IV.2 Influence de la distance cible-substrat
IV.3 Influence de la tempรฉrature de dรฉpรดt
IV.4 Influence du recuit
IV.5 Influence de la sous-couche
IV.6 Homogรฉnรฉitรฉ du dรฉpรดt
IV.7 Influence de la tension de la cible
IV.8 Problรจmes mรฉcaniques
IV.9 Couche trรจs รฉpaisses
IV.10 Mรฉcanisme de coercivitรฉ
V Films de SmCo
V.1 Gรฉnรฉralitรฉs
V.2 Couches de SmCo obtenues avec une cible de 3cm de diamรจtre
V.3 Couches de SmCo obtenues avec une cible de 9x9cmยฒ
Conclusion
Bibliographie
Chapitre 3 : Intรฉgration de matรฉriaux magnรฉtiques durs dans un process de microtechnologie
I Process Nanomag
I.1 Description de lโempilement technologique
I.2 Briques de bases impliquant les matรฉriaux magnรฉtiques
II Remplissage de caissons
III Gravure chimique
IV Planarisation
Conclusion
Bibliographie
Conclusions